Рефетека.ру / Коммуникации и связь

Курсовая работа: Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

Содержание


Введение

1. Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

2. Микроэлектронные формирователи и преобразователи измерительных

сигналов

2.1. Формирование синусоидальных высокочастотных сигналов с

повышенной стабильностью амплитуды и линейностью характеристики

управления по частоте

2.2. Теоретические основы управляемых автогенераторов

3. Прецизионный амплитудный модулятор

4. Линейный частотный модулятор

5. Цифровой частотно-фазовый демодулятор

Заключение

Список использованной литературы


Введение


В основе проектирования (интегрализации) радиоприемных устройств (РПУ) на ИС лежат общие принципы проектирования микроэлектронной аппаратуры, которые приобретают некоторые особенности, связанные со спецификой приемной аппаратуры.

Отличительными чертами РПУ являются:

аналоговый характер сигнала, его большой динамический диапазон (доли микровольт – единицы вольт);

широкий частотный диапазон (от постоянного тока – на выходе детектора, до сотен мегагерц или десятков гигагерц – на выходе);

большое число нерегулярных соединений;

функциональное разнообразие узлов (блоков) при их относительно небольшом общем числе.

К функциональным блокам (каскадам) предъявляются разнообразные требования, часто зависящие от типа сигналов. В некоторых узлах должна быть обеспечена прецизионность изготовления. Часто оказывается необходимым изменять параметры элементов в процессе регулировки аппаратуры, что нежелательно при микроэлектронном исполнении.

На цифровых ИС можно реализовать практически любой алгоритм обработки сигнала, осуществляемый в приемно-усилительных устройствах, включая элементы оптимального радиоприема.

Преимущества цифровой обработки: неограниченно долго можно хранить информацию, отсутствие ошибок, параметрических уходов при функционировании, легкая возможность адаптации (изменение параметров устройств под влиянием принимаемого сигнала или по команде), высокая технологичность в производстве, большие перспективы дальнейшей микроминиатюризации.

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

Аналоговый перемножитель сигнала (ПС) является универсальным базовым блоком, выполняющим ряд математических функций: умножение, деление, возведение в квадрат. В ряде случаев функциональные возможности ПС реализуются совместно с ОУ.

ПС может применяться в качестве модулятора. Рассмотрим основные принципы построения модуляторов и демодуляторов.

Балансный модулятор может иметь высокую линейность лишь по одному (модуляционному) входу. Второй вход (вход несущей) может запитываться переменным напряжением с постоянной амплитудой, причем уровень несущей может быть достаточно большим и вырождаться в функцию коммутации SН(t) (рис. 1,а).

Физически Это означает, что активные элементы модулятора при высоком уровне входного сигнала превращаются в синхронные ключи, при этом модулирующий сигнал UM(t) (рис. 1,б) эффективно коммутируется с частотой несущей SН(t), образуя выходной сигнал в виде (рис. 1,в)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторовТеоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (1)

где К – коэффициент пропорциональности.

Рис. 1. Диаграммы, поясняющие работу БМ при воздействии функции коммутации

Таким образом, при использовании БМ в режиме сильных сигналов один из сигналов (несущая) представляет собой симметричную прямоугольную волну единичной амплитуды SН(t) (рис. 1, а) первая гармоника которой Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов является полезной, а другие – нежелательны.

Используя разложение Фурье, несущую SН(t) можно представить в виде суммы членов бесконечного гармонического ряда с частотами кратными Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов,

где коэффициенты Фурье вычисляются по формуле

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов.

Для подавления гармонических составляющих ФНЧ с частотой среза немного выше Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (рис. 2). В этом случае для первой гармоники выходного напряжения (1) можно записать

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (2)

где К – коэффициент, учитывающий произведение масштабных коэффициентов передачи ПС и ФНЧ на частоте первой гармонической; UН – напряжение колебания ограниченной несущей.


Рис. 2. Схема БМ


Если на модулирующий вход подать сигнал с постоянной составляющей

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (3)

где U0 – напряжение постоянной составляющей; UM и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - амплитуда и частота модулирующего напряжения; m=UM/U0, то на выходе ФНЧ БМ в соответствием с выражением (2) будет получен АМ сигнал

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (4)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - уровень несущей АМ сигнала.

При использовании БМ в режиме фазового детектирования (рис. 3) на входы ПС подают напряжения одной и той же частоты, но со сдвигом фаз на угол Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. Пусть один из сигналов будет Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, а второй Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, тогда на выходе БМ получим

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (5)


Рис. 3. Фазовый демодулятор


Если с помощью ФНЧ отфильтровать составляющую с удвоенной частотой, то на выходе ФД получим постоянное напряжение, пропорциональное косинусу угла Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (6)

В случае необходимости с помощью полосового фильтра, как следует из выражения (5), можно получить удвоение частоты.

