|Поз. | | | |
|Обозна-чен|Наименование |Кол. |Примечание |
|ие | | | |
| |Катушки индуктивности | | |
| | | | |
|L1 |Индуктивность 183.5мГн (5( |1 | |
|L2 |Индуктивность 199мГн (5( |1 | |
| | | | |
| |Конденсаторы | | |
| | | | |
|С1 |КД-2-1.56нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | |
| |ТУ | | |
|С2 |КД-2-261пФ (5( ОЖО.460.203 |1 | |
| |ТУ | | |
|С3 |КД-2-26.1нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | |
| |ТУ | | |
|С4 |КД-2-3.92нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | |
| |ТУ | | |
|С5 |КД-2-523пФ (5( ОЖО.460.203 |1 | |
| |ТУ | | |
|С6 |КД-2-226нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | |
| |ТУ | | |
|С7 |КД-2-3.79нФ (5( ОЖО.460.203 |1 | |
| |ТУ | | |
|С8 |КД-2-23.7пФ (5( ОЖО.460.203 |1 | |
| |ТУ | | |
| | | | |
| |Резисторы ГОСТ7113-77 | | |
| | | | |
|R1 |МЛТ – 0.125 – 1.18кОм (10( |1 | |
|R2 |МЛТ – 0.125 –759Ом (10( |1 | |
|R3 |МЛТ – 0.125 –22.6Ом (10( |1 | |
|R4 |МЛТ – 0.125 – 130Ом (10( |1 |R4=RтсVT1-R3 |
|R5 |МЛТ – 0.125 – 11Ом (10( |1 | |
|R6 |МЛТ – 0.125 –189Ом (10( |1 | |
|R7 |МЛТ – 0.125 – 83.5Ом (10( |1 | |
|R8 |МЛТ – 0.125 – 4.99Ом (10( |1 | |
|R9 |МЛТ – 0.125 –12Ом (10( |1 |R9=RтсVT2-R8 |
| | | | |
| |Транзисторы | | |
| | | | |
|VT1, VT2 |КТ911А аА о.339150ТУ |2 | |
| | | | |
| | | | | |РТФ КП 468714.001 ПЭЗ |
| | | | | | |
| | | | | | |
| | | | |Перечень элементов |ТУСУР, РТФ, |
| | | | | |гр. 180 |
|Н. | | | | | |
|контроль | | | | | |
|Утв. | | | | | |