Рефетека.ру / Коммуникации и связь

Курсовая работа: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Министерство образования Российской Федерации




РАСЧЁТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовой работе по курсу:

Технология ИМС


тема: “ Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления ИМС усиления тока индикации кассового аппарата“

Базовое предприятие ФГУП «КЗТА»


Калуга 2009 г.

Содержание


Техническое задание

Топологический расчет транзистора

Расчет геометрических размеров резисторов

Расчет геометрических размеров конденсаторов

Расчет топологии полупроводникового кристалла

Технологические процесс изготовления ИМС

Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом

Заключение

Список литературы

Введение


Основополагающая идея микроэлектроники – конструктивная интеграция элементов схемы – приводит к интеграции конструкторских и технологических решений, при этом главной является задача обеспечения высокой надежности ИМС.

Важнейшей задачей проектирования является разработка быстродействующих и надежных схем, устойчиво работающих при низких уровнях мощности, в условиях сильных паразитных связей (при высоко плотности упаковки) и при ограничениях по точности и стабильности параметров элементов.

При технологическом проектировании синтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки ИМС, позволяющая максимально использовать типовые процессы и обеспечивать минимальные трудоемкость изготовления и себестоимость микросхем.


Техническое задание


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса ИМС по заданной электрической схеме.

Схема электрическая принципиальная приведена на рис. 1.

Описание работы схемы.

Схема электрическая принципиальная приведена на рис. 1.

Данная схема обеспечивает обработку сигналов, поступающих на вход схемы, и выдачи сигнала на выход. Транзисторы VT1-VT4 обеспечивают усиление по току.


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Таблица 1. Номинальные значения элементов

R1 6,8 кОм±5% R6 6,8 кОм±5%

VT1…VT3=

=BC817-25

VT4=

=BC807-25

VD1…VD5=

=LL4148

R2 6,8 кОм±5% R7 120 Ом±5%


R3 6,8 кОм±5% R8 120 Ом±5% Uкб=50 В Uкб=50 В Uкб=40 В
R4 2 кОм±5% R9 120 Ом±5% P=1 Вт P=1 Вт P=1 Вт
R5 6,8 кОм±5% C1 270 пФ±20% I=20 мА I=25 мА I=25 мА

Таблица 2. Назначение выводов

Обозначение 1 2 3 4 5 6 7
Назначение RX_BC GND -12_IN TX_X TX ---- RAS_LAP
Обозначение 8 9 10 11 12 13 14
Назначение +5V RTS_BC RX_X RX CTS_BC GTO_BC BC

Контр. параметры
I5=15 мА U5=4±0,5 B
I13=10 мА U13=15±0,5 B

Рис.1 Схема электрическая принципиальная


Расчет режимов изготовления эпитаксиально-планарного транзистора

Расчет концентраций примеси в отдельных областях транзистора

Расчет концентраций примеси в отдельных областях транзистора с учетом заданного пробивного напряжения.


Определяется из соотношения:


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата- напряжение пробоя перехода.

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата В/см – критическое значение напряженности поля для кремния.

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Кл – заряд электрона.

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата - относительная диэлектрическая проницаемость (для кремния 12).

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппаратаФ/см – абсолютная диэлектрическая проницаемость.

N – концентрация примеси на слаболегированной стороне перехода, которую надо отнести к наиболее опасному сечению, т.е. к поверхности.

Усредненная Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, если Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, а Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

а) Концентрация примеси на поверхности подложки:



Uк-п Uк-б Uб-э
VT1…VT3 60 50 5

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, при Uпр к-п = 60 В

б) Поверхностная концентрация примеси в коллекторе:

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, при Uпр к-б = 50 В.

в) Поверхностная концентрация примеси в базе:

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, при Uпр б-э = 5 В.

Окончательно:



Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

VT1…VT3

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Для дальнейших расчетов выберем транзистор VT5 и примем его за базовый элемент нашей ИМС.

Расчет режимов диффузии базовой области.

При двухстадийной диффузии распределение примеси подсчитывается по закону Гаусса:


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата,


где N – концентрация примеси, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

Q – поверхностная концентрация примеси, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата - диффузионная длина.

