Рефетека.ру / Математика

Доклад: Полосная теория твердотельной проводимости

Полосная теория твердотельной проводимости

Электрические свойства твердого тела зависят от того, как электроны составляющих его атомов распределяются по орбитальным уровням при его кристаллизации.

Как мы знаем из модели атома Бора, электроны в атоме расположены на различных орбитальных уровнях, характеризующихся различной удаленностью от ядра и, соответственно, различной энергией связи электрона с ядром. При образовании кристаллической решетки твердого тела орбиты электронов несколько деформируются, и, соответственно, смещаются энергетические уровни удержания электронов на них. Это смещение можно представить себе двояко. С одной стороны, можно заметить, что, находясь в составе твердого тела, электрон не может не подвергаться электрическому воздействию со стороны соседних атомов — он притягивается к их ядрам и отталкивается их электронами. С другой стороны, два электрона, в силу принципа запрета Паули, не могут находиться на одной орбите в одном и том же энергетическом состоянии, то есть, два любых электрона в любом случае находятся на несколько отличающихся друг от друга энергетических уровнях.

В любом случае, можно понять, что при образовании твердого тела в смысле кристаллизации атомов в жесткую структуру каждый энергетический электронный уровень в атомах расщепляется на ряд близких подуровней, объединенных в энергетический слой или полосу. Все электроны, находящиеся в данной энергетической полосе, обладают очень близкими энергиями. На близких к ядру орбитах электроны находятся в связанном состоянии — они не способны оторваться от ядра, поскольку, хотя теоретически перескок электрона из одного атома в другой — на ту же по энергии орбиту — возможен, все нижние орбиты соседних атомов заняты, и реальная миграция электронов между ними невозможна.

Поэтому самой важной с точки зрения теории электрической проводимости является валентная полоса — размытый на подуровни внешний слой электронной оболочки атомов, который у большинства веществ не заполнен (исключение — инертные газы, но они кристаллизуются лишь при сверхнизких температурах). Поскольку внешний слой не насыщен электронами, в нем всегда имеются свободные подуровни, которые могут занять электроны из внешней оболочки соседних атомов. И электроны, действительно, проявляют удивительную подвижность, хаотично мигрируя от атома к атому в пределах валентного слоя, а в присутствии внешней разности электрических потенциалов они дружно «маршируют» в одном направлении, и мы наблюдаем электрический ток. Именно поэтому нижний слой, в котором имеются свободно перемещающиеся электроны, принято называть проводящим слоем — при этом это даже не обязательно самый верхний (валентный) орбитальный слой электронов в атоме.

Многослойную теорию строения твердого тела можно использовать для объяснения электропроводности вещества. Если валентный слой твердого тела заполнен, а до следующей незаполненной энергетической полосы далеко, вероятность того, что электрон на нее запрыгнет, близка к нулю. Значит, электроны прочно привязаны к атомам и практически не образуют проводящего слоя. Соответственно, и под воздействием электрической разности потенциалов с места они не двигаются, и мы имеем изолятор — вещество, не проводящее электрический ток.

Проводник, с другой стороны, как раз представляет собой вещество с частично заполненным валентным слоем, внутри которого электроны имеют значительную свободу перемещения от атома к атому. Наконец, полупроводники — это кристаллические вещества с заполненным валентным слоем, и в этом они подобны изоляторам, однако энергетический разрыв между валентным уровнем и следующим, проводящим энергетическим уровнем у них настолько незначителен, что электроны допрыгивают до него при обычных температурах чисто в силу теплового движения.

Список литературы

Для подготовки данной работы были использованы материалы с сайта http://elementy.ru/


Похожие работы:

  1. • История развития твердотельной электроники
  2. • Графическое моделирование деталей масляного насоса ...
  3. • Полосно-пропускающий фильтр
  4. • Оптимизация автоматизированного проектирования ...
  5. • Трехмерное параметрическое моделирование на персональном ...
  6. • Лекции по твердотельной электронике
  7. • Новые возможности Solid Works
  8. • Моделирование привода поршневого пневматического с ...
  9. • Рубиновый оптический квантовый генератор
  10. • Лазер
  11. • Рубиновый оптический квантовый генератор
  12. • Структура твердотельных интегральных микросхем
  13. • Самоорганизация ион-проводящих структур при протекании ...
  14. • Проектирование трехмерных моделей программой AutoCAD
  15. • Программы для расчета на прочность совместимые с AutoCad
  16. • Проектирование и расчёт полосного фильтра
  17. • Основные материалы микроэлектроники, применяемые в процессе ...
  18. • Технологии проектирования в инженерных средах
  19. • Лазеры на гетеропереходах полупроводниковые лазеры
Рефетека ру refoteka@gmail.com