Рефетека.ру / Радиоэлектроника

Реферат: Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Приложения

Рис. 3. Схема сборки веерного типа

Рис. 4. Схема сборки с базовой деталью

Рис. 5. Схема сборки (а) и разрез ИС (б) в круглом корпусе:
1(балон; 2(соединительные проводники; 3(кристалл; 4(контактные площадки;
5(припой; 6(колпачёк ножки; 7(стекло; 8(выводы; 9(спай выводов со стеклом;

10(соединение электроконтактной сваркой баллона и ножки;

11(металлизационный слой (шина)

Рис. 6. Схема соединения (сборки) кристалла с шариковыми выводами и подложки пайкой:

1(кристалл; 2(контактная площадка; 3(стекло; 4(шарик медный; 5(медная подушка; 6(припой (высокотемпературный); 7(припой (низкотемпературный);

8(вывод из сплава AgPb; 9(подложка.
Рис. 7. Схема соединения (сборки) кристалла с балочными выводами и подложки пайкой:
1(золотой балочный вывод; 2(силицид пластины; 3(кристалл; 4(нитрид кремния;

5(платина; 6(титан; 7(подложка; 8(золотая контактная площадка.

Рис. 8. Схема линии сборки интегральных схем

На линии сборки используют трансферные ленты. Сборка и транспортировка осуществляются на коваровой ленте, которую на участках Л и Б подвергают фотолитографии для получения выводов 2 (рис. 10, а). На участках В, Г и Д на базе ленты с выводными рамками изготавливают корпуса приборов с золочеными выводами. Отрезки ленты с корпусами поступают на сборку. Лента
2, сматываясь с катушки 1, подвергается промывке и обезжириванию в ванне 3 и нанесению фоторезиста в ванне 4, экспонированию в установке 5 с помощью ультрафиолетовой лампы 7. Роль маски в установке выполняет непрерывно движущаяся синхронно с лентой 2 лента 6. Затем ленты промывают в ваннах 8 и
9. Выводы рамки 2 (рис. 10, а) и перфорационные отверстия вытравливают в ванне 10. Слой фоторезиста удаляют в ванне 11, и на выходе ленту сушат.
Полученные перфорационные отверстия используют для натяжения и перемещения ленты с помощью звездочки 12. В установке 13 на коваровую ленту с выводами приклеивают с двух сторон трансферную ленту со слоем припоечного стекла.
Полученная система обжигается, адгезивный слой выгорает, а стекло спаивается с металлом основной ленты (рис. 10, б). Охлаждение до комнатной температуры производят в камере 14. С помощью устройства 15 на стеклянные слои приклеивают маскирующие ленты с окнами, через которые в ванне 16 осуществляют вытравливание полостей до обнаружения внутренних выводов (рис.
10, е).
Полученные таким образом из металлической и стеклянных лент корпусные блоки подают в ванну 17 для золочения выводов. На устройстве 18 лента режется на отрезки с корпусами, которые по конвейеру 19 подаются на сборку.
Кристалл с готовыми структурами методом перевернутого монтажа лицевой стороной вниз с помощью шариковых выступов присоединяют к системе выводов внутри полученного корпуса (рис. 10, г). Герметизацию корпуса в защитной среде производят отрезками коваровой ленты 7, которые припаивают к основанию с помощью стекла, нагреваемого инструментом (рис. 10, д).
Полученная микросхема представлена на рис. 10, е

Рис. 9. Трансферная лента:

1(несущий слой; 2(трансферный слой; 3(адгезивный слой; 4(антиадгезивная бумага

Рис. 10. Схема автоматизированной сборки ИС на ленте:

1(лента-носитель; 2( выводы (после травления); 3( перфорация для перемещения ленты; 4(стеклянная лента-припой; 5(полость корпуса ИС;
6(кристалл с готовыми структурами; 7 ( корпус; 8(крышка; 9(нагревательный инструмент

-----------------------
[pic]

Похожие работы:

  1. • Блок автоматизированного управления связью
  2. • Анализ производственно-хозяйственной деятельности ПРУП ...
  3. • Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
  4. • Общая характеристика предприятия и анализ кадрового ...
  5. • Анализ производственно-хозяйственной деятельности ПРУП ...
  6. • Приборы полупроводниковые
  7. • Определение надежности устройства РЭА
  8. • Технология изготовления кристаллов полупроводниковых ...
  9. • Структура твердотельных интегральных микросхем
  10. • Методы контроля в производстве интегральных микросхем
  11. • Защитные диэлектрические пленки в планарной технологии
  12. • Основные требования к полупроводниковым материалам
  13. • Полупроводниковые пластины. Методы их получения
  14. • Применение полупроводниковых приборов
  15. • Проектирование гибридных интегральных микросхем и ...
  16. • Пассивные диэлектрики
  17. • Электронные компоненты
  18. • Полупроводниковые материалы
  19. • Общие сведения об интегральных микросхемах
Рефетека ру refoteka@gmail.com