Учитывая, что коллектор легирован равномерно и зная концентрацию примеси на поверхности базы и под переходом Б-К (на глубине Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата), можно записать:


1) при Х = 0: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата(1)

2) при Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата(2)

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата,


где Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата – коэффициент диффузии на этапе разгонки базы Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата – время процесса разгонки базы.

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата – доза легирования базы Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


Из (1) и (2) получим: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Задаемся температурой разгонки базы: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис. 2. Температурная зависимость коэффициента диффузии: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата и Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата - исходная и поверхностная концентрация примеси, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Из графика Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата находим Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, а Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

Из (1) Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Для этапа загонки примеси в базу можно записать:

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, тогда Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Примем температуру загонки базы Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата и из графика Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата. Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата мин.

Окончательно: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата мин, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата мин.

Расчет режимов диффузии эмиттерной области.

Определим концентрацию примеси на уровне перехода Э-Б Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата; где Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата; Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


Полагая для высоколегированного эмиттера, что Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, а Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, то Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата,т.к. Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

Для определения Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата воспользуемся требованием высокой проводимости эмиттера, которая должна иметь удельное поверхностное сопротивление Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Ом. Примем Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата. Тогда Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис. 3. Зависимость удельного сопротивления Si от концентрации примеси при температуре Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Из графика Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата приближенно определим концентрацию примеси в эмиттере Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис. 4. Зависимость подвижности электронов от концентрации доноров в кремнии


Из графика Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

Тогда Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Поделим Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата на Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис. 5. Графики для определения параметра Dt в эмиттерной области (этап разгонки)

Из графика Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата получим Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Концентрация примеси доноров в эмиттере Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата. Пусть Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Из графиков Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Отсюда Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Доза легирования в процессе загонки определяется по формуле Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Отсюда для процесса загонки примеси в эмиттер Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата(5)

Полагая Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата(6).


При Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата по графику Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата. Из (6) Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Окончательно: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата; Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата; Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата; Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


Расчет поверхностного сопротивления областей транзисторов

Для контроля и проектирования диффузионных резисторов необходимо знать величины поверхностных сопротивлений областей транзистора, которые определяются по формуле: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

1) Определим поверхностное сопротивление коллектора: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата по графику Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, при Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Для равномерно легированного кремния Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

2) Определим поверхностное сопротивление базовой области: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата где Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата - средняя концентрация введенной примеси; Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппаратаРазработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата при равномерно легированном коллекторе Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата – подвижность дырок в области базы, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата – суммарная концентрация примеси на глубине Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис. 6. Зависимость подвижности электронов от концентрации доноров в кремнии при Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис. 7. Зависимость подвижности дырок от концентрации акцепторов в кремнии при Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Из графика Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, тогда Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

3) Определим поверхностное сопротивление эмиттерной области:

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;

Для диффузионных областей, где распределение примеси неравномерно по глубине, разность концентраций должна иметь смысл средней концентрации, нескомпенсированной примеси Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, найденной в пределах Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата. Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, где Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата – полная концентрация веденной примеси. Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата – средняя концентрация р - примеси до Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.

Находим Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата также как и Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, только берем Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата и Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Получим, что


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппаратаРазработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


По графику Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата при Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, тогда Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата.


Окончательно: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата; Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Топологический расчет транзистора


Цель топологического расчета – получение в плане минимально возможных размеров областей транзистора, которые зависят от мощности рассчитываемой транзистором и следующими топологическими ограничениями.

а) Минимальный размер элемента топологического рисунка аmin обусловленный разрешающей способностью процесса фотографии (4мкм).

б) Максимальное отклонение размера элемента рисунка ±∆1 = 0,5 мкм обусловлены погрешностями размеров элементов рисунков фотошаблона и погрешностями размеров на операциях экспонирования и травления.

в) Погрешностями смещения ±∆2 = ±2 мкм.

г) Боковая диффузия примеси под маскирующий окисел.

При высоких уровнях тока резко проявляется эффект оттеснения эмиттерного тока. Поэтому токонесущая способность транзистора определяется не площадью эмиттера, а периметром. Отсюда при проектировании эмиттера необходимо обеспечить максимальное отношение периметра к площади.

Рассчет эмиттерной области

Размер окна под эмиттерный контакт lЭКмин =аmin = 4мкм.

Примем lЭК = 10мкм

Размер проводника над эммитером:


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис.8


lЭП і lЭК + 2 ∆2+2 ∆1 = 15 мкм.


