| 1. Введение. | 3 |
| 1.1. Термодинамика травления. | 5 |
| 1.2. Общие принципы кинетики травления. | 8 |
| 1.3. Феноменологический механизм травления. | 9 |
| 2. Жидкостное травление. | 11 |
| 2.1. Травление SiO2. | 11 |
| 2.2. Травление кремния. | 14 |
| 2.3. Травление многослойных структур. | 19 |
| 2.4. Травление алюминия. | 20 |
| 2.5. Травители для алюминия. | 21 |
| 2.6. Электрохимическое травление. | 23 |
| 3. Практические аспекты жидкостного химического травления. | 23 |
| 3.1. Другие характеристики травления. | 24 |
| 4. Заключение. | 25 |
| 5. Список литературы. | 26 |
Травление используется для селективной (химической) прорисовки диффузионных масок, формирования изолирующих или проводящих областей, в процессе которого вещество в области, подвергаемой травлению, химически преобразуется в растворимое или летучее соединение. В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при изготовлении металлических контактов. Металлическая разводка формируется путем селективного удаления промежутков (обращения изображения); фотошаблоны также изготавливаются травлением металлических пленок. Задача инженера-технолога состоит в том, чтобы обеспечить перенос изображения с резистной маски в подложку с минимальным отклонением размера (Е) и допуском (±Т) (см. рис. 1). Из рисунка видно, что суммарное изменение размера при литографии Е обусловлено искажением изображения в резистной маске (±0.1 мкм), уходом размера в резисте (±0.5 мкм) и уходом окончательного размера в процессе травления ±1.0 мкм с допуском в ±1.0 мкм.