Рефетека.ру / Физика

Учебное пособие: Фізика напівпровідників

Міністерство освіти і науки України

Український державний університет водного господарства і природокористування

Кафедра фізики

073–90


В.О.Дубчак, М.О.Ковалець,

В.Ф.Орленко, Є.С.Никонюк


З А Г А Л Ь Н А Ф І З И К А


Частина 2. Магнетизм, електромагнітні коливання і хвилі. Оптика, теорія відносності. Елемен- ти атомної фізики, квантової механіки і фізики твердого тіла. Фізика ядра та еле- ментарних часток.


За редакцією В.О.Дубчака


Рекомендовано

методичною комісією по спеціальності “Гідромеліорація” як конспект лекцій для студентів інженерно-технічних спеціаль-

ностей, заочна форма навчання


Протокол № від 2002р.


Рівне – 2002

В.О.Дубчак, М.О.Ковалець, В.Ф.Орленко, Є.С.Никонюк. Загальна фізика. За редакцією

В.О.Дубчака. Ч. 2. Магнетизм, електромагнітні коливання і хвилі. Оптика, теорія відносності. Елементи атомної фізики, квантової механіки і фізики твердого тіла. Фізика ядра та елементарних часток: конспект лекцій,–Рівне: УДУВГП, 2002.–94с.


Укладачі: В.О.Дубчак, кандидат фізико-математичних

наук, доцент;

М.О.Ковалець, кандидат фізико-математич- них наук, доцент;

В.Ф.Орленко, кандидат фізико-математичних

наук, доцент;

Є.С.Никонюк, кандидат фізико-математичних наук, професор


Комп’ютерний набір: В.Д.Віюк


Відповідальний за випуск: В.Ф.Орленко, зав. кафедри фізики, доцент, кандидат фізико-математичних наук


Рецензенти: М.В.Бялик, доцент кафедри фізики, кандидат

фізико математичних наук;

М.В.Яцков, зав. кафедри хімії, професор, кан-

дидат хімічних наук

ЗМІСТ


Передмова

Розділ ІV. Магнетизм. Електромагнітні коливання і хвилі

§ 4.1. Магнітне поле і його характеристики. Дія магнітного поля на контур зі струмом. Магнітний момент контура. Принцип суперпозиції

§ 4.2. Закон Біо-Савара-Лапласа для елемента струму. Магнітне поле прямолінійного та колового струмів

§ 4.3. Теорема про циркуляцію вектора Фізика напівпровідників. Поле соленоїда

§4.4.Дія магнітного поля на струм, закон Ампера. Сила Лоренца

§4.5. Магнітна взаємодія струмів

§ 4.6. Магнітний потік

§ 4.7. Робота переміщення провідника та контура зі струмом у магнітному полі

§ 4.8. Явище електромагнітної індукції. Закон Фарадея, правило Ленца. Явище самоіндукції, індуктивність контура (соленоїда). Взаємоіндукція

§ 4.9. Енергія магнітного поля. Густина енергії магнітного поля

§ 4.10. Магнітне поле в речовині

§ 4.11. Вільні електромагнітні коливання

§ 4.12. Згасаючі електромагнітні коливання

§ 4.13. Вимушені електромагнітні коливання

§ 4.14. Електромагнітні хвилі

Розділ V. Оптика. Теорія відносності

§ 5.1. Закони відбивання і заломлення світла. Явище повного внутрішнього відбивання

§ 5.2. Тонкі лінзи

§ 5.3. Інтерференція світла

§ 5.4. Дифракція світла

1. Принцип Гюйгенса-Френеля. Метод зон Френеля

2. Дифракція Фраунгофера

3. Дифракція рентгенівських променів

§ 5.5. Поляризація світла

Типи поляризації. Поляризація при відбиванні

2. Поляризація при подвійному променезаломленні. Поляроїди і поляризаційні призми

3. Інтерференція поляризованих променів. Штучна оптична анізотропія

4. Обертання площини поляризації

§ 5.6. Квантова природа випромінювання. Теплове випромінюван- ня

§ 5.7. Фотоефект

§ 5.8. Тиск світла

§ 5.9. Ефект Комптона

§ 5.10. Гальмівне рентгенівське випромінювання

§ 5.11. Елементи теорії відносності (релятивістська механіка)

Розділ VI. Елементи атомної фізики, квантової механіки і фізики твердого тіла

§6.1.Ядерна модель атома. Воднеподібний атом Бора. Спект-ральні серії

§ 6.2. Корпускулярно-хвильовий дуалізм матерії; гіпотеза де Бройля. Співвідношення невизначеностей Гайзенберга

§ 6.3. Хвильова функція та її зміст. Рівняння Шрьодінгера

§6.4. Частинка в одновимірній прямокутній потенціальній ямі (ящику). Проходження частинки через потенціальний бар’єр

§ 6.5. Квантовий лінійний гармонічний осцилятор

§ 6.6. Воднеподібні атоми в квантовій механіці. Квантові числа електрона в атомі

§ 6.7. Власний момент (спін) електрона. Принцип Паулі. Забудова складних атомів. Характеристичне рентгенівське випромінювання

§ 6.8. Теплові коливання кристалічної гратки і теплоємність твердих тіл

§ 6.9. Елементи зонної теорії твердих тіл

§ 6.10. Розподіл і концентрація носіїв в зонах

§6.11.Електричні властивості металів і напівпровідників

Розділ VІІ. Фізика ядра та елементарних часток

§7.1. Склад і характеристики ядра

§7.2. Дефект маси та енергія зв’язку ядра. Ядерні сили. Моделі ядра

§7.3. Радіоактивність

§7.4. Ядерні реакції

§7.5. Елементарні частинки та фундаментальні взаємодії

Передмова


Друга частина конспекту лекцій з курсу загальної фізики для інженерно-технічних спеціальностей містить короткий виклад розділів: магнетизм (з елементами електромагнітних коливань і хвиль) (доц. Ковалець М.О.); оптика (з елементами теорії відносностей) (доц. Орленко В.Ф.); квантова механіка, фізика твердого тіла (доц. Никонюк Є.С.); фізика ядра та елементарних часток (доц. Дубчак В.О.). Виклад розрахований на 5–7 оглядових лекцій для студентів-заочників по другій частині курсу загальної фізики і виконання ними з цієї частини курсу двох контрольних робіт. Він побудований у відповідності з робочою програмою цієї частини курсу, дотриманням вимог загальноприйнятих найменувань і позначення фізичних величин та одиниць їх вимірювання у системі SI; нумерація формул і малюнків проведена в межах кожного розділу.

Розділ IV. Магнетизм. Електромагнітні коливання і хвилі.


§ 4.1. Магнітне поле і його характеристики. Дія магнітного поля на контур зі струмом. Магнітний момент контура. Принцип суперпозиції


Більше як 2000 років тому була відкрита властивість магнітної стрілки орієнтуватись вздовж земного меридіана. Кінець стрілки, повернутий на північ, дістав назву північного магнітного полюса, а протилежний – південного. Було також відкрито взаємодію полюсів – притягання різнойменних та відштовхування однойменних.

У 1820 році Ерстед відкрив явище відхилення магнітної стрілки електричним струмом, а Ампер – взаємодію паралельних струмів і висунув гіпотезу про те, що магнітні поля створюються струмами, тобто рухомими електричними зарядами. В магнетизмі всі струми поділяються на макроструми, що зумовлені напрямленим рухом вільних носіїв (електронів, дірок, іонів), і мікроструми, що зумовлені рухом електронів в атомах і молекулах; саме мікроструми створюють магнітні поля постійних магнітів. Отже, магнітне поле – особливий вид матерії, що створюється рухомими електричними зарядами (струмами) і діє на рухомі заряди, провідники зі струмом та постійні магніти.

Досліди показують, що магнітне поле певним чином орієнтує вміщений в нього контур зі струмом, тобто на контур з боку магнітного поля діє момент сили. Цей момент дорівнює нулю в рівноважному положенні контура, а в деякому положенні він – максимальний.

Пробний контур характеризується магнітним моментом

Фізика напівпровідників, (4.1)

де І – сила струму в контурі, S – його площа, Фізика напівпровідників – одиничний вектор нормалі до площини контура, напрямок якого визначається за правилом свердлика.

Відношення максимального обертового моменту до магнітного моменту контура характеризує магнітне поле в даному місці простору і називається магнітною індукцією:

Фізика напівпровідників. (4.2)

Напрямок Фізика напівпровідників визначається за напрямком магнітного моменту контура з струмом, який перебуває в рівноважному положенні.

В міжнародній системі СІ магнітна індукція вимірюється в Теслах: Фізика напівпровідників.

Відмітимо, що у випадку довільної орієнтації контура відносно поля (мал.4.1), на нього діє обертовий момент

Фізика напівпровідників (4.3)

де Фізика напівпровідників– кут між Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників. У векторній формі

Фізика напівпровідників (4.4)

Для магнітних полів справедливий принцип суперпозиції: індукція магнітного поля, створеного в певній точці простору кількома струмами, дорівнює векторній сумі індукцій полів, створених в цій точці кожним струмом зокрема,

Фізика напівпровідників (4.5)

Як вже відмічалось, в будь-якому середовищі існують мікроструми, зумовлені рухом електронів в атомах (мал.4.2). При відсутності зовнішнього магнітного поля магнітні моменти мікрострумів, завдяки тепловому руху атомів, орієнтовані хаотично і їх магнітні поля в середньому скомпенсовані. В зовнішньому магнітному полі магнітні моменти атомів орієнтуються вздовж ліній поля; сумарне поле мікрострумів стає відмінним від нуля і додається до поля макроструму. Тому результуюче магнітне поле в середовищі буде відрізнятись від поля макроструму:

Фізика напівпровідників, (4.6)

де Фізика напівпровідників – магнітна проникність середовища (магнетика),яка показує, у скільки разів магнітне поле в середовищі відрізняється від поля макроструму у вакуумі, тобто Фізика напівпровідників. Для вакууму Фізика напівпровідників.

Історично склалось так, що поле макрострумів характеризується іншою характеристокою – напруженістю магнітного поля (Фізика напівпровідників). В системі СІ індукція та напруженість магнітного поля мають різні одиниці вимірювання: Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників; між цими двома характеристиками магнітного поля існує зв’язок

Фізика напівпровідників, (4.7)

де Фізика напівпровідників– магнітна стала.

Для графічного зображення магнітного поля використовують лінії магнітної індукції, які проводяться так, щоб дотична до них в кожній точці співпадала з напрямком Фізика напівпровідниківв цій точці. Лінії магнітної індукції проводяться з такою густиною, щоб число ліній, які перетинають нормальну до них площадку одиничної площі чисельно дорівнювало Фізика напівпровідників в даному місці простору. Лінії магнітної індукції не мають ні початку, ні кінця, вони або замикаються навколо провідників зі струмом, або ідуть з нескінченності в нескінченність. Їх напрямок встановлюється згідно з правилом свердлика (див.мал.4.3, 4.4).

Магнітне поле прямолінійного Магнітне поле довгого соленоїда нескінченно довгого провідника зі зі струмом.

Магнітне поле називається однорідним, якщо у всіх його точках Фізика напівпровідників. Лінії індукції однорідного поля – паралельні прямі, проведені з однаковою густиною. Однорідним є поле всередині нескінченно довгого соленоїда (мал.4.4).

§ 4.2. Закон Біо-Савара-Лапласа для елемента струму. Магнітне поле прямолінійного та колового струмів


Закон Біо-Савара-Лапласа встановлює індукцію магнітного поля, створеного елементом струму Фізика напівпровідників в певній точці простору:

Фізика напівпровідників (4.8)

або, у скалярній формі,

Фізика напівпровідників (4.9)

де Фізика напівпровідників – радіус-вектор, проведений від елемента струму до даної точки; Фізика напівпровідників – кут між елементом струму Фізика напівпровідниківі радіусом-вектором Фізика напівпровідників. Напрямок Фізика напівпровідників визначається за правилом свердлика (мал.4.5).