При дальнейшем расчете необходимо учесть следующие требования:

а) Расчет вести на наиболее неблагодарное сочетание погрешностей;

б) Отсутствие перекрытия перехода кромкой проводника (уменьшение паразитной емкости);

в) Полное заполнение металлом окна под контакт;

г) Расстояние между боковыми переходами смежных областей равно диффузионной длине не основных носителей.


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис.9

Учитывая условие б) имеем:

lЭ = lЭП +2∙∆l + 2 ∙∆2=15 + 1 + 4 = 20 мкм

Размер окна под диффузию эммитерной области:

lОЭ = lЭ – 2 ∙ Хпер(Э-Б)= 20 – 4 = 16 мкм.

Периметр эмиттерной области можно определить по формуле:

П = 6 ∙ JЭ1 = 2 ∙ l Э1 + 2 ∙ l Э2 (в мкм) (*)

Jэ – максимальный ток эмиттерной области, мА.

l Э1, l Э2 – длина и ширина эмиттерной области, мкм.

l Э1min =amin=2Xпер Э-Б=4+4=8 мкм

Примем l Э1 = 25 мкм;

Из формулы (*): Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата мкм; при JЭ =20 мА.

Окончательно: l ЭП =15 мкм; lЭК = 10 мкм;

lОЭ = 16 мкм; lЭ=20 мкм;


Расчет размеров базовой области

Топологический расчет базовой области сводится к определению расстояния между переходами в месте расположения базового контакта dБ1

и расстояния dБ2 на участках, где нет контакта.

Размер окна под базовый контакт lБК≥ 2аmin.

Размер базового проводника

lБПмин = lБК + 2∙∆1 + 2∙∆2=8 +1 + 4 = 13 мкм.

Примем lБП=17,5

Учитывая требования б), размер между переходами Э-Б и Б-К, где есть базовый контакт:

dБ1= lБП+2∙∆1+2∙∆2+аmin= 17,5 + 1 + 4 + 4 = 26,5 мкм.

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис.10


Размер между переходами Э-Б и Б-К со стороны, где нет базового контакта


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис.11


При соблюдении требования г) {lПБ = 4 мкм.}

dБ2 = lПБ + ∆1 + ∆2 = 6.5 мкм. Примем dБ2 = 7 мкм.

Определим большую сторону базовой области:

lБ1 = lЭ + dБ1 + dБ2 = 25 + 26,5 + 7 = 58,5 мкм.

Определим размер меньшей стороны базовой области:

lБ2 = lЭ + 2 ∙ dб2= 25 + 14 = 39 мкм.

Размеры окна под диффузию базы:

lБО1 = lБ1 – 2∙Хпер.(Б-К) = 52,5 мкм.

lБО2 = lБ2 – 2∙Хпер.(Б-К) = 33 мкм.

Окончательно: lБК = 8 мкм; lБ2= 39 мкм. lБО1= 52,5 мкм.

lБП= 17,5 мкм. lБ1= 58,5 мкм. lБО2= 33 мкм.


Расчет размеров коллекторной области

Размер окна под коллекторный контакт примем:

lon+ = lКК = 2аmin = 8 мкм.

Тогда размер коллекторного проводника:

lКП = lКК + 2 ∙ ∆1 + 2 ∙ ∆2 = 13 мкм.

а размер между переходами К-П и Б-К в стороне контакта:

dК1 = lКП + 2 ∙ ∆1 + 2 ∙ ∆2 + аmin = 22 мкм.

Размер между переходами К-П и К-Б в стороне, где нет контакта, но есть n+-область:

ln+ = lоn+ +2 ∙ Хпер.(Б-Э)= 8 + 4 = 12 мкм.

dK2 = ln+ + 2 ∙ ∆1 + 2 ∙ ∆2= 12+ 1 + 4 = 17 мкм.


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис.12


Размер большой стороны коллекторной области:

lK1 = lБ1 + dК2 + dК1=58,5 + 39 = 97,5 мкм.

lК2 = lБ2 + 2∙dК2= 67+ 39 = 106 мкм.

Размер окна под разделительную диффузию примем lор = аmin = 4 мкм.

Тогда размер между коллекторными областями в плане (ширина изолирующего канала):

B = lOP + 2∙Хпер(К-П)=4 + 2 ∙ 2 = 8 мкм.