Возможность определения с помощью БМ фазового сдвига между напряжениями может быть использована для построения частотных демодуляторов ЧМ сигнала. Структурная схема частотного демодулятора (рис.4) включает широкополосный ограничитель 1, устраняющий возможное изменение амплитуды ЧМ сигнала и формирующий высокий уровень сигнала коммутации S1(t), полосовой фазосдвигающий фильтр 2, настроенный на частоту несущей (среднюю частоту) ЧМ сигнала, а также БМ 3 и ФНЧ 4.


Рис. 4. Частотный демодулятор


Полосовой фильтр (рис. 5) формирует второй сигнал S2(t), управляющий БМ. При высокой добротности фильтра фазовый сдвиг Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, вызываемый девиацией частоты Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов вблизи несущей Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, может быть записан в следующем виде

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов,

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторовгде Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов.


Рис. 5. Фазосдвигающий фильтр


Отфильтрованный ФНЧ сигнал оказывается пропорциональным девиации частоты входного сигнала

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов,

где К – коэффициент преобразования частотного демодулятора; UЧМ – входное напряжение ЧМ сигнала.

Реализация ПС в виде амплитудного модулятора на основе операционных усилителей и изменении проводимости полевого транзистора показана на рис.6. Здесь в качестве управляемого параметра используется проводимость канала ПТ, характеристика которой в режиме управляемого сопротивления аппроксимируется выражением

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (7)

Рис. 6. Амплитудный модулятор на основе ПТ и ОУ


Пусть на один вход (в цепь стока ПТ) подается относительно высокочастотный (несущий) сигнал UC1(t), а на второй вход (в цепь затвора ПТ) посредством инвертирующего сумматора на ОУ2 с единичным коэффициентом передачи – низкочастотный (модулирующий) UC2(t) и постоянная составляющая напряжения U0

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов; (8)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов; (9)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (10)

где Um1, Um2 и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - амплитуды и частоты соответственно несущего и модулирующего сигналов.

Принимая во внимание (7)…(10) и учитывая, что между затвором и истоком ПТ действует напряжение Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, для выходного напряжения амплитудного модулятора в соответствии с формулой Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов можно записать

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (11)

или

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (12)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов,

где Um0 и m – амплитуда несущей и глубина модуляции получаемого АМ колебания;

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (13)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (14)

Для исследования спектрального состава АМ колебаний формулу (12) целесообразно заменить выражением (4), содержащим всего лищь три составляющих. Реально спектр (рис. 7) АМ сигнала модулятора помимо трех основных частот (4) содержит ряд других составляющих, отстоящих от несущей на величину, кратную частоте Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов модулирующего сигнала, что связано в основном с нелинейностью характеристики (7) ПТ.


Рис. 7. Спектр выходного сигнала амплитудного модулятора

Микроэлектронные формирователи и преобразователи

измерительных сигналов


Формирование синусоидальных высокочастотных сигналов с

повышенной стабильностью амплитуды и линейностью характеристики управления по частоте


Наиболее распространенным методом формирования синусоидальных сигналов на повышенных частотах является метод, основанный на компенсации активных потерь в резонансном LC-контуре отрицательным сопротивлением, реализуемым с помощью, например, линейных усилителей с ПОС, КОС, электронных приборов с падающей вольтамперной характеристикой и т.д. На относительно низких частотах предпочтение отдается RC-генераторам, например, на основе моста Вина, так как на этих частотах для LC-генераторов требуются большие номиналы индуктивностей и емкостей, что для МЭУ нежелательно.

Получаемые таким или другим способом колебания оказываются недостаточно стабильными по амплитуде и по частоте, в особенности при их управлении. При этом характеристики управления, как правило, являются нелинейными, что определяет целесообразность их линеаризации и стабилизации.

Основополагающим методом решения данной проблемы является разработанный нами метод линеаризации и термостабилизации характеристик нелинейных элементов [4,7], изложенный в работах [1,2].

Применительно к управлению формируемых колебаний данный метод отличается лишь реализацией образцового преобразователя “параметр - напряжение”, который в данном случае должен быть преобразователем частоты в напряжение (ПЧН) при линеаризации характеристики управления по частоте и широкополосным амплитудным демодулятором (АД) (выпрямителем) при стабилизации амплитуды колебаний.

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторовВ соответствии с изложенным структурная схема управляемого автогенератора (рис.8) содержит собственно автогенератор 1, подсистему стабилизации амплитуды, включающую широкополосный АД 2, ИОН 3, сумматор 4 и сравнивающее устройство 5, а также подсистему линеаризации характеристики управления по частоте, включающую ПЧН 6, источник 7 управляющего напряжения, сумматор 8 и сравнивающее устройство 9. При необходимости управляемый автогенератор может быть дополнен генератором 10 модулирующего сигнала, с помощью которого посредством переключателя 11 может быть осуществлена амплитудная модуляция (АМ) (нижнее положение) или частотная модуляция (ЧМ) (верхнее положение) формируемого сигнала.