Індукцію поля, створеного в даній точці простору всім провідником, знаходимо за принципом суперпозиції:

Фізика напівпровідників (4.10)

Закон Біо-Савара-Лапласа та принцип суперпозиції дозволяють отримати вирази для магнітних полів, створених провідниками різних конфігурацій. Зокрема:

а) магнітне поле скінченного прямолінійного струму в точці простору на відстані R від провідника (мал.4.6)

Фізика напівпровідників, (4.11)

б) магнітне поле нескінченно довгого струму в точці простору на відстані R від провідника (мал. 4.7)

Фізика напівпровідників, (4.12)

в) магнітне поле в центрі колового струму (мал.4.8)

Фізика напівпровідників. (4.13)


§ 4.3. Теорема про циркуляцію вектора Фізика напівпровідників. Поле соленоїда


Циркуляцією вектора Фізика напівпровідників по деякому замкненому контуру l називається інтеграл виду

Фізика напівпровідників (4.14)

де Фізика напівпровідників– проекція вектора Фізика напівпровідниківна напрямок дотичної до елемента контура dl. Ця фізична величина описується однойменною теоремою:

циркуляція вектора напруженості магнітного поля по довільному замкненому контуру дорівнює алгебраїчній сумі всіх струмів, охоплених цим контуром,

Фізика напівпровідників. (4.15)

За допомогою цієї теореми можна розрахувати напруженість магнітного поля всередині довгого соленоїда (мал.4.4):

Фізика напівпровідників, (4.16)

де Фізика напівпровідників– число витків на одиниці довжини соленоїда.

Індукція магнітного поля всередині соленоїда

Фізика напівпровідників, (4.17)

де Фізика напівпровідників – магнітна проникність осердя.

§ 4.4. Дія магнітного поля на струм, закон Ампера. Сила Лоренца


Нехай у магнітному полі з індукцією Фізика напівпровідників знаходиться лінійний елемент струму Фізика напівпровідників. На цей елемент з боку поля діє сила, величина і напрямок якої визначаються законом Ампера:

Фізика напівпровідників (4.18)

або, в скалярній формі,

Фізика напівпровідників, (4.19)

де Фізика напівпровідників – кут між напрямком струму в провіднику і напрямком магнітного поля. Сила, що діє на провідник зі струмом скінченної довжини, знаходиться з (4.18) або (4.19) інтегруванням по всій довжині провідника:

Фізика напівпровідників, (4.20)

або

Фізика напівпровідників. (4.21)

Зокрема, для прямолінійного провідника в однорідному магнітному полі

Фізика напівпровідників (4.22)

Напрямок сили Ампера можна знаходити за правилом лівої руки (мал. 4.9).

На електричний заряд, що рухається в магнітному полі, діє сила, перпендикулярна як до швидкості заряду, так і до ліній магнітної індукції; вона називається силою Лоренца і визначається за формулою

Фізика напівпровідників (4.23)

або, в скалярній формі,

Фізика напівпровідників, (4.24)

де Фізика напівпровідників – кут між швидкістю заряду Фізика напівпровідників і напрямком Фізика напівпровідників.

Для позитивного заряду напрямок сили Лоренца визначається за правилом лівої руки (мал.4.10). Якщо заряд негативний, напрямок сили Лоренца буде протилежним. Відмітимо окремо, що на нерухомий заряд магнітне поле не діє. В цьому – його принципова відмінність від електричного поля.


§ 4.5. Магнітна взаємодія струмів


Як відмічалось у § 4.4, на провідник зі струмом, вміщений в магнітне поле, діє сила Ампера. Зокрема, така сила буде діяти на провідник зі струмом з боку магнітного поля іншого струму. На мал.4.11 зображені два паралельних нескінченно довгих провідники зі струмами. На струм Фізика напівпровідників діє сила Ампера з боку магнітного поля, створеного струмом Фізика напівпровідників

Фізика напівпровідників. (4.25)

(Фізика напівпровідників– індукція поля першого струму на віддалі R від нього). Аналогічно, на перший струм з боку магнітного поля другого струму діє сила

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідниківФізика напівпровідників. (4.26)

Напрямки сил Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників знайдені за правилом лівої руки і вказані на мал.4.11. Порівнюючи (4.25) та (4.26), а також врахувавши напрямки Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників, можна записати Фізика напівпровідників, що узгоджується з третім законом Ньютона.

Якщо струми в провідниках будуть напрямлені антипаралельно, то напрямки сил взаємодії зміняться і провідники будуть відштовхуватись один від одного.

Отже, сила взаємодії двох паралельних провідників зі струмами

Фізика напівпровідників. (4.27)

Основна одиниця сили струму в системі СІ – Ампер –вводиться на основі (4.27). Один ампер – це сила такого постійного струму, який при проходженні по двох паралельних прямолінійних провідниках нескінченної довжини і малого поперечного перерізу, розміщених на відстані 1метр один від одного у вакуумі, викликає між ними магнітну взаємодію силою Фізика напівпровідниківньютон на кожен метр довжини.


§ 4.6. Магнітний потік


Магнітним потоком через деяку площадку dS називається скалярна фізична величина, що дорівнює

Фізика напівпровідників, (4.28)

де Фізика напівпровідників– проекція Фізика напівпровідників на напрямок нормалі Фізика напівпровідниківдо площадки; Фізика напівпровідників – кут між векторами Фізика напівпровідниківта Фізика напівпровідників(мал. 4.12).

Якщо врахувати правила побудови ліній магнітної індукції (див. § 4.1), то стає очевидним фізичний зміст магнітного потоку: він чисельно дорівнює кількості ліній магнітної індукції, що перетинають дану площадку. Магнітний потік через довільну поверхню

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників (4.29)

В системі СІ магнітний потік вимірюється у веберах: Фізика напівпровідників.

§ 4.7. Робота переміщення провідника та контура зі струмом у магнітному полі


Нехай у магнітному полі індукцією Фізика напівпровідників під дією сили Ампера переміщується провідник зі струмом (мал.4.13). Робота сили Ампера при нескінченно малому переміщенні

Фізика напівпровідників, (4.30)

оскільки Фізика напівпровідників – площа, яку перетнув провідник, а Фізика напівпровідників – магнітний потік, який перетнув провідник. Повна робота

Фізика напівпровідників – (4.31)

дорівнює добутку сили струму на скінченний магнітний потік, який перетнув провідник.

Нехай тепер у магнітному полі переміщується контур зі струмом з положення 1234 у положення Фізика напівпровідників, як показано на мал.4.14.

Роботу переміщення контура зі струмом можна розглядати як суму робіт переміщення його сторін: Фізика напівпровідників.

Очевидно, Фізика напівпровідників, оскільки сили Ампера, що діють на ці сторони, напрямлені перпендикулярно до їх переміщення; отже не виконують роботи.

Фізика напівпровідників (сила Ампера напрям-лена протилежно до переміщення); Фізика напівпровідників (сила Ампера направлена в бік переміщення). Отже, Фізика напівпровідників. З використанням формули (4.31) останній вираз запишемо у вигляді

Фізика напівпровідників (4.32)

тобто робота переміщення контура зі струмом у магнітному полі дорівнює добутку сили струму в контурі на зміну магнітного потоку через площу контура. Формула (4.32) лишається справедливою для контура довільної форми і довільної орієнтації відносно магнітного поля.


§ 4.8. Явище електромагнітної індукції. Закон Фарадея, правило Ленца. Явище самоіндукції, індуктивність контура (соленоїда). Взаємоіндукція.


Явищем електромагнітної індукції називається виникнення електричного струму в замкненому контурі при зміні магнітного потоку через цей контур. Це явище було відкрите Фарадеєм у 1831 році. Він установив закон, згідно якому е.р.с. індукції, що виникає в контурі, дорівнює швидкості зміни магнітного потоку через поверхню, обмежену цим контуром:

Фізика напівпровідників; (4.33)

це – миттєве значення е.р.с. індукції. Середнє значення е.р.с. індукції

Фізика напівпровідників . (4.34)

Знак “–” у законі Фарадея відповідає правилу Ленца: індукційний струм має такий напрямок, щоб своїм магнітним потоком протидіяти зміні того магнітного потоку, який викликає появу даного індукційного струму.

Якщо по провідному контуру тече струм силою І, то поверхню, обмежену цим контуром, перетинає власний магнітний потік Ф (мал.4.15), що пропорційний силі струму, Фізика напівпровідників, або

Фізика напівпровідників, (4.35)

де коефіцієнт пропорційності L залежить від розмірів і форми контура, а також – від магнітної проникності навколишнього середовища. Він називається індуктивністю контура Якщо сила струму в контурі змінюється, то в ньому виникає, згідно із законом Фарадея, е.р.с. індукції, яка в даному випадку називається е.р.с. самоіндукції. Отже, самоіндукцією називається явище виникнення е.р.с. та індукційного струму в тому самому контурі, по якому тече змінний електричний струм. Застосовуючи формули (4.33) та (4.35), для е.р.с. самоіндукції запишемо

Фізика напівпровідників (4.36)

Знак “–” в (4.36), у відповідності з правилом Ленца, означає, що струм самоіндукції завжди протидіє зміні струму, який викликав його появу.

В системі СІ одиницею індуктивності є Генрі. З (4.36) отримаємо:

Фізика напівпровідників=Гн.

Знайдемо тепер вираз для індуктивності довгого соленоїда. Магнітний потік соленоїда дорівнює сумі магнітних потоків через усі N витків соленоїда. Враховуючи, що всередині соленоїда магнітне поле однорідне й напрямлене паралельно до осі соленоїда, запишемо Фізика напівпровідників, де Фізика напівпровідників–магнітний потік через один виток, S – площа витка. Враховуючи (4.17), отримаємо Фізика напівпровідників, де Фізика напівпровідників– число витків на одиниці довжини

Соленоїда; NФізика напівпровідників, тому

Фізика напівпровідників (4.37)

Підставивши (4.37) у (4.35), знайдемо

Фізика напівпровідників – (4.38)

індуктивність довгого соленоїда.

Розглянемо тепер два близько розміщених провідних контури. Нехай по одному з цих контурів тече електричний струм силою Фізика напівпровідників (мал.4.16).

Фізика напівпровідників– власний магнітний потік першого контура Частину цього магнітного потоку, який перетинає другий контур, позначимо Фізика напівпровідників. Очевидно, що Фізика напівпровідників, тобто Фізика напівпровідників, де Фізика напівпровідників– коефіцієнт взаємної індукції контурів 2 і 1. Якщо Фізика напівпровідників змінюється, то змінюється і Фізика напівпровідників, і в контурі 2 виникає е.р.с. взаємоіндукції

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників. (4.39)

Якщо, навпаки, змінний струм тече в контурі 2, а е.р.с. індукується в контурі 1, то отримаємо аналогічний результат: Фізика напівпровідників;

Фізика напівпровідників, (4.40)

де Фізика напівпровідників– коефіцієнт взаємної індукції контурів 1 і 2. Можна довести, що Фізика напівпровідників, тобто можна говорити про коефіцієнт взаємної індукції двох контурів. Цей коефіцієнт залежить від розмірів та форми контурів, магнітної проникності навколиш-нього середовища та від їх взаємного розміщення. Так, для двох котушок, що мають спільне тороїдальне осердя, (мал.4.17)

Фізика напівпровідників, (4.41)

де l – довжина середньої лінії осердя, Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників – кількості витків першої та другої котушок.


§ 4.9. Енергія магнітного поля. Густина енергії магнітного поля


Провідник зі струмом завжди оточений магнітним полем, причому магнітне поле з’являється і зникає разом із виникненням та зникненням електричного струму. Оскільки магнітне поле, як і електричне, володіє енергією, то очевидно, що енергія магнітного поля дорівнює роботі, виконаній джерелом при створенні цього струму.

Розглянемо контур індуктивністю L, по якому тече струм силою І. Власний магнітний потік Фізика напівпровідників. При зміні сили струму на dI магнітний потік змінюється на dФФізика напівпровідників. При цьому, згідно (4.32), джерело струму виконує роботу Фізика напівпровідників.