Окончательно: lКК = 8 мкм lК2 = 97,5 мкм ln+ = 12 мкм lOP = 4 мкм

lКП= 13 мкм lК1= 106 мкм в = 8 мкм


Расчет геометрических размеров резисторов


Расчет геометрических размеров интегрального полупроводникового резистора начинают с определения его ширины. За расчетную ширину b резистора принимают значение, которое не меньше наибольшего значения одной из трех величин: bтехн, bточн, bр, т.е. Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, где bтехн - минимальная ширина резистора, определяемая разрешающей способностью технологических процессов (4 мкм); bточн - минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность геометрических размеров; bр - минимальная ширина резистора, определяемая из максимально допустимой мощности рассеяния.


Расчет геометрических размеров резистора R1-R3, R5, R6 (Б.О.):


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппаратагде Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата



Расчет геометрических размеров резистора R4(Б.О.):


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппаратагде Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата



Расчет геометрических размеров резистора R7-9(Б.О.):


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата;Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппаратагде Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата



Расчет геометрических размеров конденсаторов


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис.13


Тип конденсаторов выберем на основе базово-коллекторного перехода, т.к. он обладает высокой добротностью, достаточным пробивным напряжением и средней удельной емкостью


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппаратаРазработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Расчет топологии полупроводникового кристалла


1. Определим площадь, занимаемую элементами на кристалле. Площадь, занимаемая активными элементами:

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата,

где Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата - площадь одного транзистора; Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппаратаn – число активных элементов.

2. Определим площадь под диоды:

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

где Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата - площадь одного диода;

3. Определим площадь под резисторы:

Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

где m – число резисторов.

3. Определим площадь под конденсаторы:


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


4. Площадь активной зоны: К – коэффициент запаса, зависит от плотности разводки металлизации.


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Процесс сборки упрощается при квадратной форме кристалла:


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата


Интегральная схема 13 выводов (контактных площадок). При термокомпрессии проводом 28 мкм ширина площадки будет равна Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата, где D – диаметр проволоки; K – коэффициент, равный Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата отсюда Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата с запасом 100 мкм. Расстояние между центрами контактных площадок не менее 200 мкм. Линия скрайбирования для уменьшения вероятности скола взята шириной 100 мкм.

Примечания:

1. Проводники металлизации алюминием выполняются толщиной 1 мкм. Ширина проводника определяется из соотношения Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата (находится в пределах 10:20 мкм).

2. Нумерация выводов на кристалле может начинаться с любого угла и должна идти по порядку (по часовой стрелке).

3. В случае пересечения – выполнять его над резистором, кроме проводников питания, которые над резистором выполнять не рекомендуется.

Пример выполнения пересечения над резистором:


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис.14


Технологические процесс изготовления ИМС

А 005 Комплектование
Б
Комплектовочный стол
О

Формировать партию пластин.

Уложить в тару цеховую.

А 010 Гидромеханическая отмывка пластин
Б
Ванна с раствором ситанола АЛМ-10
О
Операция выполняется в растворе ситанола АЛМ-10 в деионизированной воде с помощью щеток для удаления механических загрязнений и увеличения смачиваемости поверхности пластин.
А 015 Химическая обработка
Б
Оборудование — линия “Лада-125”
О
Обработка пластин смесью Каро (H2SO4+H2O2) и перикисьно-амиачной смесью для удаления любых органических загрязнений с поверхности полупроводниковых пластин при температуре 90 єС.
А 020 Сушка
Б
Сушильный шкаф
О
Операция проводится сначала в парах этилового спирта, а затем в потоке горячего осушенного азота в центрифуге при частоте обращения 20000 оборотов в минуту.
А 025 Окисление
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О

Окисление проводится в два этапа:

- газовая полировка(проводится в специальных печах);

устанавливается нужное распределение температуры и печи с потоком азота;

устанавливается поток газа-носителя (водород, 8 л/мин; печь с

внутренним диаметром трубы 35 мм), а поток азота перекрывается;

вносят лодочку с пластинами и выжидают 5 мин до установления теплового равновесия;

к газу-носителю добавляют требуемый поток хлористого водорода;

полируют в течение 10 мин (обычная продолжительность полировки);

прекращают поток НСl и вынимают пластины.