Рис. 8. Структурная схема управляемого по частоте и амплитуде

автогенератора


Принцип действия подсистем регулирования основан на сравнении преобразуемых сигналов, пропорциональных амплитуде и частоте, с опорными напряжениями Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов источников 3 и 7 соответственно с образованием разностных сигналов, которые после усиления в сравнивающих устройствах 5 и 9 изменяют состояние автогенератора 1 так, что его амплитуда и частота остаются неизменными. При изменении управляющего напряжения Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов в контуре регулирования частоты и опорного напряжения Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов в контуре регулирования амплитуды соответствующим образом подстраиваются амплитуда и частота колебаний автогенератора. Одновременно возможно получение ЧМ и АМ колебаний, если к установленным напряжениям Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов добавить с помощью переключателя 11 и сумматоров 4 и 8 соответствующий уровень модулирующего напряжения Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов от генератора 10.

В связи с тем что амплитуда регулирующих сигналов МЭУ, как правило, не превышает Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов10 В, в качестве сравнивающих устройств 5 и 9 подходят стандартные ОУ без обратной связи или с ООС определенного вида для улучшения динамических свойств регулирования с возможно большим коэффициентом передачи Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов на постоянном токе, так как ошибка в стабилизации соответствующих параметров тем ниже, чем выше этот коэффициент [2].


2.2. Теоретические основы управляемых автогенераторов


Эквивалентная схема замещения автогенератора (рис. 9) включает колебательный контур, представленный в виде двух противоположных по знаку реактивных сопротивлений Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов с волновым сопротивлением

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (15)

эквивалентную активную составляющую проводимости

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (16)

широкополосный усилитель с комплексным коэффициентом передачи Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и управляемую полную проводимость Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. При этом реактивные составляющие входного сопротивления усилителя и монтажа схемы скомпенсированы на рабочей (резонансной) частоте Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов соответствующими реактивностями колебательного контура. Знак “-” перед реактивным сопротивлением соответствует емкости C, а знак “+” – индуктивности L колебательного контура. Активные составляющие колебательного контура Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и входа усилителя Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов представлены в параллельной схеме замещения. Выходная проводимость усилителя удовлетворяет условию

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторовТеоретические основы построения модуляторов и демодуляторов.Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (17)


Рис. 9. Эквивалентная схема замещения управляемого генератора


При полной компенсации активных составляющих возникает генерация сигнала и, следовательно, выполняется баланс активных мощностей в колебательном контуре [8]:

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (18)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - модули токов и напряжения, соответствующие комплексным Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, представленным на рис. 9; Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - угол сдвига фаз между током Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и напряжением Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов в цепи ПОС.

Система уравнений, описывающая схему, представленную на (рис.9), и позволяющая определить величины, входящие в (18), имеет вид

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов,

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (19)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов .

Решая систему (19), получаем

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (20)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (21)

Так как схема предназначена для компенсации только активной составляющей проводимости, целесообразно в качестве регулирующих использовать элементы с чисто активным, емкостным или индуктивным характером проводимости Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов.

Рассмотрим возможность использования в качестве Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов активной проводимости Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, реализуемой на основе ПТ. При соблюдении условия (17)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (22)

На основании (20)-(22) определяем величины, входящие в (18):

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (23)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (24)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (25)

где

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (26)

Подставляя (23)-(26) в (18) и учитывая (16), находим реализуемую отрицательную активную проводимость, компенсирующую проводимость колебательного контура

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (27)

При условиях Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, легко выполнимых на практике, выражение (27) упрощается

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (28)

Погрешность, допускаемую при данных ограничениях, оценим на основании сравнения соотношений (27) и (28)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (29)

Если предположить, что в рабочем диапазоне частот усилитель не будет иметь фазового сдвига (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов), то выражение (29) упрощается

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (30)

При неограниченном уменьшении входной проводимости усилителя по сравнению с проводимостью колебательного контура (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов) погрешность (30) реализации отрицательной активной проводимости

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (31)

и схема (см. рис.9) позволяет получить высокую линейность компенсации проводимостей резонансного контура в широком диапазоне изменения его активной составляющей, связанной как с перестройкой по частоте Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (15), так и с изменением основных параметров (L,C).

При использовании управляемой проводимости (8.260) в виде емкости (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов) реализуемая отрицательная активная составляющая проводимости по аналогии с (28)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (32)

Для реализации схемой (см. рис.9) отрицательной проводимости необходимо в (32) обеспечить Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов.

Проведенный анализ для случая Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов показал, что схема, представленная на рис. 9, ведет себя так же, как и при Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (32). Однако при реализации этого варианта в интегральном исполнении имеются трудности, связанные с проблемой индуктивности в микроэлектронике [1].