Проінтегрувавши останній вираз, отримаємо Фізика напівпровідників.

Отже, енергія магнітного поля контура

Фізика напівпровідників. (4.42)

Знайдемо тепер енергію магнітного поля всередині довгого соленоїда. Підставивши (4.38) у (4.42), отримаємо

Фізика напівпровідників.

Враховуючи, що об’єм магнітного поля практично співпадає з об’ємом соленоїда Фізика напівпровідників, а напруженість магнітного поля в соленоїді Фізика напівпровідників, останній вираз запишемо у вигляді

Фізика напівпровідників. (4.43)

Введемо тепер поняття густини енергії магнітного поля як енергії одиниці об’єму поля

Фізика напівпровідників. (4.44)

Підставивши (4.43) у (4.44), для густини енергії магнітного поля одержимо

Фізика напівпровідників. (4.45)

Формула (4.45), виведена для однорідного поля всередині соленоїда, лишається справедливою для будь-якого магнітного поля.


§ 4.10. Магнітне поле в речовині


У всіх тілах, що знаходяться в магнітному полі, виникає результуючий магнітний момент. Це явище називають намагнічуванням, а відповідне тіло – магнетиком.

Магнітне поле в магнетику складається з двох частин: поля макрострумів, що течуть по провідниках, з індукцією Фізика напівпровідників і власного поля Фізика напівпровідників, створеного мікрострумами середовища. Індукція результуючого магнітного поля в магнетику Фізика напівпровідників.

В молекулах речовини циркулюють замкнені струми; кожен такий струм має магнітний момент; у відсутності зовнішнього магнітного поля молекулярні струми, внаслідок теплового руху молекул, орієнтовані хаотично і створене ними середнє поле дорівнює нулю. У зовнішньому полі магнітні моменти молекул орієнтуються переважно вздовж напрямку Фізика напівпровідників( в деяких речовинах, так званих діамагнетиках,– проти зовнішнього поля), внаслідок чого речовина намагнічується. Кількісною характеристикою намагнічування речовини є вектор намагнічування (Фізика напівпровідників), рівний векторній сумі магнітних моментів Фізика напівпровідників усіх молекул в одиниці об’єму речовини:

Фізика напівпровідників. (4.46)

Вектор намагнічування пропорційний напруженості магнітного поля:

Фізика напівпровідників. (4.47)

Коефіцієнт пропорційності Фізика напівпровідників називається магнітною сприйнятливістю; це безрозмірна величина, що залежить від природи магнетика.

Величини Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників, а також Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників зв’язані між собою:

Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників.

Крива залежності В (Н) називається кривою намагнічування.

Речовини, для яких Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників, Фізика напівпровідників, називаються парамагнетиками (Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників; Fe ClФізика напівпровідників).

Речовини, для яких Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників, називаються діамагнетиками (Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників; Zn; Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників; He; Аr; Сr; Ne).

Речовини, для яких Фізика напівпровідників, називаються феромагнетиками (Fe; Со; Ni).

Феромагнетики відрізняються від парамагнетиків і діамагнетиків рядом властивостей:

а) крива намагнічування феромагнетика має складний характер (мал. 4.18), тоді як для парамагнетиків вона являє собою пряму з додатнім кутовим коефіцієнтом, а для діамагнетиків – пряму з від’ємним кутовим коефіцієнтом;

б)магнітна проникність Фізика напівпровідників феромагнетиків залежить від напруженості поля; у діа- і парамагнетиків – не залежить;

в) розмагнічений феромагнетик намагнічується зовнішнім магнітним полем; залежність В(Н) виражається кривою 01 (мал.4.18). При зменшенні Н до нуля В(Н) змінюється по кривій 1-2; має місце відставання зміни індукції від зміни напруженості. Це явище називається магнітним гістерезисом. Магнітна індукція, що зберігається в феромагнетику після зникнення зовнішнього поля (коли Н=0), називається залишковою магнітною індукцією (Вr). Щоб розмагнітити феромагнетик, треба зняти залишкову індукцію; для цього потрібно створити поле протилежного напрямку. Напруженість поля Нс (відрізок 03 на мал.4.18), при якій магнітна індукція дорівнює нулю, називається коерцитивною силою.

Така залежність В (Н) називається петлею гістерезису.

Властивості феромагнетиків пояснюються наявністю в них областей спонтанної намагніченості – доменів. Розташування магнітних моментів доменів у відсутності зовнішнього поля – хаотичне, тому і сумарна намагніченість дорівнює нулю. В зовнішньому полі магнітні моменти доменів повертаються вздовж поля і феромагнетик намагнічується.

§ 4.11. Вільні електромагнітні коливання


Вільні електромагнітні коливання виникають в ідеальному коливному контурі, що складається з конденсатора ємністю С та котушки індуктивністю L (мал.4.19). Конденсатор заряджається від джерела постійної напруги (ключ К в положенні 1) і в момент часу t=0 під’єднується до котушки (ключ К в положенні 2). Процес розрядки конденсатора супроводжується збільшенням сили струму в котушці; отже, з’являється е.р.с. самоіндукції. Згідно з правилом Лєнца, струм самоіндукції тече проти струму розрядки. Через чверть періода конденсатор повністю розряджений, а сила струму в котушці досягає максимуму. Далі сила струму в котушці зменшується, а струм самоіндукції, згідно з правилом Лєнца, тече в тому ж самому напрямку, що і струм розрядки, перезаряджаючи конденсатор. Далі такі процеси повторюються у зворотньому напрямку, і в момент часу t=T система повертається у вихідний стан.

Періодичні зміни заряду на пластинах конденсатора та сили струму в котушці називаються електромагнітними коливаннями. Якщо втрати енергії на нагрівання відсутні (контур ідеальний, R=0), то коливання будуть незгасаючими. Запишемо для такого контура 2-й закон Кірхгофа: Фізика напівпровідників, де Фізика напівпровідників – напруга на конденсаторі, Фізика напівпровідників–е.р.с. самоіндукції. Підставивши вирази для цих двох величин в 2-й закон Кірхгофа, після нескладних перетворень отримаємо

Фізика напівпровідників, (4.48)

де Фізика напівпровідників – циклічна частота вільних електромагнітних коливань (власна частота). (4.48) являє собою диференціальне рівняння вільних електромагнітних коливань; його розв’язок має вигляд

Фізика напівпровідників (4.49)

(кінетичне рівняння вільних електромагнітних коливань). Період вільних електромагнітних коливань

Фізика напівпровідників (4.50)

(формула Томсона).

Знайдемо тепер вираз для сили струму в котушці контура: Фізика напівпровідників, або

Фізика напівпровідників (4.51)

Видно, що коливання сили струму І випереджують коливання заряду q на чверть періода (мал. 4.20).

При вільних гар-монічних коливан-нях в коливному контурі відбуває-ться періодичне перетворення енер-гії електричного поля конденсатора Фізика напівпровідників в енер-гію магнітного поля котушки: Фізика напівпровідників.

Величини Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників змінюються від 0 до максимальних значень, рівних, відповідно, Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників. Коливання Фізика напівпровідників і Wм зміщені за фазою: в ті моменти часу, коли Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників і навпаки. Повна енергія електромагнітних коливань в контурі з часом не змінюється:

Фізика напівпровідників. (4.52)


§ 4.12. Згасаючі електромагнітні коливання


Згасання коливань в реальному коливному контурі, опір якого RФізика напівпровідників, обумовлене втратою енергії на нагрівання провідників.

Запишемо для реального контура (мал.4.21) 2-й закон Кірхгофа:

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників (4.53)

де Фізика напівпровідників – напруга на конденсаторі, Фізика напівпровідників – напруга на опорі, Фізика напівпровідників– е.р.с. самоіндукції. Підставивши вирази для цих величин в (4.53), після нескладних перетворень одержимо диференціальне рівняння згасаючих електромагнітних коливань

Фізика напівпровідників, (4.54)

де Фізика напівпровідників – коефіцієнт згасання, Фізика напівпровідників – власна циклічна частота. Розв’язок (4.54) має вигляд

Фізика напівпровідників , (4.55)

що є кінематичним рівнянням згасаючих електромагнітних коливань. Частота згасаючих коливань

Фізика напівпровідників. (4.56)

Графік згасаючих коливань, побудований згідно (4.55), зображений на (мал.4.22).

Логарифмічний декремент згасання – це логарифм відношення двох амплітуд, розділених в часі на один період:

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників. (4.57)

Ця формула встановлює зв’язок між логарифмічним декрементом, коефіцієнтом згасання та періодом згасаючих коливань.


§ 4.13. Вимушені електромагнітні коливання


Для здійснення вимушених електромагнітних коливань в коливний контур потрібно включити джерело змінної напруги Фізика напівпровідників (мал.4.23).

Запишемо 2-й закон Кірхгофа для такого контура

Фізика напівпровідників, (4.58)

де Фізика напівпровідників – напруга на конденсаторі, Фізика напівпровідників – напруга на опорі, Фізика напівпровідників– е.р.с. самоіндукції. Підставивши вирази для цих величин в (4.58) після перетворень отримаємо

Фізика напівпровідників, (4.59)

тобто диференціальне рівняння вимушених електромагнітних коливань, в якому Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників. Його розв’язок для коливань, що встановились, має вигляд

Фізика напівпровідників, (4.60)

де Фізика напівпровідників – (4.61)

амплітуда вимушених коливань,

Фізика напівпровідників – (4.62)

початкова фаза вимушених коливань.

Графік вимушених коливань приведений на (мал.4.24).Як видно з (4.61), амплітуда вимушених коливань залежить від співвідношення між частотою змінної напруги Фізика напівпровідників і власною частотою контура Фізика напівпровідників.

Графік залежності q0Фізика напівпровідників приведений на мал.4.25. При деякій частоті змінної напруги, яка називається резонансною, амплітуда вимушених коливань досягає максимуму (мал.4.25). Явище різкого зростання амплітуди вимушених коливань при наближенні частоти змінної напруги до резонансної називається резонансом. Можна показати, що

Фізика напівпровідників. (4.63)

В ідеальному контурі (R=0), як видно з (4.63), Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників, коли Фізика напівпровідників(див.4.61).

Знайдемо вираз сили струму Фізика напівпровідників. З урахуванням (4.60) і (4.61) після перетворень отримаємо

Фізика напівпровідників,Фізика напівпровідників (4.64)

Вираз (4.64) являє собою закон Ома для кола змінного струму, де повний опір (імпеданс) контура

Фізика напівпровідників, (4.65)

Фізика напівпровідників – індуктивний опір котушки, Фізика напівпровідників – ємнісний опір конденсатора, R – активний опір контура.


§ 4.14. Рівняння Максвела для електромагнітного поля. Електромагнітні хвилі


Максвел створив теорію електромагнітного поля, яка дозволила з єдиної точки зору пояснити електричні та магнітні явища. В її основі лежать 4 рівняння (рівняння Максвела в інтегральній формі):

Фізика напівпровідників

це рівняння показує, що джерелами електричного поля можуть бути не тільки електричні заряди, але і змінні магнітні поля: в кожній точці простору, внаслідок зміни з часом індукції магнітного поля, утворюється вихрове електричне поле, напруженість якого Фізика напівпровідників лежить в площині, перпендикулярній Фізика напівпровідників.

Фізика напівпровідників

це рівняння показує, що магнітні поля можуть створюватись як електричним струмом, так і змінним електричним полем. Змінний струм, на відміну від постійного, проходить через конденсатор; але цей струм не являється струмом провідності; він називається струмом зміщення. Струм зміщення являє собою змінне електричне поле; його густина Фізика напівпровідників

Фізика напівпровідників – теорема Гауса для електричного поля.

Фізика напівпровідників – теорема Гауса для магнітного поля.

Величини, що входять в рівняння Максвела зв’язані між собою співвідношеннями

Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників

(Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників – електрична і магнітна сталі, відповідно,

Фізика напівпровідників – діелектрична та магнітна проникності,

Фізика напівпровідників – питома електропровідність).