Скорость полировки зависит от температуры и концентрации хлористого водорода. Удельное сопротивление, тип проводимости и поверхностная обработка кремния не оказывают заметного влияния на скорость полировки.

Качество полировки связано с чистотой хлористого водорода. В выпускаемом промышленностью хлористом водороде иногда присутствует ацетилен; это нежелательно, поскольку приводит к образованию матовых поверхностей.

Нежелательным является также наличие двуокиси углерода и воды.

- Окисление

От газовой полировки можно переходить сразу к процессу

окисления простым изменением состава газового потока. При этом не

требуется вынимать пластины из печи. Для быстрого получения качественной плёнки, окисление производят сначала в сухом кислороде для формирования пленки, затем длительно окисляют во влажном кислороде и окончательной стадией является формовка окисла в сухом кислороде.

А 030 Первая фотолитография
Б
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”
О

С использованием фотолитографии проводится легирование локальных областей подложки с целью создания скрытых слоёв

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90єС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150єС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске.

А 035 Диффузия бором, I стадия
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О
При диффузии в качестве источника диффузанта используется ВВrз. Диффузия проводится в две стадии. Первый этап двухстадийной диффузии, для создания поверхностного слоя легирующей примеси повышенной концентрации – источника примеси для второго этапа. Проводится при температуре 960єС в течение 40 мин.
А 040 Снятие боросиликатного стекла
Б
Установка “08 ПХО 100Т-001”
О
С поверхности кремния удаляется боросиликатное стекло mВ2О3nSiO2. Для травления используется плави­ковая кислота HF.
А 045 Диффузия бором, II стадия
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О
Разгонка бора и формирование области скрытого слоя. Боковая диффузия составляет 5,2 мкм. Общее увеличение размера рисунка на пластине относительно фотошаблона ∆l=6 мкм. Для разгонки примеси пластины подвергают высокотемпературному нагреву, которым одновременно осуществляется и отжиг. Во время разгонки происходит окисление кремния.
А 050 Эпитаксия
Б
Установка эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек – ЕТМ 150/200-0,1
О
Наращивание на поверхность пластины эпитаксиальной плёнки n-типа толщиной 9 мкм.
А 055 Окисление
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О

Операция проводится в потоке хлороводорода для получения пленки двуокиси кремния на поверхности полупроводниковых пластин, которая будет использоваться в качестве маски в процессе диффузии. Толщина получаемого окисла 0,8 мкм.

На ней в процессе второй фотолитографии формируется защитная маска под локальную (разделительную) диффузию бора с целью создания изолирующих областей р-типа. Окисление проводится в потоке кислорода с изменением его влажности в три этапа: сухой — влажный — сухой.

А 060 Вторая фотолитография
Б
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”
О

Получение рисунка изолирующих областей.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90єС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150єС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске.

А 065 Разделительная диффузия бором, I стадия
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О

В качестве источника диффузанта используется ВВr3. Диффузия проводится в две стадии.

Первый этап двухстадийной диффузии предназначен для создания поверхностного слоя легирующей примеси повышенной концентрации – источника примеси для второго этапа. Проводится при температуре 940єС в течение 35 мин.

А 070 Снятие боросиликатного стекла
Б
Установка “08 ПХО 100Т-001”
О
С поверхности кремния удаляется боросиликатное стекло mВ2О3nSiO2. Для травления используется плави­ковая кислота HF.
А 075 Разделительная диффузия бором, II стадия
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О
В процессе второй стадии диффузии, проводи­мой, в отличие от первой, в окислительной среде, создается новая пленка SiO2, выполняющая в дальнейшем не только маскирую­щие, но и защитные функции. После разделительной диффузии образуются диффузионные слои р-типа с сопротивлением 2 ... 12 Ом/□. Второй этап двухстадийной диффузии – перераспределение примеси на определенную глубину (формирование области разделения). Проводится при температуре 1050єС с одновременным термическим оксидированием в течение 24 мин.
А 080 Третья фотолитография
Б
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”
О

Аналогично операции 060.

Используется набор фотошаблонов для получения рисунка базовых областей n-p-n транзисторов, конденсаторов и р-кармана для изготовления резисторов (без снятия ф/р). Увеличение размера на пластине относительно фотошаблона ∆l=0,6 мкм.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90єС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150єС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.

