МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ

ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ

(технический университет)

Кафедра Электроники и электротехники

Доклад

Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот”

Студент:

Андриатис Ю.А.

группа АП-52

Преподаватель:

Ушаков В.Н.

МОСКВА 1999

Усилительный каскад на биполярном транзисторе.

EK

R1 RK

РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА

УСИЛИТЕЛЬНОГО RC -
КАСКАДА

Cк НА БИПОЛЯРНОМ
ТРАНЗИСТОРЕ

ВЫХОД

IBX

C

RH Uвых
ВХОД CЭ

R2 RЭ

IBЫX

Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн.
Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области высоких частот нельзя.

РИС 2. УПРОЩЕННАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА
УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА

НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ
В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ

Iб

IBЫX

rвх R k C
RH Uвых

h21эIб

Из схемы находим:

Zk = (Rk || Rн)|| 1 = (Rk || Rн) * (1 / j(вС) =

(j(вС) (Rk || Rн) + (1 / j(вС)

= (Rk || Rн) = (Rk || Rн)

1 + j(вС(Rk || Rн) 1 + j(в(в

где (в = С(Rk || Rн) - постоянная времени нагрузочной цепи

(Rk || Rн)

U2 = h21эIб Zk = h21эIб 1 + j(в(в U1 = Iб rвх

U2 (Ku)0

(Ku)в = =

U1 1 + j(в(в

На высших частотах происходит не только усиление сигнала но и появляется дополнительный фазовый сдвиг выходного сигнала относительно входного поэтому это выражение разбивается на два:

1

(Ku)в =

? 1 + ((в(в)2

tg ?в = – (в(в

В области высших частот характеристика будет иметь завал:

Kв ?в

K0 (1 (2 f(()

f(()

(2 > (1

Равномерность частотной характеристики зависит от С. Чем меньше С тем характеристика лучше (более равномерна).
Вообще избавиться от паразитной емкости – С невозможно. Ее можно только уменьшить за счет рационального конструирования.
Кроме того на значение паразитной емкости влияет входная емкость следующего каскада и для ее уменьшения надо подключать к каскаду электронные устройства с минимальной входной емкостью.Например: эмиттерный повторитель.