Рефетека.ру / Физика

Лабораторная работа: Кристаллографические символы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА


КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ СИМВОЛЫ


Цель работы: 1) Знакомство с системой обозначения граней и направлений;

2) Определение индексов граней и ребер кристаллов;

3) Решение некоторых типичных кристаллографических задач с использованием условия зональности.


Важнейшее значение в кристаллографии имеет вопрос об аналитической записи взаимного расположения граней и ребер кристалла в пространстве. С этой целью применяют кристаллографические символы, определяющие положение любой грани и ребра кристалла относительно принятых координатных осей.

Символы граней

Положение грани кристалла можно описать с помощью трех отрезков, отсекаемых этой гранью на координатных осях. Кристаллографическую систему характеризуют геометрические константы кристалл: осевые углы (a, b, g) и осевые единицы (a0, b0, c0). Осевыми единицами называют отрезки a0, b0, c0 , отсекаемые единичной гранью на координатных осях x,y,z соответственно. В соответствии с симметрией кристалла масштаб измерения отрезков, отсекаемых гранью на осях, определяется для каждой сингонии соотношением между осевыми единицами (табл. 1).

Таблица 1.

Сингония

Угловые соотношения

Осевые единицы

Кубическая

a=b=g=90°

a0=b0=c0

Тетрагональная

a=b=g=90°

a0=b0c0

Ромбическая

a=b=g=90°

a0b0c0

Моноклинная

a=g=90°№b

a0b0c0

Триклинная

a№b№g№90°

a0b0c0

Гексагональная

a=b=90°, g=120°

a0=b0c0


В методе параметров (метод Вейса) для определения грани используется тройка безразмерных векторов a, b, c, соответствующих отрезкам, отсекаемым гранью на координатных осях и измеренных с помощью осевых единиц a0, b0, c0 (рис. 1) a=OA/a0, b=OB/b0, c=OC/c0.

Для выбора масштаба измерения, после установки кристалла, среди его наиболее развитых граней находят такую, которая пересекает все три оси. Отрезки, отсекаемые такой гранью кристалла, принимают за единичные, а саму грань - за единичную. Её параметры: (1:1:1). Чтобы определить параметры любой другой грани кристалла, необходимо найти соотношение отрезков, отсекаемых ею на координатных осях и отнесенных к соответствующим единичным отрезкам a0, b0, c0.

Такое обозначение граней с помощью параметров имеет один существенный недостаток: неудобство обозначения граней, параллельных координатным осям. Например, грань, параллельная плоскости XOY, запишется как (Ґ:Ґ:1), поскольку такая грань пересекает лишь ось Z. Между тем, грани параллельные координатным осям, представляют для кристаллографии особый интерес.

В методе индексов (метод Миллера) положение любой грани кристаллов в трехосной системе координат определяется тройкой целых, как правило, небольших, взаимно-простых чисел – индексов h, k, l, представляющих собой отношение обратных величин параметров. Тогда грань, параллельная плоскости XOY будет иметь индексы h:k:l=1/Ґ:1/Ґ:1/1=0:0:1. Индексы грани заключают в круглые скобки, не разделяя их друг от друга никакими знаками. Следовательно, рассмотренная выше грань имеет символ (001).

В кристаллографической практике метод индексов Миллера получил широкое распространение. Следует иметь в виду, что параллельные грани имеют один и тот же символ, соответствующий грани ближайшей к началу координат.

Благодаря высокой симметрии кубических кристаллов, их индицирование (определение индексов всех граней) осуществляется достаточно просто. Единичная грань кубического кристалла должна составлять с координатными осями равные углы и отсекать на них равные отрезки. Легко видеть, что такой гранью может быть выбрана грань октаэдра или тетраэдра, через которую проходит поворотная ось третьего порядка.


Символы ребер

Любое направление (ребро кристалла) в данной системе координат может быть задано: 1) двумя точками, лежащими на заданном направлении, не проходящим через начало координат; 2) одной точкой, если направление проходит через эту точку и начало координат.

Если осевые единицы единичной грани равны a0, b0, c0 , а точки А (x1, y1, z1) и В (x2, y2, z2) лежат на заданном направлении, то проекции отрезка АВ будут равны:

(AB)x=x2-x1, (AB)y=y2-y1, (AB)z=z2-z1.

Тогда символ направления [r s t] определится как

.

Таким образом, заданное направление определяется отношением трех проекций отрезка, лежащем на этом направлении, к соответствующим осевым единицам и выражается с помощью целых взаимно простых чисел r, s, t, записываемых в квадратных скобках [r s t]. В случае, когда заданное направление проходит через точку А [[000]] начала координат и точку В [[x y z]] можно записать.

Из приведенного выше правила определения символов ребер следует, что если данный отрезок АВ или данное направление перемещать в пространстве параллельно самому себе, то его символ не изменится.