Сукупність змінних електричного та магнітного полів, що нерозривно зв’язані одне з одним, називається електромагнітним полем.

Можна показати, що перші два рівняння Максвела можна перетворити таким чином:

Фізика напівпровідників (4.66)

тобто вектори напруженостей Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників змінного електромагнітного поля задовольняють хвильовому рівнянню Фізика напівпровідників Будь-яка функція, що задовольняє хвильовому рівнянню, описує деяку хвилю. Отже, з рівнянь Максвела випливає, що електромагнітне поле існує у вигляді електромагнітних хвиль. Їх основні властивості:

а) вектори напруженостей електричного і магнітного полів Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників в електромагнітній хвилі перпендикулярні, як один до одного, так і до напрямку поширення хвилі.

б) коливання векторів Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників відбуваються синфазно в часі і просторі, тобто Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників одночасно досягають максимуму і одночасно перетворюються на нуль (див. мал.4.26);

в) миттєві значення Е та Н зв’язані співвідношенням

Фізика напівпровідників; (4.67)

г) швидкість розповсюдження електромагнітної хвилі залежить від властивостей середовища

Фізика напівпровідників (4.68)

де Фізика напівпровідників – швидкість світла у вакуумі, Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників – електрична та магнітна проникності середовища. Оскільки Фізика напівпровідників, а Фізика напівпровідників, то Фізика напівпровідників, тобто швидкість розповсюдження електромагнітних хвиль у середовищах завжди менша ніж у вакуумі.

Хвильовому рівнянню (4.66) задовольняє, зокрема, плоска біжуча хвиля. Рівняння плоскої електромагнітної хвилі, що розповсюджується вздовж осі х:

Фізика напівпровідників, (4.69)

де Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників– амплітуди напруженостей електричного і магнітного полів, відповідно,Фізика напівпровідників – циклічна частота, х – координата, v – швидкість розповсюдження хвилі, Фізика напівпровідників – початкова фаза хвилі.

Електромагнітні хвилі переносять енергію. Об’ємна густина енергії електромагнітної хвилі дорівнює сумі об’ємних густин енергії електричного Фізика напівпровідниківі магнітного Фізика напівпровідників полів:

Фізика напівпровідників.

З використанням (4.67) останнє рівняння можна привести до вигляду

Фізика напівпровідників, (4.70)

де Фізика напівпровідників – швидкість розповсюдження електромагнітних хвиль у середовищі.

Перенос енергії електромагнітною хвилею характеризується вектором Пойнтінга Фізика напівпровідників, модуль якого дорівнює енергії, що переноситься хвилею за одиницю часу через площадку одиничної площі, перпендикулярну до напрямку розповсюдження хвилі.

Фізика напівпровідників (4.71)

Електромагнітні хвилі мають широкий діапазон частот, відрізняються за способами генерації та застосуванням (див. шкалу електромагнітних хвиль).

Шкала електромагнітних хвиль


Вид

випромінювання

Довжини хвиль,

м

Частоти,

Гц

Основні способи генерації та застосування
Радіохвилі

Фізика напівпровідників


Фізика напівпровідників

Генератори електромагніт-них коливань різних конст-рукцій. Використовуються в телеграфії, телебаченні, раді-олокації, радіоастрономії.

Інфрачервоні

промені

Фізика напівпровідників

Фізика напівпровідників


Випромінювання нагрітих тіл (дугові та газорозрядні лампи). Використовуються в інфрачервоній спектроскопії, при фотографуванні в темно-ті.
Видиме світло

Фізика напівпровідників

Фізика напівпровідників

Лампи, лазери.
Ультрафіолетові промені

Фізика напівпровідників


Фізика напівпровідників

Випромінювання Сонця, ртутні лампи. Використову-ються в ультрафіолетовій мі-кроскопії, в медицині.
Рентгенівські промені

Фізика напівпровідників


Фізика напівпровідників

Трубки Рентгена (Пулюя). Використовуються в медич- ній діагностиці, дефектоско-

пії.

Фізика напівпровідниківпромені


Фізика напівпровідників


Фізика напівпровідників

Виникають при радіоактив- них розпадах ядер. Викорис- товуються в Фізика напівпровідниківспектроско- пії.

Розділ V. Оптика. Теорія відносності.


§ 5.1. Закони відбивання і заломлення світла. Явище повного внутрішнього відбивання


В основі геометричної оптики лежать закони відбивання і заломлення світла.

Закон відбивання твердить, що відбитий промінь лежить в одній площині з падаючим променем і нормаллю, проведеною в точці падіння; при цьому кут відбивання рівний куту падіння (Фізика напівпровідників.

Закон заломлення: промінь падаючий, заломлений і нормаль в точці падіння лежать в одній площині. Відношення синуса кута падіння Фізика напівпровідників до синуса кута заломлення Фізика напівпровідників є величина стала для даної пари двох середовищ і рівна відносному показнику заломлення другого середовища відносно першого Фізика напівпровідників (мал.5.1)

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників (5.1)

Відносний показник заломлення Фізика напівпровідників – це відношення абсолютних показників заломлення середовищ Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників, де Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників (с – швидкість світла у вакуумі, Фізика напівпровідників іФізика напівпровідників – швидкості світла в першому і другому середовищах).

Отже,

Фізика напівпровідників (5.2)

Якщо промінь поширюється з оптично більш густого середовища в менш густе (Фізика напівпровідниківто при деякому граничному куті падіння Фізика напівпровідників заломлений промінь буде ковзати по межі поділу двох середовищ, тобто Фізика напівпровідників При куті падіння Фізика напівпровідників світловий промінь повністю відбивається. В цьому полягає суть явища повного внутрішнього відбивання (мал.5.2). Очевидно, в цьому випадку

Фізика напівпровідників (5.3)

На явищі повного внутрішнього відбивання базується робота приладів (рефрактометрів), які дозволяють визначати показник заломлення середовища.


§ 5.2. Тонкі лінзи.


Лінза називається тонкою, якщо її товщина d мала порівняно з радіусами кривизни її поверхонь R1 і R2 (мал.5.3).

Головною оптичною віссю лінзи називають пряму, що проходить через центри кривизни її поверхонь. Можна вважати, що в такій лінзі точки перетину головної оптичної осі з обома поверхнями лінзи співпадають. Цю точку називають центром лінзи. Промені, які проходять через центр лінзи, не зазнають заломлень.

Величину

Фізика напівпровідників (5.4)

називають оптичною силою тонкої лінзи Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників іФізика напівпровідників – абсолютні показники заломлення для матеріалу лінзи і оточуючого середовища). Для збирної (додатньої) лінзи Ф>0, для розсівної (від’ємної) Ф<0. Точки, що лежать на головній оптичній осі лінзи по обидві сторони від оптичного центру на відстанях, f, Фізика напівпровідників називають головними фокусами лінзи (мал.5.4).

Для першого головного фокуса F

Фізика напівпровідників (5.5)

Аналогічно друга головна фоку-

сна відстань

Фізика напівпровідників (5.6)

Площини, які проходять через головні фокуси F і Фізика напівпровідників лінзи ерпендикулярно до головної оптичної осі, називаються фокальними площинами лінзи.

Найчастіше буває, що речовина по обидва боки від лінзи одна й таж (наприклад, повітря). Тоді головні фокусні відстані чисельно дорівнюють одна одній. Протилежні знаки означають, що головні фокуси лежать з різних боків від лінзи. Для збирної лінзи (оскільки Ф>0) Фізика напівпровідників, для розсівної лінзи (оскільки Ф<0) Фізика напівпровідників

Для лінз справедлива формула

Фізика напівпровідників, (5.7)

або у вигляді

Фізика напівпровідників (5.8)

де всі відрізки відраховуються від центра лінзи, а радіуси кривизни завжди напрямлені від вершини поверхні до центра сферичної поверхні. Вони вважаються додатніми, якщо напрямлені в сторону поширення світла. Кути відраховуються від напрямку головної оптичної осі і вважаються додатніми, якщо вони відраховані за стрілкою годинника. Відрізки, перпендикулярні до оптичної осі, відраховуються від оптичної осі; вони додатні вище оптичної осі і від’ємні нижче оптичної осі.

При розв’язуванні задач основне рівняння тонкої лінзи (5.7) записують у вигляді:

Фізика напівпровідників (5.9)

де Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників, знак плюс відповідає збирній лінзі, знак мінус – розсівній.

Лінійне збільшення для тонкої лінзи визначається як

Фізика напівпровідників. (5.10)

Для дійсних зображень Г<0, тобто вони обернені; для уявних зображень Г>0, тобто вони прямі.

Оптична сила Ф центрованої системи двох тонких лінз на відстані d одна від одної з оптичними силами Ф1 і Ф2 дорівнює

Фізика напівпровідників. (5.11)


§ 5.3. Інтерференція світла


Інтерференція світла – це явище накладання когерентних світлових хвиль, в результаті якого відбувається перерозподіл світлової енергії в просторі. В точках простору, куди когерентні хвилі приходять у фазі, вони підсилюють одна одну; в точках, куди вони попадають в протифазі, відбувається послаблення світла. На екрані спостерігається характерна інтерференційна картина у вигляді чергування темних і світлих смуг – максимумів і мінімумів освітленості, якщо падаюче світло моно- хроматичне.

Хвилі називаються когерентними, якщо їхня різниця фаз не залежить від часу.

У випадку максимуму інтенсивності інтерференційної картини в оптичній різниці ходу двох когерентних хвиль вкладається ціле число довжин хвиль (у вакуумі) Фізика напівпровідників тобто

Фізика напівпровідників (k=0, 1, 2, …) (5.12)

У середовищі довжина хвилі Фізика напівпровідників Мінімум інтерференції спостерігається, коли в оптичній різниці ходу вкладається непарне число півхвиль, тобто

∆=Фізика напівпровідників(2k+1)Фізика напівпровідників (k=0, 1, 2, …) (5.13)

Оптичною довжиною шляху променя називають добуток геометричного шляху променя на показник заломлення середовища.

Природні джерела світла не є когерентними. Це зумовлене тим, що акти випромінювань атомів відбуваються при хаотичній зміні різниці фаз. Для отримання когерентних світлових хвиль за допомогою звичайних джерел світла застосовують метод поділу світла від одного джерела (метод поділу амплітуди або фронту хвилі) на дві або декілька систем хвиль. В кожній з них представлене випромінювання одних і тих же атомів джерела, тому внаслідок однакового походження ці хвилі когерентні.

Поділ фронту хвилі відбувається при інтерференції на двох щілинах (дослід Юнга), дзеркалах Френеля, біпризмі Френеля. Поділ амплітуди світлових хвиль має місце при інтерференції на тонких плівках (плоскопаралельна пластинка, клин).

Можна показати, що відстань від центра інтерференційної картини до k–го інтерференційного максимуму

Фізика напівпровідників (5.14)

а мінімуму

Фізика напівпровідників (5.15)

де Фізика напівпровідників – довжина хвилі, L – відстань від екрана до джерел світла, d – відстань між джерелами. Зі співвідношень (5.14) і (5.15) видно, що відстань між інтерференційними смугами дорівнює

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників (5.16)

Умови максимумів і мінімумів інтерференції світла на плоскопаралельній пластинці (клину) у відбитому світлі визначаються співвідношеннями:

Фізика напівпровідників (k=0, 1, 2, …) (5.17)

Фізика напівпровідників (k=0, 1, 2, …) (5.18)

де d – товщина пластинки, Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників– абсолютні показники заломлення середовищ, і – кут падіння променя на пластинку (мал.5.6).

У прохідному світлі умови підсилення і послаблення світла міняються місцями.

Інтерференційна картина на плоско-паралельній пластинці локалізована в нескінченності. Вона являє собою смуги рівного нахилу.

Умови (5.17) і (5.18) справедливі також для клину (клиноподібних плівок). У цьому випадку інтерференційна картина являє собою смуги рівної товщини і локалізована біля поверхні клину.