3. Прецизионный амплитудный модулятор


Совмещение функций генерирования и модуляции по амплитуде или частоте колебаний в автогенераторе нецелесообразно, так как это приводит к неконтролируемому повышению нестабильности частоты, которую стремятся уменьшать всевозможными средствами, включая термостатирование автогенератора. В связи с этим данные операции разделяют, оставляя функцию генерирования колебаний в автогенераторе, а функцию модуляции колебаний осуществляют с помощью отдельных амплитудных или частотных модуляторов, что определяет необходимость совершенствования их схемотехники.

Построение амплитудных модуляторов, работающих на относительно низких и средних частотах c использованием ПТ и ОУ, а также перемножителей сигналов, рассмотрено в работах [1,3].

Широкополосный амплитудный модулятор, способный работать на высоких (сотни мегагерц) частотах, может быть реализован на основе схемы ШУН (рис. 10) с симметричным выходом и управлением высокочастотного (несущего) сигнала Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов путем изменения тока Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов ГСТ под влиянием низкочастотного (модулирующего) сигнала Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, так как коэффициент передачи ДУ линейно связан с величиной этого тока.

Для изменяющегося во времени тока ГСТ Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов амплитудного модулятора, представленного на рис.10, в котором модулирующий сигнал Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов подается в его токозадающую цепь через повторитель сигнала на ОУ1, можно записать:

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (33)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - напряжение питания отрицательной полярности, напряжение база-эмиттер БТ Т3 и постоянная составляющая тока ГСТ

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (34)

Выходное симметричное напряжение модулятора с учетом (33)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (35)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - изменяющаяся во времени t крутизна БТ дифференциальной пары Т1, Т2.

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов


Рис. 10. Прецизионный амплитудный модулятор


При входных синусоидальных сигналах

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (36)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (37)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - амплитуды и частоты соответственно несущего и модулирующего сигналов,

выходное напряжение (35) модулятора приобретает вид амплитудно-модулированного колебания

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (38)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и m – амплитуда несущей и глубина модуляции с учетом (34) сигнала с АМ,

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (39)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (40)

Как следует из формулы (39), коэффициент передачи по несущей

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (41)

соответствует коэффициенту передачи ДУ, амплитуда неискаженного выходного сигнала которого не может превышать удвоенного значения падения напряжения на резисторе нагрузки Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов в режиме покоя. Следовательно, максимальный уровень несущей на симметричном выходе модулятора должен удовлетворять условию

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (42)

при этом уровень входного сигнала (36) может быть не выше удвоенного температурного потенциала

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (43)

Амплитуда модулирующего сигнала (37) при непревышении стопроцентной глубины модуляции (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов), как видно из формулы (40), должна быть на напряжение база-эмиттер третьего транзистора меньше напряжения источника питания отрицательной полярности

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (44)

Амплитуду сигнала (44) можно получить на выходе повторителя сигнала (рис.10) при тех же питающих напряжениях ОУ1, что и модулятора в целом. Если требуемый ток Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов превышает допустимый выходной ток используемого ОУ1, то целесообразно в токозадающей цепи ГСТ ток уменьшить, выбрав номиналы резисторов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов из соотношения Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, и рассчитать номинал резистора Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, исходя из формулы (34),

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (45)

Сопротивление нагрузки модулятора следует выбирать исходя из частоты среза Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, а не Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, как в широкополосном демодуляторе, с учетом коэффициента сужения полосы пропускания за счет емкостей, шунтирующих нагрузочное сопротивление Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. Это связано с тем, что в модуляторе использовать сопротивление в цепи эмиттеров транзисторов дифференциальной пары Т1 и Т2 не рекомендуется, так как при этом возникают нелинейные искажения огибающей.

Действительно, при введении резисторов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов в цепь эмиттеров БТ Т1 и Т2 крутизна при условии Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов становится независимой от тока Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов:

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (46)

а производная от (46)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов

является обратной функцией квадрата модулирующего тока Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (33), т.е. нелинейной функцией для сигнала модуляции (37).

Снимать непосредственно сигналы с несимметричных выходов модулятора нельзя, так как на каждом из этих выходов присутствует синфазный сигнал, образуемый при изменении тока ГСТ на каждом из сопротивлений нагрузки Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, который, накладываясь на дифференциальный сигнал, искажает закон модуляции. При съеме полезного сигнала с симметричного выхода сигналы Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, вычитаясь между собой, не проявляются и, следовательно, не нарушают закона модуляции.

Для получения возможности съема полезного сигнала с одного выхода (лучше со второго, так как БТ Т2 включен по схеме с ОБ, при этом сопротивление нагрузки в Т1 должно быть закорочено с целью получения включения с ОК) относительно общей точки необходим специальный каскад сдвига уровня, который позволил бы, исключив влияние синфазного сигнала, восстановить прежний закон модуляции и сформировать несущую без постоянной составляющей. В связи с этим основная схема модулятора (рис. 10) дополнена каскадом сдвига уровня на БТ Т5 с управляемым ГСТ на транзисторах Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и ОУ2.