Травление двуокиси кремния.

Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске.

А 085 Химическая обработка
Б
Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП
О
Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и промывкой в деонизированной воде.
А 090 Диффузия бором, I стадия
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О

Аналогично операции 065.

Для создания транзисторной структуры в качестве источников диффузантов используются ВВг3 и РС13 (или РОС13). Диффузи­онный процесс получения базовой области проводится также в две стадии.

На первой стадии создается сильно легированный тонкий слой р+-типа с сопротивлением около 90 Ом/. Температура 800єС, время 52 мин.

А 095 Снятие боросиликатного стекла
Б
Установка “08 ПХО 100Т-001”
О
На этой стадии для удаления боросиликатного стекла используется химическое травление в растворе следующего состава: 10 частей HNO3, 15 частей HF и 300 частей Н2О. Этот раствор с высокой скоростью травит боросиликатное и фосфоросиликатное стекла, практически не разрушая SiO2.
А 100 Диффузия бором, II стадия
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О
Вторая стадия диффузии, в процессе которой толщина слоя увеличивается до 1,8... 2,2 мкм, а его удельное сопротивление (в результате перераспределения бора) повышается до 170... 330 Ом/. Поскольку вторая стадия проводится в окислительной среде, на поверхности кремния образуется пленка SiO2 толщиной около 0,4 мкм. Температура 1000єС, время 255 мин.
А 105 Четвертая фотолитография
Б
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”
О

Аналогично операции 060.

Используется набор фотошаблонов для получения рисунка эмиттерных областей транзисторов, а также областей n+ конденсаторов. На ее основе формируется маска для проведения локаль­ной диффузии при создании эмиттерной области. Толщина диффу­зионного эмиттерного сдоя 1,0...1,4 мкм, удельное сопротивление слоя 3 ... 5 Ом/.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90єС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150єС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.

Травление двуокиси кремния.

Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске.

А 110 Химическая обработка
Б
Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП
О
Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и промывкой в деионизированной воде.
А 115 Диффузия фосфором, I стадия
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О

Аналогично операции 065.

Для создания транзисторной структуры в качестве источников диффузантов используется РС13. Диффузи­онный процесс получения эммитерной области проводится также в две стадии.

Первый этап двустадийной диффузии для создания поверхностного слоя повышенной концентрации легирующей примеси – источника примеси для второго этапа. Проводится при температуре 1050єС в течение 20 мин.

А 120 Диффузия фосфором, II стадия
Б
Диффузионная печь СДО-125/3-12
О
Второй этап диффузии – «разгонка» фосфора. Проводится при температуре 1000єС с одновременным термическим оксидированием в течение 22 мин.
А 125 Пятая фотолитография
Б
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”
О

Вскрытие контактных окон к соответствующим диффузионным областям.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90єС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150єС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.

Травление двуокиси кремния.

Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду А.

А 130 Химическая обработка
Б
Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП
О
Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и промывкой в деионизированной воде.
А 135 Напыление алюминия
Б
Установка “Магна 2М”
О

Электрическая разводка создается напылением алюминия.

Проводится за счет приложения магнитного поля, с помощью Установки “Магна 2М”. Толщина слоя алюминия 1,2±0,1 мкм.

А 140 Шестая фотолитография
Б
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”
О

Фотолитография по пленке алюминия для создания рисунка разводки и контактных площадок.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности алюминия полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90єС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150єС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси органических кислот.

Травление алюминия.

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду Б.

А 145 Пассивация
Б
Вертикальный реактор с инфракрасным нагревателем установки осаждения УО-15.
О
Осаждение низкотемпературной пленки двуокиси кремния на всю поверхность полупроводниковой пластины. Операция проводится в среде азота при температуре 475єС для растворения тонкой пленки двуокиси кремния.
А 150 Седьмая фотолитография
Б
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”
О

Фотолитография по пленке защитного диэлектрика для вскрытия окон к контактным площадкам.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности алюминия полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90єС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150єС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси органических кислот.

Травление пленки двуокиси кремния.

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду А.

А 155 Контроль электрических параметров микросхемы.
Б
Установки: система измерительная Н2001 (“Интеграл”); зонд измерительный ОМ6010;
О

Настроить зонд по расположению контактных площадок на кристалле.