Явище інтерференції використовують в точних вимірювальних приладах – інтерферометрах, які з високою точністю дозволяють вимірювати відрізки довжин (похибка порядку Фізика напівпровідниківм), показники заломлення (інтерференційний рефрактометр). Інтерферометри також застосовують для спектрального аналізу світла (інтерференційний спектрометр), чистоти обробки поверхні металевих виробів (інтерферометр Лінника).

Вертикальний пучок монохроматичного світла від джерела S падає під кутом Фізика напівпровідників на плоско-паралельну напівпрозору пластинку А. Частина світла відбивається пластиною (промінь 1), а частина–проходить крізь пластинку (промінь 2). Промінь 1 відбивається від дзеркала ДФізика напівпровідників і частково проходить через пластинку А (промінь Фізика напівпровідників. Промінь 2 відбивається від дзеркала ДФізика напівпровідників і повертається до пластинки Фізика напівпровідників двічі проходячи через скляну пластинку К, яка компенсує оптичну різницю ходу в обох плечах інтерферометра. Хвилі Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників когерентні, їх оптична різниця ходу

Фізика напівпровідників (5.19)

де n – абсолютний показник заломлення повітря, а Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників– відстані від точки О до дзеркал ДФізика напівпровідників і ДФізика напівпровідників Якщо Фізика напівпровідників то спостерігається інтерференційний максимум. Зміщення одного з дзеркал на відстань Фізика напівпровідників приводить до появи інтерференційного мінімуму. Таким чином, по зміні інтерференційної картини можна фіксувати малі переміщення.


§ 5.4. Дифракція світла.


1. Принцип Гюйгенса - Френеля. Метод зон Френеля

Дифракція – це явище огинання світловими хвилями перешкод і проникнення світла в область геометричної тіні. Для спостереження дифракції необхідно, щоб розміри перешкод були співмірні з довжиною хвилі світла.

Проникнення світла в область геометричної тіні пояснює принцип Гюйгенса: кожна точка фронту хвилі являється джерелом вторинної сферичної хвилі. Положення фронту хвилі в наступний момент визначається огинаючою фронтів всіх вторинних хвиль. Принцип Гюйгенса не дозволяє знайти інтенсивність дифрагованої хвилі. Цей недолік усунув Френель, який доповнив принцип Гюйгенса уявленням про інтерференцію вторинних хвиль.

Нехай S (мал.5.8) – хвильова поверхня світла, яке поширюється від деякого джерела. Кожен елемент поверхні служить джерелом вторинної хвилі. Ці хвилі –когерентні. Від кожного елемента поверхні dS в точку Р приходить коливання

Фізика напівпровідників (5.20)

Тут Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників – амплітуда і фаза коливання в місці знаходження хвильової поверхні S, k – хвильове число, r – відстань від елемента dS до точки Р. Коефіцієнт Фізика напівпровідників залежить від орієнтації елемента dS відносно r.

Результуюче коливання в точці Р, згідно Френелю, являє суперпозицію коливань всієї хвильової поверхні S:

Фізика напівпровідників (5.21)

Формула (5.21) є аналітичним виразом принципу Гюйгенса-Френеля.

В ряді дифракційних задач, що мають осьову симетрію, розрахунок інтерференції вторинних хвиль спрощується за допомогою розбиття фронту хвилі на кільцеві зони Френеля. Розбиття на зони проводиться таким чином, що оптична різниця ходу від відповідних точок кожної пари сусідніх зон до точки спостереження Р дорівнює Фізика напівпровідників Вторинні хвилі від відповідних точок двох сусідніх зон приходять в точку Р в протифазі і послаблюють одна одну при накладанні (мал.5.9).

Нехай Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників …, Фізика напівпровідників– величини результуючих амплітуд хвиль, які приходять в точку Р від кожної зони. Сумарна амплітуда в точці Р від усього фронту буде дорівнювати

Фізика напівпровідників. (5.22)

За рахунок збільшення кута нахилуФізика напівпровідників з ростом номера зони, амплітуди хвиль монотонно зменшуються Фізика напівпровідників

Можна вважати, що

Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників (5.23)

Тепер результуючу амплітуду А можна записати у вигляді

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників

Очевидно, що вирази в дужках дорівнюють нулю, тоді

Фізика напівпровідників (5.24)

для парного числа зон Френеля. Результуюча амплітуда при цьому мінімальна і в точці Р буде мінімум освітленості. Якщо ж N – непарне, то

Фізика напівпровідників (5.25)

і в точці Р спостерігається максимум освітленості.

Для повністю відкритої хвильової поверхні Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників тому Фізика напівпровідників тобто дія всієї хвильової поверхні еквівалентна дії половини центральної зони Френеля.

Якщо дифракція світла відбувається на круглому диску, який закриває N перших зон Френеля, то результуюча амплітуда в точці Р буде визначатися величиною

Фізика напівпровідників (5.26)

Дифракційна картина у цьому випадку має вигляд концентричних світлих і темних кілець. В центрі картини при довільному N (парному, чи непарному) спостерігається світла пляма (пляма Пуасона). При збільшенні розмірів диска величина амплітуди Фізика напівпровідників буде зменшуватись. Врешті-решт при досить великих розмірах диска Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників При цьому в точці Р буде темна пляма – геометрична тінь.

Таким чином, закони геометричної оптики можна застосовувати у тих випадках, коли розміри перешкод і отворів великі порівняно з довжиною хвилі світла.

2. Дифракція Фраунгофера


Дифракцією Фраунгофера називається дифракція плоских хвиль. Дифракція Фраунгофера має більше практичне значення, ніж дифракція Френеля (дифракція сферичних хвиль).

Розглянемо довгу прямокутну щілину BС шириною b, на яку нормально падає паралельний пучок монохроматич- ного світла (мал.5.10). Згідно з принципом Гюйгенса-Френеля, точки щілини являються когерентними вторинними джерелами, що коливаються в одній фазі (площина щілини співпадає з фронтом хвилі).

За допомогою лінзи Л на екрані Е спостерігається дифракційна картина, яка являє собою систему максимумів і мінімумів. Знайдемо умови спостереження максимумів і мінімумів. Для цього розіб’ємо фронт хвилі ВС на зони Френеля таким чином, щоб оптична різниця ходу від країв сусідніх зон у певному напрямку поширення дифрагованої хвилі під кутом дифракції Фізика напівпровідників складала половину довжини хвилі Фізика напівпровідників З мал.5.10 видно, що ширина зони Френеля дорівнює Фізика напівпровідників Якщо число зон парне, тобто

Фізика напівпровідників (mФізика напівпровідників1,2,3,…), (5.27)

то під кутом Фізика напівпровідників спостерігається дифракційний мінімум. Випромінювання відповідних точок сусідніх зон відбувається у протифазі, через те сусідні зони гасять одна одну.

Якщо число зон непарне, тобто

Фізика напівпровідників, (mФізика напівпровідників1, 2, 3, …), (5.28)

то спостерігається дифракційний максимум, який відповідає дії однієї нескомпенсованої зони Френеля. Величина m називається порядком дифракційного максимуму.

Амплітуда хвилі в точці спостереження одержується на основі принципу Гюйгенса-Френеля:

Фізика напівпровідників (5.29)

де Фізика напівпровідників– амплітуда в центрі дифракційної картини при Фізика напівпровідників

Розподіл інтенсивностей Фізика напівпровідників:

Фізика напівпровідників (5.30)

Цей розподіл показаний на мал.5.11.

Перейдемо до дифракції на одномірній дифракційній решітці, яка являє собою систему N однакових паралельних щілин шириною а, розміщених на однакових відстанях b. Величина d=a+b називається періодом решітки. Сучасна дифракційна решітка має до 1200 щілин (штрихів) на 1 мм.

Дифракційна картина після решітки складніша порівняно з картиною від однієї щілини. Це зумовлене тим, що відбувається інтерференція хвиль, які йдуть від різних щілин решітки. Крім того, має місце підсилення максимумів і їх звуження.

Якщо світло падає нормально на решітку, то виконуються слідуючі умови:

для головних максимумів: Фізика напівпровідників (mФізика напівпровідників0, 1, 2, …); (5.31)

для головних мінімумів: Фізика напівпровідників (nФізика напівпровідників1, 2, 3, …); (5.32)

для додаткових мінімумів: Фізика напівпровідників (5.33)

(k–довільні цілі додатні числа крім 0, N, 2N, 3N, …).

Розподіл інтенсивності на екрані спостереження:

Фізика напівпровідників (5.34)

де Фізика напівпровідників–інтенсивність в напрямку Фізика напівпровідників для однієї щілини. В головних максимумах інтенсивність в Фізика напівпровідників разів більша, ніж дає у відповідних місцях щілина. При великому значенні N вторинні максимуми майже непомітні на екрані, їх інтенсивність не більша 5% від інтенсивності головного максимуму.

На мал.5.12 показана дифракційна картина після дифракційної решітки в білому (Фізика напівпровідників світлі (вторинні максимуми не зображені).

З умови головних максимумів випливає, що для всіх порядків, крім mФізика напівпровідників, біле світло розкладається в спектр. Тому дифракційна решітка використовується як диспергуючий елемент в спектрометрах.

Важливою характеристикою оптичних приладів є їхня роздільна здатність. Згідно з критерієм Релея, зображення двох близьких точок можна вважати розділеними, якщо центральний дифракційний максимум від однієї точки співпадає з першим дифракційним мінімумом для другої точки.

Для об’єктива роздільна здатність

Фізика напівпровідників (5.35)

де D – діаметр об’єктива, Фізика напівпровідників – довжина хвилі світла.

Мірою роздільної здатності дифракційної решітки (спектрального приладу) прийнято вважати відношення довжини хвилі Фізика напівпровідників біля якої виконується вимірювання до мінімального роздільного інтервалу Фізика напівпровідників тобто Фізика напівпровідників Користуючись критерієм Релея, можна показати, що

Фізика напівпровідників (5.36)

де m – порядок спектру, N – кількість щілин дифракційної решітки.

Дифракція рентгенівських променів

Відстань між атомами в кристалі (Фізика напівпровідників співмірна з довжиною хвилі рентгенівського випромінювання, тому кристалічна решітка може служити просторовою дифракційною решіткою для рентгенівських променів.

Якщо на кристал спрямувати потік рентгенівського випромінювання від рентгенівської трубки з неперервним спектром, то для даного кристалу знайдуться промені з такою довжиною хвилі Фізика напівпровідників що умови дифракції будуть виконуватись.

Розрахунок дифракційної картини від кристалічної решітки можна провести слідуючим простим способом. Проведемо через вузли кристалічної решітки паралельні рівновіддалені площини (атомні площини). Якщо падаюча на кристал хвиля – плоска, то і огинаюча вторинних хвиль, які породжені атомами даного атомного шару, також буде площиною. Плоскі вторинні хвилі, відбиті від різних атомних площин, – когерентні і будуть давати інтерференційну картину. При цьому, як і у випадку дифракційної решітки, вторинні хвилі будуть практично гасити одна одну у всіх напрямках крім тих, для яких різниця ходу між сусідніми хвилями буде кратною Фізика напівпровідників.

З мал 5.13 видно, що різниця ходу для хвиль, які відбились від сусідніх атомних площин, дорівнює 2dsinФізика напівпровідників, де d – період кристалічної решітки, Фізика напівпровідників– кут ковзання падаючих променів.

Напрямки, в яких спостеріга-ються дифракційні максимуми, визначаються умовою Вульфа-Брегга:

2dsinФізика напівпровідників (mФізика напівпровідників1, 2, 3, …). (5.37)

Наявність багатьох атомних площин призводить лише до того, що максимуми інтенсивностей стають більш гострими, як і при збільшенні числа щілин дифракційної решітки.

Дифракція рентгенівських променів від кристалів має два основних практичних застосування. Вона використовується для визначення спектрального складу рентгенівського випромінювання (рентгенівська спектроскопія). Визначаючи напрямки дифракційних максимумів досліджуваного рентгенівського випромінювання від кристалів з відомою структурою можна обчислити (за формулою 5.37) довжини хвиль.