Условие компенсации постоянной составляющей, включая синфазную, на выходе модулятора Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов сводится к условию

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0, (47)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов- напряжение база-эмиттер БТ Т5 и ток дополнительного ГСТ, который по форме записи соответствует (33), так как схема данного ГСТ идентична схеме основного ГСТ (рис. 10).

С учетом отмеченного и формулы (33) условие (47) приобретает вид

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0, (48)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов- постоянная состовляющая тока, требуемое переменное напряжение компенсации и напряжение база-эмиттер БТ Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов дополнительного ГСТ;Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов- сопротивление компенсирующего резистора.

Условие компенсации (48) в статическом режиме (при отсутствии модуляции Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0

позволяет определить требуемый номинал компенсирующего резистора

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (49)

Условие компенсации (48) в динамическом режиме (при наличии модуляции)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторовТеоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0

позволяет определить требуемый уровень переменного напряжения компенсации

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (50)

Для упрощения практической реализации модулятора необходимо соблюдать равенство напряжений Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, которое выполнимо при одинаковых токах транзисторов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Т3. Тогда целесообразно принять одинаковыми и токи Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, т. е. необходимо иметь два ГСТ с идентичными параметрами, что осуществимо в едином интегральном технологическом цикле.

При идентичных параметрах ГСТ Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов соотношения (49) и (50) упрощаются

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (51)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (52)

Уравнение (52) позволяет синтезировать управляющее дополнительным ГСТ устройство, которое должно быть инвертирующим устройством на ОУ2 c коэффициентом передачи

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (53)

Номиналы резисторов цепи ООС Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторовпри низкоомных резисторах Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов могут быть пропорционально увеличены, чтобы заметно не нагружать ОУ1 и ОУ2, с сохранением соотношения (53).

Коэффициент передачи каскада сдвига уровня на транзисторе Т5

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (54)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов- внутреннее сопротивление второго (компенсирующего) ГСТ

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов; (55)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов- параллельное соединение резисторов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и коэффициент передачи тока БТ Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов.

Результирующий коэффициент передачи по несущей амплитудного модулятора (41) и (54)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (56)

Входные сопротивления по входу несущей модулятора без учета сопротивления в цепи базы транзистора Т1, которое при подключенном источнике сигнала Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов может отсутствовать, относительно невелико. Оно такое, как у простого ДУ:

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (57)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов- коэффициент передачи тока БТ Т1, Т2, что требует применения источника сигнала Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов с малым внутренним сопротивлением.

Входное сопротивление модулятора по модуляционному входу исключительно велико, оно определяется входным дифференциальным сопротивлением Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и коэффициентом передачи Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов используемого ОУ1

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (58)

В связи с этим модуляционный вход модулятора целесообразно экранировать, соединив оплетку кабеля с выходом ОУ1, как показано на рис.10.

Выходное сопротивление модулятора

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (59)

относительно велико, и это определяет необходимость использования высокоомной нагрузки.

Так как транзисторы дифференциальной пары Т1 и Т2 включены по схеме ОК-ОБ и нагрузкой ее является БТ Т5, включенный по схеме ОК, то в формировании частоты среза Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов модулятора участвует частота среза по параметру крутизны Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов транзистора Т2 и частота среза ФНЧ нагрузки Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, которые принимаются равными (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторовТеоретические основы построения модуляторов и демодуляторовТеоретические основы построения модуляторов и демодуляторов). С учетом коэффициента сужения полосы пропускания Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, в данном случае n=2 и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, сопротивление нагрузки

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (60)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов- выходная емкость ФНЧ нагрузки, состоящая из емкостей коллектор- база Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов транзисторов Т2 и Т5 и монтажной емкости Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов;

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (61)

В связи с этим требуемая частота единичного усиления транзисторов Т1 и Т2

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. (62)

Расчет амплитудного модулятора следует начинать с определения сопротивления нагрузки (60) и задания требований к транзисторам дифференциальной пары Т1, Т2 и режима их работы с целью обеспечения заданного частотного диапазона. При емкостях Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов2 пФ и емкости монтажа Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов1 пФ емкость (61) Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов5 пФ и для частоты среза модулятора Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов 200 МГц сопротивление нагрузки (50) составит Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов100 Ом, а требуемая частота единичного усиления (62) транзисторов Т1, Т2 при Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов5 Ом и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов10 мА должна быть Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов300 МГц.

Желательно чтобы остальные транзисторы схемы модулятора были однотипными с Т1 и Т2, но они работают с цепями ООС, и их частоты единичного усиления могут быть несколько меньшими, несмотря на удвоенное значение их рабочего тока.