Провести контроль токов I5=15 мА, I13 =10 мА и напряжений U5=4±0,5 B, U13=15±0,5 B на 5й и 13й контактных площадках соответственно.

В случае если параметры кристалла не соответствуют нормам, он закапывается специальными магнитными чернилами.

А 160 Скрайбирование
Б
Установка скрайбирования «ЭМ-210», микроскоп «ММУ-3», полуавтомат «ПЛП-3».
О

Для разделения пластин на кристалы используется лазерное скрайбирование, для данного метода необходим твердотельный лазер (оптический квантовый генератор ОКГ) активный элемент которого, выполнен из алюминиевого граната с примесью неодима (АИГ:Nd), а длина волны составляет 1,06 мкм.

На пластины наносят на центрифуге защитное покрытие для предохранения структур от повреждения.

Пластины закрепляют вакуумным прижимом на столе установке

Проводят скрайбирование, Скорость скрайбирования в

пределах от 100 до 200 мм /сек. Скрайбирование целесообразно производить на установке ЭМ-210, позволяющей скрайбировать пластины диаметром 100 мм и толщиной 460 мкм за 3 прохода при скорости скрайбирования 120 мм/сек и глубине 100 мкм /проход

Контроль качества скрайбирования производится при помощи микроскопа ММУ-3.

Осуществляют разламывание пластин на кристаллы, на полуавтомате ПЛП-3. При этом необходимо соблюдать следующие режимы: сила нажатия на пластины должна быть в пределах от 100 до 1500 Н, а скорость движения ленты с пластиной порядка 40 мм/сек.

А 165 Контроль
Б
Микроскоп «ММУ-3»
О

Контроль кристаллов производится при помощи микроскопа ММУ-3.

Кристаллы, закапанные магнитными чернилами удалить.

А 170 Сборка
Б
Установка термокомпрессионной сварки «ЭМ-439М»
О

Кристалл крепить к ситалловой подложке клеем ВК-32-200.

Положку с кристаллом крепить к выводной рамке клеем ВК-32-200.

Разваривать выводы кристалла с помощью алюминиевой проволоки к выводной рамке методом термокомпресии.

А 175 Маркировка
Б
Маркировочный стол
О
Маркировать серийный номер микросхемы краской

Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом


Структура биполярного транзистора микросхемы рассмотрена на рис.15. Схема технологического процесса представлена в графической части (лист – 3).


Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Рис.15. Упрощенная структура кристалла


Заключение


В данной работе произведен анализ функционирования ИМС, рассчитаны элементы схемы и разработаны топология кристалла и конструкция микросхемы, что позволяет изготовить рабочие фотошаблоны.

Разработан технологический процесс изготовления кристалла. При разработке технологического процесса большое внимание обращалось на безопасность труда и уменьшение влияния техпроцессов на окружающую среду.


Список литературы


Коледов Л.А. - Конструирование и технология микросхем.М.: Высшая школа, 1984.

А.В. Нефедов, В.И. Гордеева – Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналогии, М.: Радио и связь, 1990.

Пономарев М.Ф. « Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА» М: Радио и связь, 1982г.

Агахонян Г.М. « Интегральные микросхемы » М: Энергоатомиздат, 1983г.

Коледов Л.А. «Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок» М: Радио и связь, 1989г.

Похожие работы:

  1. • Разработка конструкции и технологического ...
  2. • Общие сведения об интегральных микросхемах
  3. • Технология изготовления кристаллов полупроводниковых ...
  4. • Методы контроля в производстве интегральных микросхем
  5. • Структура твердотельных интегральных микросхем
  6. • Производственный процесс изготовления микросхем
  7. • Совершенствование организационной структуры управления ...
  8. • Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения ...
  9. • Технологический процесс изготовления детали ...
  10. • Резисторы
  11. • Интегральные логические элементы
  12. • Основы проектирования интегральных микросхем ...
  13. • Печатные платы
  14. • Программно управляемый частотомер
  15. • Топологии интегральных микросхем
  16. •  ... для тестирования интегральных микросхем 155 серии
  17. • Цифровые интегральные микросхемы
  18. • Методика преподавания "Основ взаимозаменяемости и ...
  19. • Разработка интегральной микросхемы АМ-ЧМ ...
Рефетека ру refoteka@gmail.com