Друге практичне використання – вивчення структури кристалів (рентгеноструктурний аналіз). У цьому випадку за відомим спектральним складом падаючого випромінювання знаходять міжатомні відстані в кристалі. Існують різні методики рентгеноструктурного аналізу (метод Лауе, метод Дебая).


§ 5.5. Поляризація світла.


Типи поляризації. Поляризація при відбиванні

Світлова хвиля складається з багатьох цугів електромагнітних хвиль, що випромінюються окремими атомами. Площина коливань (площина коливань вектора Фізика напівпровідників) для кожного цугу орієнтована випадково. Тому в природному світлі коливання різних напрямків швидко і хаотично змінюють одне одного.

Світло, в якому напрямок коливань якимось чином впорядкований, називається поляризованим. Якщо коливання світлового вектора (вектора Фізика напівпровідників) відбувається в одній площині, світло називають плоско- (або лінійно-) поляризованим.

Площиною поляризації називають площину, перпендикулярну до площини коливань (мал.5.14).

Якщо кінець вектора Фізика напівпровідників описує еліпс, то світло називається еліптично-поляризованим. Таке світло можна представити як суму двох когерентних плоскополяри-зованих хвиль, площини коливань яких взаємно перпендикулярні. Проекції світлових векторів на відповідні осі змінюються по закону:

Фізика напівпровідників. (5.38)

При різниці фаз Фізика напівпровідників еліпс вироджується в пряму – маємо плоскополяризоване світло. При різниці фаз Фізика напівпровідників і рівності амплітуд еліпс перетворюється в коло. В цьому випадку маємо циркулярно-поляризоване світло (кругова поляризація).

В залежності від напрямку обертання вектора Фізика напівпровідниківрозрізняють праву і ліву еліптичну і кругову поляризації.

Плоскополяризоване світло можна отримати з природного за допомогою поляризаторів. Ці прилади вільно пропускають коливання паралельно площині поляризатора і повністю затримують коливання, перпендикулярні до цієї площини.

Нехай на поляризатор падає плоскополяризоване світло амплітуди Фізика напівпровідників з інтенсивністю Фізика напівпровідників (мал.5.15). Крізь прилад пройде складова коливання з амплітудою Фізика напівпровідників де Фізика напівпровідників – кут між площиною коливань падаючого світла і площиною поляризатора. Інтенсивність світла, що пройшло через поляризатор

Фізика напівпровідників (5.39)

Це співвідношення носить назву закону Малюса.

Поляризований промінь можна також отримати при відбиванні світла на межі поділу двох середовищ. При куті падіння, який задовольняє умові

Фізика напівпровідників (5.40)

(закон Брюстера) відбитий промінь – повністю поляризований. Коливання у відбитому промені відбуваються у площині, перпендикулярній до площини падіння. Ступінь поляризації заломленого променя при куті падіння Фізика напівпровідників – максимальний, однак цей промінь лишається поляризованим лише частково (мал.5.16).

Поляризація при подвійному променезаломленні. Поляроїди і поляризаційні призми

При проходженні світла через анізотропні кристали відбувається явище подвійного променезаломлення. Падаючий на кристал природний промінь ділиться на два плоскополяризовані – звичайний (0) і незвичайний (е). Звичайний промінь підкоряється закону заломлення. Незвичайний – ні; для нього показник заломлення різний в різних напрямках.

В кожному анізотропному кристалі існує напрямок (або два), вздовж якого подвійне променезаломлення не відбувається. Звичайний і незвичайний промені рухаються з однаковою швидкістю. Такий напрямок називається оптичною віссю кристалу. Існують одноосні кристали (кварц, ісландський шпат) і двоосні (слюда, гіпс). Довільна площина, яка проходить через оптичну вісь, називається головною площиною кристалу. На мал.5.17 Фізика напівпровідників – оптична вісь, тому площина малюнка є головною площиною.

Подвійне променезаломлення лежить в основі роботи поляризаторів: поляризаційних призм і поляроїдів.

Поляризаційна призма Ніколя являє собою призму з ісландського шпату, розрізану по діагоналі і склеєну канадським бальзамом. Показ-ник заломлення канадського бальзаму n лежить між показниками заломлення Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників звичайного і незвичайного променів в кристалі (Фізика напівпровідників). Кут падіння такий, що звичайний промінь зазнає на прошарку клею повне внутрішнє відбивання і не проходить крізь призму. З мал.5.17 видно, що призма Ніколя пропускає лише незвичайний лінійнополяризований промінь.

В деяких кристалах один з променів поглинається сильніше іншого. Це явище називається дихроїзмом. Так, наприклад, в кристалі турмаліну звичайний промінь на довжині 1 мм поглинається практично повністю. Таку ж властивість має поляроїд-целулоїдна плівка, в яку введена велика кількість однаково орієнтованих кристалів сульфату йодистого хініну.

Інтерференція поляризованих променів. Штучна оптична анізотропія

Звичайна і незвичайна хвилі, які поширюються в одноосному кристалі при падінні на нього природного світла, – некогерентні. Якщо ж на одноосний кристал падає лінійнополяризоване світло, то звичайна і незвичайна хвилі в кристалі будуть когерентні. Ці хвилі мають попарно когерентні складові кожного з цугів хвиль, які проходять через поляризатор. Інтерференція поляризованих променів має практичне застосування. Нехай плоскопаралельна пластинка, яка вирізана з одноосного кристалу паралельно його оптичній осі, знаходиться між двома ніколями (мал.5.19). На виході з пластинки між звичайною і незвичайною хвилями виникає різниця фаз

Фізика напівпровідників. (5.41)

Хоча ці хвилі після пластинки – когерентні, однак вони не можуть давати інтерференцію через те, що вони поляризовані у взаємно перпендикулярних площинах. Для спостереження інтерфере-нції цих хвиль необхідно за допомогою аналізатора виді- лити з них складові, які поляризовані в одній площині і тому здатні давати інтерферен-

цію.

Інтерференційна картина після аналізатора залежить від різниці фаз Фізика напівпровідників довжини хвилі Фізика напівпровідників падаючого світла, від кута Фізика напівпровідників між його площиною поляризації і оптичною віссю пластини, а також від взаємної орієнтації площин поляризації поляризатора і аналізатора.

Інтерференцію поляризованих променів спостерігають при штучній анізотропії, яка може бути зумовлена деформацією або електричним полем.

Зеебек і Брюстер (1816) відкрили явище фотопружності, яке полягає в тому, що оптично ізотропне тверде тіло під впливом механічної деформації стає оптично анізотропним (тіло набуває властивостей одноосного кристалу вісь якого направлена вздовж напрямку стиску або розтягу). Різниця показників заломлення Фізика напівпровідників де Фізика напівпровідників–нормальна напруга. Таким чином, помістивши деформоване тіло між поляризатором і аналізатором можна спостерігати інтерференційну картину. По вигляду інтерференційних смуг можна судити про розподіл напруг в досліджуваному тілі ( кожна ізохромата проходить через точки, в яких Фізика напівпровідниківоднакові). Оптичний метод вивчення на прозорих моделях розподілу внутрішніх напруг в деталях і конструкціях широко використовується в сучасній техніці і будівництві.

Штучна анізотропія, викликана електричним полем, була відкрита Кером (1875) і носить назву ефекту Кера. Схема його спостереження зображена на мал.5.20, де П і А – поляризатор і схрещений з ним аналізатор, К – комірка Кера (кювета з рідиною і плоским конденсатором). Під дією однорідного електричного поля ізотропна рідина набуває властивостей одноосного кристалу. При цьому

Фізика напівпровідників (5.42)

де Фізика напівпровідників –довжина хвилі світла у вакуумі, В – стала Кера, Е – напруженість електричного поля.

Анізотропія пояснюється тим, що рідина в електричному полі поляризується і набуває анізотропних властивостей. Орієнтація і дезорієнтація молекул відбувається на протязі Фізика напівпровідників секунди, тому при вимиканні електричного поля практично миттєво зникає світло після аналізатора, тобто комірка Кера працює як безінерційний світловий перемикач.


Обертання площини поляризації

При проходженні лінійно-поляризованого світла через оптично активні речовини (кварц, розчин цукру) площина поляризації світла обертається навколо напрямку поширення променя. Кут повороту Фізика напівпровідників пропорційний шляху Фізика напівпровідників, пройденому променем в речовині:

Фізика напівпровідників (5.43)

Коефіцієнт Фізика напівпровідників називають постійною обертання.

В розчинах кут повороту площини поляризації пропорційний шляху променя в розчині Фізика напівпровідників і концентрації розчину С:

Фізика напівпровідників (5.44)

де Фізика напівпровідників– питома постійна обертання.

Залежність (5.44) використовується для вимірювання невідомої концентрації Фізика напівпровідників за відомою концентрацією розчину Фізика напівпровідників

Фізика напівпровідників (5.45)

де Фізика напівпровідників– кут повороту для невідомої концентрації, Фізика напівпровідників– кут повороту для відомої концентрації.

Явище оптичної активності покладене в основу роботи цукрометрів – приладів для вимірювання концентрації розчинів.


§ 5.6. Квантова природа випромінювання. Теплове випромінювання


Нагріті тіла випромінюють електромагнітні хвилі. Це відбувається внаслідок перетворення енергії теплового руху молекул тіла в енергію випромінювання. Теплове випромінювання знаходиться в рівновазі з випромінюючим тілом, тобто розподіл енергії між тілом і випромінюванням лишається незмінним для кожної довжини хвилі. Таке випромінювання називається рівноважним.

Розглянемо закони теплового випромінювання. Введемо випромінювальну здатність Фізика напівпровідників – кількість енергії, яка випромінюється одиницею площі поверхні тіла за одиницю часу в одиничному інтервалі частот. Енергетична світність, або інтегральна випромінювальна здатність Фізика напівпровідників– це кількість енергії, яка випромінюється одиницею площі за одиницю часу у всьому спектральному діапазоні, тобто

Фізика напівпровідників (5.46)

Поглинальна здатність Фізика напівпровідників визначає долю енергії Фізика напівпровідників падаючих електромагнітних хвиль за одиницю часу на одиницю площі поверхні тіла в діапазоні частот від Фізика напівпровідників до Фізика напівпровідників яка поглинається тілом:

Фізика напівпровідників (5.47)

Тіло називається абсолютно чорним, якщо воно при будь-якій температурі повністю поглинає всі падаючі на нього електромагнітні хвилі:

Фізика напівпровідників. (5.48)

Для довільної частоти і температури відношення випромінювальної здатності тіла до його поглинальної здатності однакове для всіх тіл і дорівнює випромінювальній здатності Фізика напівпровідників абсолютно чорного тіла:

Фізика напівпровідників. (5.49)

Це є закон Кірхгофа в диференціальній формі.

Інтегральна випромінювальна здатність Фізика напівпровідників абсолютно чорного тіла:

Фізика напівпровідників (5.50)

Планк у 1900р. на основі квантових уявлень про випромінювання отримав аналітичний вираз Фізика напівпровідників Згідно Планку енергія кванта випромінювання пропорційна частоті:

Фізика напівпровідників (5.51)

де Фізика напівпровідників – стала Планка.

В результаті,

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників(5.52)

На мал.5.21 зображена залежність спектральної випромінювальної здат-ності абсолютно чорного тіла для різних температур. Площа під кривою Фізика напівпровідників визначає інтегральну випромінювальну здатність абсолютно чорного тіла.

Підставляючи (5.52) в (5.50) і інтегруючи, знайдемо

Фізика напівпровідників (5.53)

Отже, інтегральна випромінювальна здатність абсолютно чорного тіла пропорційна четвертій степені абсолютної температури. Це є закон Стефана-Больцмана. У формулі (5.53) Фізика напівпровідників– постійна Стефана-Больцмана.