Так как к модулятору, как правило, не предъявляется высоких требований в части коэффициента усиления несущей (56), то даже при такой низкоомной нагрузке ток ГСТ (34) может быть выбран не очень большой величины (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов20 мА), чтобы использовать стандартные ОУ1 и ОУ2, например, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов10 мА.

После этого расчет производят в соответствии с формулами, описывающими работу модулятора, включая оценку входных и выходных его параметров (57) - (59), выбор соответствующего ОУ и определение номиналов резисторов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов,Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (53) ОУ2, c учетом того что верхняя частота модулирующего сигнала (37), как правило, не превышает верхней частоты звукового диапазона Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов20 кГц.

При первичной отладке амплитудного модулятора необходимо в отсутствие входных сигналов (36) и (37) как можно точнее получить нулевой уровень постоянной составляющей выходного напряжения Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов путем более точной, например лазерной, подгонки номинала компенсирующего резистора Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (рис. 10). Затем, установив уровень модулирующего сигнала Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, соответствующий предельной глубине модуляции (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов1) (40), путем подстройки номинала резистора Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов следует зафиксировать отсутствие данного сигнала на выходе модулятора. После этого при калиброванных входных сигналах Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов модулятор может быть использован как прецизионное средство получения сигналов с АМ в широком диапазоне частот.

4. Линейный частотный модулятор


ЧМ, так же как и АМ, может быть осуществлена в отдельном от автогенератора модуляторе. Это актуально для ряда радиотехнических систем, в том числе и измерительных [9], требующих двух синхронизированных сигналов, один из которых представляет собой немодулированное колебание, а другой – колебание с ЧМ или АМ.

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторовЛинейный частотный модулятор (рис.11), реализованный на основе фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) [1], удовлетворяет таким требованиям. В состав системы ФАПЧ входят управляемый по частоте генератор 1, ФИ 2, цифровой частотно-фазовый демодулятор (ЦЧФД) 3, ДУ 4, сумматор 5 и сравнивающее устройство 6. Для осуществления линеаризации характеристики управления по частоте генератора введены

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов


ПЧН 7 и ФНЧ 8.


К второму входу ЦЧФД посредством ФИ 9 подводится сигнал от внешнего высокочастотного генератора несущей частоты с напряжением Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. На второй вход сумматора подается модулирующий сигнал от внешнего низкочастотного генератора с напряжением Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. В связи с тем, что частотный диапазон работы ЦЧФД ограничен, но имеется необходимость получения сигналов с рабочей частотой, превышающей предельную частоту функционирования ЦЧФД, в состав линейного частотного модулятора могут быть введены делители частоты 10, 11.

При отсутствии одного из делителей 10 или 11 частота Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов напряжения на выходе управляемого генератора может быть ниже или выше частоты несущей Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов внешнего генератора:

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (63)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - девиация частоты генератора 1 и коэффициенты деления делителей частоты 10, 11 соответственно.

Для исключения влияния ЧМ на работу систем регулирования частоты среза Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов ФНЧ в ЦЧФД и ФНЧ должны быть существенно ниже частоты Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов).

Линейность ЧМ в рассматриваемом модуляторе определяется линейностью характеристики ПЧН, входящего в состав системы линеаризации характеристики управления генератора, действующей по принципу, изложенному в подразд. 2.1, т.е. при определенном коэффициенте передачи сравнивающего устройства достигается привязка характеристики управляемого по частоте генератора к характеристике ПЧН 7. В соответствии с этим и ЧМ в модуляторе (рис.11), реализуемая под влиянием напряжения Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов внешнего модулирующего сигнала, происходит по линейному закону.

Синхронизация несущей частоты (63) управляемого генератора с частотой внешнего генератора производится посредством системы ФАПЧ, принцип действия которой достаточно полно изложен в работе [1].

При несовпадении частот, действующих на входах ЦЧФД, на выходе последнего образуется разность напряжений соответствующей полярности, которая после усиления в ДУ, сумматоре и сравнивающем устройстве воздействует на управляемый генератор так, что его частота совпадает с частотой сигнала Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов внешнего генератора. Более того, из-за достаточно большого коэффициента передачи в цепи регулирования системы ФАПЧ разность фаз между сигналами, действующих на входах ЦЧФД, устанавливается близкой к нулю и всякое изменение частоты внешнего генератора сопровождается подстройкой частоты управляемого генератора так, что эта разность фаз приобретает определенное значение. Таким образом, частоты внешнего генератора и управляемого генератора совпадает с точностью до фазы независимо от состояния первого генератора.

Зная характеристику управления генератора с учетом коэффициента передачи сумматора, который может быть реализован на основе инвертирующей ОС, можно определить требуемый уровень модулирующего напряжения Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов для достижения необходимой девиации частоты Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов выходного сигнала и минимальную модулирующую частоту Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов при соответствующем индексе модуляции, например, Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов.