Заданное направление может быть определено и с помощью углов a, b, g, которые оно образует с координатными осями x, y, z. Для отрезка АВ, лежащего на заданном направлении, можно записать:

.

В кубических кристаллах:

.

Несложные геометрические рассмотрения показывают, что для кубических кристаллов отношение направляющих косинусов нормали к грани (h k l) пропорционально отношению индексов:

,

отсюда:

.

Таким образом, при индицировании направлений в кубических кристаллах следует помнить, что символы направления и перпендикулярной ему грани обозначаются одинаковыми индексами. Например, направление [111] перпендикулярно грани (111), а направление [110] – грани (110).


Основные кристаллографические соотношения

  1. Угол между двумя направлениями.

Чтобы найти угол между двумя направлениями [r1, s1, t1], [r2, s2, t2] необходимо вспомнить одно из правил аналитической геометрии о нахождении скалярного произведения двух векторов .

.

Если .

(Здесь - тройка единичных векторов координатной системы), то для прямоугольной системы координат имеем:

,

.

Откуда

.


2) Угол между направлением и плоскостью

Учитывая, что для кубических кристаллов перпендикуляры к плоскостям (h k l) изображаются как [h k l], легко найти угол a между таким перпендикуляром и заданным направлением [r s t].

Исходный угол будет дополнительным к 90°, т.е. b=(90°-a) и определится как

.

3) Условие зональности.

Кристаллографической зоной называется совокупность граней кристалла, параллельных одному направлению, называемому осью зоны. Чтобы какая-либо плоскость (h k l) принадлежала зоне, ось которой [r s t] , необходимо, чтобы направление, параллельное оси зоны, лежало в этой плоскости. Следовательно, косинус угла a между перпендикуляром к заданной плоскости (h k l) и осью зоны [r s t] должен быть равен нулю. При этом условие зональности для кубических кристаллов может быть записано как

.

Используя условие зональности, легко определить символ ребра [r s t] , образованного двумя гранями (h1 k1 l1) и (h2 k2 l2) из совместного решения уравнений:

.

Решение данной системы уравнений можно представить в виде:

Рассмотренную задачу можно назвать нахождением символа зоны по символам граней кристалла.

Аналогичным образом решается задача о нахождении символа грани (h k l), в которой лежат два заданных направления [r1 s1 t1] и [r2 s2 t2]. В этом случае решение системы уравнений

Дает индексы искомой грани (h k l).

4) Межплоскостное расстояние и индексы плоскости.

При расчете рентгенограмм необходимо знать связь межплоскостного расстояния d с индексами (h k l) , отражающего семейства плоскостей. геометрическое рассмотрение для ортогональной системы координат дает следующие зависимости:

- для ромбической сингонии;

- для тетрагональной сингонии;

- для кубической сингонии.


План работы

  1. Произвести индицирование всех граней и ребер заданных кристаллов.

  2. Найти угол между двумя заданными направлениями в кристаллах кубической,. тетрагональной и ромбической сингоний при известных параметрах решетки.

  3. Определить угол между двумя заданными плоскостями, направлением и плоскостью в кубических кристаллах.

  4. Найти символ зоны по известным символам граней. Найти символ грани, в которой лежат два заданных направления.

  5. Определить межплоскостные расстояния для заданного семейства атомных плоскостей по известным параметрам решетки в ряде кристаллов разных сингоний.


Контрольные вопросы

  1. В чем сущность метода индексов?

  2. Какие индексы имеют параллельные грани и ребра кристалла?

  3. Как выбирается единичная грань в кубических кристаллах?

  4. В чем состоит особенность индицирования направлений в кубических кристаллах?

  5. Что физически собой представляет условие зональности?

Похожие работы:

  1. • Разнообразие кристаллографических форм
  2. • Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин
  3. • Измерение магнитострикции ферромагнетика с помощью ...
  4. • Измерение магнитострикции ферромагнетика
  5. • Минералогия и кристаллография в России
  6. • Технология изготовления кристаллов полупроводниковых ...
  7. • Структурный анализ системы
  8. • Основные вопросы, объясняющие материаловедение
  9. • Измерение магнитострикции ферромагнетика с помощью ...
  10. • Автономная эволюция минералов
  11. • Методы рентгеноструктурного анализа
  12. • Микроскопическое изучение оптических свойств кристаллов
  13. • Поиск структурно-химической информации в Internet
  14. • Полупроводниковые пластины и их параметры. Подготовка ...
  15. • Микроскопия вчера, сегодня, завтра
  16. • Исследование методов наблюдения доменов в тонких ...
  17. • Сверхпроводники
  18. • Полупроводниковые пластины. Методы их получения
  19. • Структура волокон поли-бис-трифторэтоксифосфазена
Рефетека ру refoteka@gmail.com