Досліджуючи вираз спектральної випромінювальної здатності на екстремум, знайдемо, що частота Фізика напівпровідників при якій спостерігається максимум спектральної випромінювальної здатності абсолютно чорного тіла, пропорційна температурі, або відповідна довжина хвилі

Фізика напівпровідників (5.54)

Це – закон зміщення Віна. Стала Фізика напівпровідників. Згідно закону Віна, максимум спектральної випромінювальної здатності при зростанні температури тіла зміщується у високочастотну ділянку спектра.

На законах Стефана-Больцмана і Віна базується робота пірометрів – приладів, які дозволяють вимірювати високі температури.

§ 5.7. Фотоефект


Розрізняють зовнішній і внутрішній фотоефект. Внутрішній фотоефект спостерігається в напівпровідниках і полягає в тому, що під дією світла електрони відриваються від атома, але залишаються всередині кристалу, в результаті чого збільшується провідність напівпровідника.

Зовнішній фотоефект – це явище виривання електронів з поверхні металу під дією світла. Зовнішній фотоефект був відкритий Герцем у 1887 р. і досліджений Столєтовим у 1888-89 рр. Схема дослідів Столєтова приведена на мал 5.22.

Основні закономірності фотоефекту:

сила фотоструму прямо пропор-ційна інтенсивності світла, яке падає на катод;

фотоефект – безінерційний;

кінетична енергія вирваних елек-тронів збільшується зі збільшенням частоти падаючого світла. Існує мінімальна частота, з якої починається фотоефект. Це – червона межа фотоефекту.

Теоретичне пояснення фото-ефекту дав Ейнштейн у 1905 р. Він використав гіпотезу Планка про квантову природу випромінювання світла і припустив, що енергія поглинутого кванта йде на роботу виходу електрона з металу і на надання електрону кінетичної енергії:

Фізика напівпровідників (5.55)

Це – рівняння Ейнштейна для фотоефекту. З рівняння (5.55) можна знайти найменшу частоту Фізика напівпровідників при якій починається фотоефект. Це і є червона межа фотоефекту:

Фізика напівпровідників (5.56)

§ 5.8. Тиск світла


Тиск світла можна пояснити з квантової точки зору. Кванти світла (фотони) мають масу та імпульс. Маса фотона Фізика напівпровідників визначається з релятивістського співвідношення Ейнштейна Фізика напівпровідників Звідки, враховуючи (5.51), отримаємо

Фізика напівпровідників (5.57)

Залежність маси від швидкості Фізика напівпровідників в застосуванні до фотона Фізика напівпровідників має зміст лише при Фізика напівпровідників Це означає, що маса спокою фотона рівна нулю.

Імпульс фотона, з врахуванням (5.57),

Фізика напівпровідників (5.58)

Нехай на одиницю поверхні тіла за одиницю часу падає n фотонів. При цьому Фізика напівпровідників – число відбитих фотонів (R – коефіцієнт відбивання), і (1-R)n – число поглинутих фотонів. Тоді, за другим законом Ньютона, зміна імпульсу площадки визначатиме тиск світла:

Фізика напівпровідників (5.59)

Враховуючи, що Фізика напівпровідників – інтенсивність світла, отримаємо:

Фізика напівпровідників. (5.60)

Для дзеркальної поверхні Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників, а для чорної (Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників. Таким чином, тиск на дзеркальну поверхню – вдвічі більший, ніж на чорну, що і спостерігав П.М.Лєбєдєв в своїх дослідах з вимірювання тиску світла.

§ 5.9. Ефект Комптона


Досліджуючи розсіювання рентгенівських променів в кристалах, Комптон (1923 р.) встановив, що в розсіяному випромінюванні, крім незміщеної компоненти з довжиною хвилі Фізика напівпровідників, існує зміщена компонента з довжиною хвилі Фізика напівпровідників. При розсіюванні легкими атомами (Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників В) практично все розсіяне випромінювання має зміщену довжину хвилі. По мірі збільшення атомного номера все більша частина випромінювання розсіюється без зміни довжини хвилі.

Ефект Комптона можна пояснити з квантової точки зору, як процес непружного розсіювання рентгенівських фотонів на вільних електронах. Вільними можна вважати слабо зв’язані з атомами електрони.

Нехай Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників – значення енергії і імпульсу фотона до розсіювання. Після зіткнення енергія і імпульс фотона зменшуються: Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників. Звідси випливає, що Фізика напівпровідників. Тобто, в результаті розсіювання частота фотона зменшується (довжина хвилі збільшується). Згідно законів збереження енергії і імпульсу, зміна довжини хвилі фотона при розсіюванні

Фізика напівпровідників, (5.61)

де Фізика напівпровідників – стала величина, яка називається комптонівською довжиною хвилі тієї вільної частинки, на якій відбувається розсіювання (Фізика напівпровідників– маса спокою вільної частинки).

Для електрона Фізика напівпровідників.

Формула (5.61) добре узгоджується з результатами експериментальних досліджень ефекту Комптона.

Таким чином, світло одночасно має властивості неперервних електромагнітних хвиль (інтерференція, дифракція) і властивості дискретних фотонів (фотоефект, ефект Комптона). Воно являє собою діалектичну єдність цих протилежних властивостей. В прояві хвильових і корпускулярних властивостей світла є закономірність: при зменшенні довжини хвилі більш чітко проявляються квантові властивості і навпаки, у довгохвильового випромінювання основну роль відіграють його хвильові характеристики.

Можна зробити висновок, що корпускулярні і хвильові властивості світла не виключають, а, навпаки, взаємно доповнюють одна одну. Зв’язок між корпускулярними і хвильовими характеристиками світла виражається формулою

Фізика напівпровідників, (5.62)

де Фізика напівпровідників – довжина хвилі, p – імпульс фотона, h – стала Планка.

Квадрат амплітуди світлової хвилі в деякій точці простору являється мірою імовірності попадання фотонів в цю точку. Корпускулярні властивості зумовлені тим, що енергія, імпульс і маса випромінювання локалізовані в дискретних частинках – фотонах, хвильові – статистичними закономірностями розподілу фотонів у просторі.


§ 5.10. Гальмівне рентгенівське випромінювання


Рентгенівські промені (Фізика напівпровідників виникають при бомбардуванні швидкими електронами твердих тіл. Такий процес реалізується в рентгені-вських трубках. У найпростішому випадку це – двоелектродна ва-куумна трубка (мал.5. 23), катод К якої є джерелом електронів, що виникають внаслідок явища термоелектронної емісії. Анод А, виготовлений із важких металів (Cu, Fe, Co, W тощо), служить мішенню.

Якщо між катодом і анодом прикладена велика напруга U, то електрони розганяються до енергій еU=104–105еВ. Попадаючи в речовину анода, електрони сильно гальмуються і тому випромінюють електромагнітні хвилі – гальмівне рентгенівське випромінювання.

Відомо, що заряд, який рухається прискорено, є джерелом електромагнітних хвиль із неперервним спектром. Спектр гальмівного рентгенівського випромі-нювання (мал.5.24) хоч і суцільний, але обмежений з боку малих довжин хвиль так званою короткохвильовою межею Фізика напівпровідників. З ростом прискорюючої напруги U Фізика напівпровідників зменшується. Класична електродинаміка не пояснює появи короткохвильової межі гальмівного випромінювання. Її існування безпосередньо випливає з квантової природи випромінювання. Якщо врахувати, що максимальна енергія рентгенівського кванта не може перевищувати кінетичної енергії електрона, то

Фізика напівпровідників. (5.63)

Звідси

Фізика напівпровідників , (5.64)

що відповідає експериментальним вимірюванням. Оскільки електрон віддає довільну частину своєї енергії, то поява електромагнітного випромінювання різних довжин хвиль цілком зрозуміла.

При достатньо великій швидкості електронів, крім гальмівного випромінювання, виникає також характеристичне випромінювання. Воно зумовлене збудженням внутрішніх електронних оболонок атомів. Рентгенівський спектр характеристичного випромінювання – дискретний.


§ 5.11. Елементи теорії відносності (релятивістська механіка)


Рух тіл зі швидкостями значно меншими від швидкості світла у вакуумі (Фізика напівпровідників описується законами класичної механіки.

Розглянемо будь-які дві інерціальні системи відліку К і Фізика напівпровідників (мал.5.25). Перетворення координат Галілея для переходу від однієї інерціальної системи відліку Фізика напівпровідників до іншої К(х,у,z) у випадку, показаному на мал.5.25, мають вигляд:

Фізика напівпровідників (5.65)

де v0 – швидкість руху системи Фізика напівпровідників відносно К (при t=0 початки координат систем відліку співпадають). З перетворень координат Галілея випливає правило додавання швидкостей Фізика напівпровідників (5.66)

де Фізика напівпровідників – швидкість тіла у системі К, Фізика напівпровідників – його швидкість у системі відліку Фізика напівпровідників

Величини відрізків і проміжки часу при переході від однієї системи відліку до іншої не змінюються:

Фізика напівпровідників (5.67)

В класичній механіці простір і час розглядаються незалежно один від одного. Механічні закони незмінні (інваріантні) при переході від однієї системи відліку до іншої. Інваріантність законів механіки відносно перетворень координат Галілея є математичним виразом механічного принципу відносності: у різних інерціальних системах відліку всі механічні процеси при рівних умовах протікають однаково, тобто всі інерціальні системи відліку рівноправні між собою.

Якщо швидкість тіл наближається до швидкості світла у вакуумі, то закони класичної механіки перестають бути справедливими. У цьому випадку слід користуватись спеціальною теорією відносності – релятивістською механікою.

Спеціальна теорія відносності грунтується на двох постулатах Ейнштейна. Перший постулат: всі закони природи інваріантні при переході від однієї інерціальної системи відліку до іншої. Ейнштейн, фактично, поширив механічний принцип відносності Галілея на всі фізичні явища. Другий постулат: швидкість світла у вакуумі однакова у всіх інерціальних системах відліку і не залежить від руху джерел і приймачів світла.

Ці два принципи являють собою основу спеціальної теорії відносності, яка, в свою чергу, є теорією простору і часу.

В спеціальній теорії відносності замість перетворень Галілея слід користуватись перетвореннями Лоренца. У простому випадку, коли координатні осі 0Х і Фізика напівпровідниківспівпадають, перетворення координат Лоренца мають вигляд:

Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників (5.68)

Зауважимо, що перетворення Лоренца при v<<c переходять у перетворення Галілея.

З перетворень Лоренца випливають два важливих наслідки. По-перше, довжина тіла l, виміряна в системі (К), відносно якої воно рухається, виявляється меншою довжини тіла l0, виміряної в системі (Фізика напівпровідників), відносно якої тіло нерухоме

Фізика напівпровідників. (5.69)

Систему відліку (Фізика напівпровідників, відносно якої тіло нерухоме, називають власною системою відліку.

По-друге, власний проміжок часу Фізика напівпровідників менший проміжку часу Фізика напівпровідників, відрахованого за годинником, який рухається відносно тіла

Фізика напівпровідників. (5.70)

Власний час Фізика напівпровідників відраховується за годинником системи відліку, яка рухається разом з тілом.

Залежність маси m від швидкості його руху дається рівнянням:

mФізика напівпровідників, (5.71)

де m0 – маса спокою тіла.

Динаміка руху тіла в релятивістській механіці описується рівнянням

Фізика напівпровідників, (5.72)

де Фізика напівпровідників (5.73)

є релятивістський імпульс.

Між повною енергією тіла і його релятивістською масою існує взаємозв’язок,

W=mc2. (5.74)

Цю залежність називають законом взаємозв’язку маси і енергії.

Енергію W0=m0c2 (5.75)

називають енергією спокою тіла.

Кінетична енергія тіла

Фізика напівпровідників (5.76)

У випадку малих швидкостей ця формула переходить у відомий вираз

Фізика напівпровідників. (5.77)

Зв’язок між повною енергією та імпульсом

Фізика напівпровідників. (5.78)

Головний висновок теорії відносності: простір і час органічно взаємно пов’язані і утворюють єдину форму існування матерії – простір-час. Саме тому просторово-часовий інтервал між двома подіями – абсолютний (однаковий у всіх інерціальних системах):

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників (5.79)

Окремо взяті просторові і часові проміжки між подіями – відносні.