Характерной особенностью частотного модулятора является то, что при линейной характеристике управляемого генератора и постоянном уровне модулирующего напряжения девиация частоты Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов остается неизменной при перестройке частоты внешнего генератора и, следовательно, частоты генератора.

Практическая реализация всех функциональных блоков, входящих в линейный модулятор (см. рис.11), за исключением ЦЧФД и делителей частоты 10 и 11, которые в простейшем варианте могут быть осуществлены на основе последовательного соединения Т - триггеров, изложена выше. ЦЧФД является наиболее ответственным функциональным блоком, и его принципы построения необходимо рассмотреть отдельно.


5. Цифровой частотно-фазовый демодулятор


Аналоговый фазовый демодулятор (ФД), используемый в системе ФАПЧ [1], обладает существенным недостатком - ограниченной полосой захвата, т.е. система ФАПЧ не работает при первоначальном частотном сдвиге определенной величины, так как данный ФД не формирует управляющего напряжения в правильном направлении. В отличие от аналогового ЦЧФД, представленный на рис.12, при любом фазовом сдвиге вырабатывает сигнал с правильным знаком расстройки сравниваемых частот.

Принцип действия ЦЧФД, содержащего два Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов-триггера D1, D2 и элемент И-НЕ D3, осуществляющий задержку распространения информации, основан на преобразовании сдвига фаз входных импульсных сигналов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (рис.13, а, б) в длительность импульсов на инверсных выходах Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов-триггеров Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (рис. 13, в, г).

В исходном состоянии триггеры D1 и D2 формируют единичные сигналы и на их инверсных выходах присутствуют низкие потенциалы (см. рис.13,в,г). С приходом первого импульса из последовательности импульсов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (см.рис.13,а) на синхронизирующий вход первый триггер D1 устанавливается в нулевое состояние (см. рис. 13, в), так как его D-вход соединен с общей шиной. При поступлении первого импульса из последовательности импульсов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (см. рис. 13, б) на синхронизирующий вход второй триггер D2 также переходит в нулевое состояние (см. рис. 13, г).

Высокие потенциалы с инверсных выходов D-триггеров инвертируются в элементе И-НЕ D3 и нулевой потенциал с его выхода устанавливает D-триггеры в исходное состояние.

Длительность импульсов на инверсном выходе первого D-триггера D1 (см. рис. 13, в) зависит от сдвига фаз между сигналами Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, а длительность импульсов на инверсном выходе второго D-триггера D2 определяется задержкой сигнала в используемых ИС и составляет сотые доли микросекунды (короткие импульсы на рис. 13, г).

Такое соотношение между длительностями импульсов на выходах D-триггеров наблюдается при частотах входных сигналов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. В случае Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов все происходит наоборот (см. рис. 13, в, г).

При Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов длительность импульсов на инверсных выходах Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов-триггеров D1 и D2 постоянна и зависит от сдвига фаз Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов входных сигналов, причем если

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0, то импульсы, пропорциональные сдвигу фаз, присутствуют на выходе первого D-триггера, а если Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов - то на выходе второго D-триггера.

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, выделяя постоянную составляющую импульсов, действующих на выходах Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов-триггеров, формируют фазовую характеристику ЦЧФД (рис. 14)

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, (64)

где Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов и Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов- амплитуда и период анализируемых сигналов.

Временной сдвиг Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (64) пропорционален фазе Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов в пределах Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, и это определяет линейную область изменения фазы Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов. Выходное напряжение ЦЧФД за пределами данной области в точках а и б скачкообразно уменьшается от Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов до Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0 (рис. 13, е, ж), а затем изменяется с сохранением первоначального направления. В связи с этим фазовая характеристика ЦЧФД (см. рис. 14) приобретает пилообразный вид.

Данная характеристика принципиально отличается от характеристики аналогового ФД Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов тем, что выходное напряжение (64) при Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0 всегда положительно, а при Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0 - всегда отрицательно. Этим и объясняется частотная чувствительность ЦЧФД (рис. 15).

Если, например, частота одного сигнала Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов больше частоты Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов второго сигнала Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, то фазовый сдвиг возрастает пропорционально времени всегда в положительном направлении. При этом пилообразное напряжение приобретает среднее значение (Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0). При обратном соотношении частот Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов0 (см. рис. 15). По данной причине система ФАПЧ с ЦЧФД имеет полосу захвата теоретически бесконечно большую, а на практике ограничивается диапазоном перестройки по частоте используемого управляемого генератора.

Таким образом, рассмотренный ЦЧФД (см. рис. 12) выполняет роль частотного демодулятора (компаратора) при частотах Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (см. рис. 15) и роль ФД при совпадении анализируемых частот Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов (см. рис. 14).

Номиналы выходных ФНЧ ЦЧФД (см. рис. 12) рассчитывают, исходя из частот среза Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов, которые должны быть намного меньше частоты модуляции Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов:

Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов.

Частотный диапазон работы ЦЧФД определяется предельной частотой функционирования используемых D-триггеров и элемента И-НЕ. При реализации ЦЧФД на основе стандартных ИС 1554-й серии, в состав которой входят двойной D-триггер (1554ТМ2) и 4 элемента И-НЕ (1554ЛА3), рабочий диапазон частот может быть получен до 100 МГц.


ЗАКЛЮЧЕНИЕ


За последнее время существенно повысился технический уровень электронной техники. Интегральная микросхемотехника в своем развитии достигла высокого уровня. Быстрое развитие требует создания все более точного и сложного автоматизированного технологического оборудования. Однако, вместе с этим мы получаем возможность создания более сложных и совершенных устройств с лучшими характеристиками и параметрами, уменьшение их габаритов.

В процессе выполнения данной курсовой работы мы ознакомились с общими принципами построения таких узлов радиоприемных устройств как различные виды модуляторов, изучили основные методы их проектирова­ния с использованием микросхемотехники. Получили практические навыки проектирования, расчета и моделирования узлов радиоприемника с использо­ванием ПЭВМ.

Исследованию подлежали: линейный частотный модулятор, цифровой частотно-фазовый демодулятор и прецизионный амплитудный модулятор. Разработанные схемы устройств работают в широком диапазоне частот 100-250 МГц с диапазоном управляющих напряжений 0-10 В.


СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ


С в и р и д В.Л. Микросхемотехника аналоговых электронных устройств: Учеб. Пособие для радиотехн. спец. вузов. – Дизайн ПРО, 1998. – 256с.

С в и р и д В.Л. Проектирование микроэлектронных устройств: Учеб. Пособие по курсу “Микросхемотехника”: В 4 ч. Ч.2: Методология, основы метрологии, проектирование и расчет электронно-управляемых образцовых проводимостей. – Мн.: БГУИР, 1994. – 76 с.

А.с. 1132258 СССР, МКИ3 G 01 R 27/26. Устройство для автоматического измерения параметров нелинейных элементов / В.Л. Свирид. – Заявл. 02.08.83; Опубл. 30.12.84, Бюл. N 48. – 17 с.

С в и р и д В.Л. Экспериментальная микросхемотехника: Лаб. Практикум по курсу “Микросхемотехника ”: В 3 ч. Ч. 1: Исследование дифференциальных и операционных усилителей. – Мн.: БГУИР, 1995. – 61 с.

С в и р и д В.Л. Электронно-управляемые фазовращатели // Новые информационные технологии в науке и производстве: Материалы международ. науч.-техн. конф. – Мн.: БГУИР, 1998. – С. 189-192.

С в и р и д В.Л. Прецизионные источники опорного напряжения на основе полевых транзисторов // Радиотехника и электроника. – Мн.: ЗАО “Юникап”, 1999. – Вып. 24. – С.150-156.

С в и р и д В.Л. Метод линеаризации и термостабилизации характеристик нелинейных элементов // Радиотехника – М.: ВНТОРЭиС им. А.С. Попова, 1991. – N11. – С. 56 – 58.

С в и р и д В.Л. Измерение полных проводимостей при неблагоприятных соотношениях составляющих // Радиотехника и электроника. – Мн.: Выш. шк., 1975. – Вып. 4. – С. 98 – 104.

Пат. 2020616 РФ, МКИ5 G 01 С 27/00. Аналоговое запоминающее устройство / В.Л. Свирид. – Заявл. 25.02.91; Опубл. 30.09.94, Бюл. N 18. - 7 с.

Похожие работы:

  1. • Квадратурная амплитудная модуляция
  2. • Связной радиопередатчик с частотной модуляцией
  3. • Система передавання неперервних повідомлень із ...
  4. • Проектирование аппаратуры передачи данных
  5. • Разработка микропроцессорной системы на базе ...
  6. • Разработка и исследование модели отражателя-модулятора ...
  7. • Информационные сети и телекоммуникации
  8. • Многоканальные системы электросвязи
  9. • Блоки бесперебойного питания
  10. • Модемы, их типы и устройство
  11. • Конструирование радиорелейной линии
  12. • Генераторы, шифраторы, дешифраторы диспетчерской ...
  13. • Модуляция и демодуляция
  14. • Технология работы рН-метра со стеклянным электродом
  15. • Спутниковые мультисервисные системы и цифровые РРЛ
  16. • Электронные вольтметры
  17. • Радиотелеметрическая система с частотным разделением ...
  18. • Технические средства передачи информации
  19. • Многоканальная связь на железнодорожном транспорте
Рефетека ру refoteka@gmail.com