Таким чином, перетворення Лоренца і всі висновки, які з них випливають, визначають об’єктивно існуючі просторово-часові співвідношення рухомої матерії.

Розділ VI. Елементи атомної фізики, квантової механіки і фізики твердого тіла.


§ 6. 1. Ядерна модель атома. Воднеподібний атом Бора. Спектральні серії


Оскільки світло випромінюється і поглинається атомами речовини, то виникає питання: яка структура атомів забезпечує квантовий (дискретний) характер вказаних процесів? Відповідь на це питання дав Резерфорд (1911р), аналізуючи результати експериментального дослідження розсіяння Фізика напівпровідників-частинок на тонких металічних плівках. Він запропонував ядерну модель атома, згідно з якою в центрі атома Фізика напівпровідниківрозміщене позитивно заряджене ядро Фізика напівпровідників, в якому сконцентрована практично вся маса атома. Навколо ядер по колових чи еліптичних орбітах рухаються електрони. Якщо в нейтральному атомі Z електронів, то заряд ядра Фізика напівпровідників, де Фізика напівпровідників – елементарний заряд.

Рух електрона по орбіті є прискореним. І тому, з точки зору класичної фізики, електрон, що рухається прискорено, повинен випромінювати електромагнітні хвилі, втрачати енергію і кінець кінцем впасти на ядро. Але атом – стійка система електричних зарядів. І тому, приймаючи ядерну модель атома, потрібно відмовитись від класичного опису орбітального руху електронів.

Перший крок в цьому напрямку зробив Н. Бор (1913 р.), сформулювавши наступні постулати:

а) із усіх можливих механічних станів (орбіт) електрона в атомі здійснюються лише такі, для яких момент імпульсу орбітального руху електрона кратний до постійної Планка h, тобто

Фізика напівпровідників, (6.1)

де Фізика напівпровідників – квантове число стану (номер орбіти), а Фізика напівпровідників – постійна Дірака; такі стани (орбіти) називаються стаціонарними;

б) перебуваючи в стаціонарному стані, електрон атома не випромінює і не поглинає енергії;

в) при переході з одного стаціонарного стану на інший (мал.6.1) електрон випромінює (поглинає) квант світла з енергією, рівною різниці енергій цих станів, тобто

Фізика напівпровідників . (6.2)

Отже, основна ідея постулатів Бора полягає в квантуванні (дискретності) механічних характеристик руху електронів в атомі (моменту імпульса, енергії тощо) і в стрибкоподібній зміні цих характеристик.

Вперше ядерна модель атома з постулатами Бора була застосована до воднеподібних атомів Фізика напівпровідниківтощо), в яких навколо ядра рухається по коловій орбіті радіусом r лише один електрон. При цьому ядро вважається нерухомим, а електрон розглядається як класична матеріальна точка. Враховуючи, що в ролі доцентрової сили виступає кулонівська сила взаємодії між електроном та ядром, тобто Фізика напівпровідників, і вираз (6.1), отримаємо для радіуса стаціонарної орбіти електрона вираз

Фізика напівпровідників , (6.3)

де Фізика напівпровідників– борівський радіус, який має зміст радіуса першої (Фізика напівпровідниківорбіти електрона в атомі водню (Фізика напівпровідників. Отже, має місце квантування радіусів стаціонарних орбіт електрона, оскільки Фізика напівпровідників .

Для повної механічної енергії електрона Фізика напівпровідниківлегко отримати вираз

Фізика напівпровідників, (6.4)

де Фізика напівпровідників– постійна Рідберга.

Отже, енергія воднеподібних атомів в стаціонарних станах приймає дискретні значення, тобто квантується. Стан з найнижчою енергією Фізика напівпровідниківназивається основним, усі інші стани – збудженими. Стан з найвищою енергією Фізика напівпровідниківвідповідає іонізації атома. Отже, енергія іонізації воднеподібних атомів

Фізика напівпровідників, (еВ).

І тому зручно інколи (6.4) записувати у вигляді

Фізика напівпровідників. (6.5)

Зобразимо енергетичну діаграму борівського атома водню (Фізика напівпровідників(мал.6.2). В основному стані атом може перебувати як завгодно довго. Якщо ж його перевести певним чином (теплом, світлом, ударом вільних електронів тощо) в збуджений стан, то тривалість перебування в цьому стані складає Фізика напівпровідників, і атом самовільно переходить в основний чи нижчі збуджені стани (мал.6.2), випромінюючи фотони з енергіями

Фізика напівпровідників.

Довжини випромінюваних світлових хвиль розраховуються за серіальною формулою Бальмера:

Фізика напівпровідників, (6.6)

де n2 – квантове число стану, з якого відбувається перехід, n1 – квантове число стану, в який переходить атом.

Усі спектральні лінії можна згрупувати в наступні серії: І–серія Лаймана (Фізика напівпровідників n2Фізика напівпровідників; ІІ–серія Бальмера (Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників ІІІ–серія Пашена (Фізика напівпровідників Фізика напівпровідниківтощо. Лінії серії Лаймана лежать в ультрафіолетовій області, серії Бальмера – у видимій області, серії Пашена – в інфрачервоній області.

Теорія Бора дуже добре описала положення спектральних ліній випромінювання воднеподібних атомів, але виявилась нездатною пояснити спектри випромінювання складних атомів, а також інтенсивності спектральних ліній навіть атомарного водню. Слабкість цієї теорії зумовлена її непослідовністю: вона – напівкласична, напівквантова.


§ 6.2. Корпускулярно-хвильовий дуалізм матерії; гіпотеза де Бройля. Співвідношення невизначеностей Гайзенберга


В 1924 р. Луі де Бройль висунув гіпотезу (постулат) про те, що корпускулярно-хвильовий дуалізм притаманний не тільки світлу, як це показано в розділі V, але матерії взагалі: усяка частинка, яка має імпульс Фізика напівпровідників і енергію Е, володіє хвильовими властивостями, її рух супроводжується хвильовим процесом з довжиною хвилі де Бройля

Фізика напівпровідників (6.7)

та частотою Фізика напівпровідників . (6.8)

В залежності від величини швидкості v (чи кінетичної енергії Т) частинок, їх імпульс розраховується або за класичною формулою (при v<<c, T<<E0)

Фізика напівпровідників, (6.9)

або за релятивістською формулою (при Фізика напівпровідників, Т співмірна з Е0)

Фізика напівпровідників, (6.10)

де m0 – маса спокою частинки (таблична величина), Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників– її енергія спокою.

Відомо, що хвильові властивості світла найбільш чітко проявляються в явищі дифракції. І тому прояву хвильових властивостей електронних (нейтронних, атомних тощо) пучків слід очікувати в цьому явищі, при якому чітка дифракційна картина спостерігатиметься, коли довжина хвилі співмірна з розміром дифракційної неоднорідності.

Оцінимо довжину хвилі де Бройля електронів, які прискорились відносно слабким електричним полем (Фізика напівпровідників. Саме такі напруги використовуються у вакуумних електронних приладах (радіолампи, ЕПТ, рентгенівські трубки тощо). Підставляючи в (6.9) значення кінетичної енергії Фізика напівпровідниківеВ, отримаємо за (6.7) значення довжин хвиль де Бройля Фізика напівпровідниківнм. Оскільки розміри макроприладів значно більші від Фізика напівпровідників, то хвильові властивості електронів в цьому випадку не відслідковуються. В цей же час розраховані значення Фізика напівпровідників співмірні з розміром кристалічної гратки (Фізика напівпровідниківнм) твердих тіл. І тому така гратка повинна бути дифракційним пристроєм для електронних пучків. Дійсно, при проходженні електронних пучків через тонкі полікристалічні металічні плівки та при їх відбиванні від монокристалів спостерігається дифракційна картина, така ж як і у випадку рентгенівських променів.

Відмітимо, що довжина хвиль де Бройля рухомих макротіл, за рахунок великої маси, настільки мала, що їх хвильову природу виявити неможливо.

В класичній механіці стан частинки задається сукупністю точно заданих координат (x,y,z) та проекцій вектора імпульсу (рх, рy, рz). Зокрема, для одновимірного випадку неточності (невизначеності) координати (Фізика напівпровідників та імпульсу (Фізика напівпровідниківрівні нулю, і тому: Фізика напівпровідників.

Корпускулярно-хвильовий дуалізм частинок в мікросвіті накладає обмеження на можливості класичного опису. Дійсно, вільна частинка, що рухається вздовж осі х, описується плоскою монохроматичною хвилею де Бройля

Фізика напівпровідників, (6.11)

де Фізика напівпровідників – її циклічна частота, Фізика напівпровідників – її хвильове число. В цьому випадку Фізика напівпровідників, і тому положення частинки повністю невизначене: Фізика напівпровідників. З іншого боку, імпульс такої частинки (Фізика напівпровідниківстрого визначений, бо Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників. А отже, добуток Фізика напівпровідників є математично невизначеним (Фізика напівпровідників.

В мікросвіті можна змоделювати об’єкти (наприклад, хвильовий пакет), для яких координата точно визначена (Фізика напівпровідників, але імпульс повністю невизначений (Фізика напівпровідників, і тому має місце математична невизначеність типу Фізика напівпровідників

Аналізуючи умовні експерименти, пов’язані з проходженням мікрочастинок через щілини, Гайзенберг (1927 р.) встановив наступні співвідношення між невизначеностями координат та відповідних імпульсів мікрочастинок

Фізика напівпровідників . (6.12)

Інтерпретацію цих співвідношень дав Н. Бор у вигляді принципу доповнюваності:

1) інформація про стан мікрочастинок може бути отримана лише за допомогою макроприладів, які взаємодіють з мікрочастинками;

2) за допомогою конкретного макроприладу можна встановити точне значення або координати, або імпульсу; при цьому чим точніше встановлена одна характеристика, тим невизначеніша інша.

Із співвідношення Гайзенберга слідує, зокрема, що поняття електронної орбіти в атомі втрачає зміст. Дійсно, якщо невизначеність швидкості електрона співмірна з самою швидкістю, тобто Фізика напівпровідників, то невизначеність координати Фізика напівпровідників, що співмірно з розміром атома. А отже, електрон “розмазаний” по всьому об’ємі атома.

Пара “координата-імпульс” у співвідношенні (6.12) не є випадковою, оскільки вона входить як добуток в рівняння плоскої хвилі де Бройля (6.11), представлене у вигляді

Фізика напівпровідників. (6.13)

І тому слід очікувати, що і для іншої пари “енергія-час” матиме місце співвідношення невизначеності

Фізика напівпровідників, (6.14)

де Фізика напівпровідниківмає зміст тривалості перебування (часу життя) мікрочастинки в певному стані. Зокрема, для основного стану електрона у воднеподібному атомі Фізика напівпровідників і тому Фізика напівпровідників, тобто енергетичний рівень основного стану нерозмитий.


§ 6.3. Хвильова функція та її зміст. Рівняння Шрьодінгера


Корпускулярно-хвильовий дуалізм матерії встановлює межі застосування класичної механіки, і для опису мікросвіту використовуються закони квантової механіки, в якій стан мікрочастинок задається вже не координатами та імпульсами, а хвильовою функцією Фізика напівпровідників. Зокрема, для вільної одновимірної частинки хвильовою функцією є плоска хвиля де Бройля, яку представимо тут у комплексній формі:

Фізика напівпровідників, (6.15)

де Фізика напівпровідників. Помноживши Фізика напівпровідників на комплексно спряжену функцію Фізика напівпровідників, отримаємо

Фізика напівпровідників.

З точки зору хвильових уявлень квадрат амплітуди хвилі визначає її інтенсивність; з точки зору корпускулярних уявлень – це ймовірність виявити мікрочастинку в певній області простору. Отже, фізичний зміст має не сама хвильова функція, а вираз Фізика напівпровідників, який називається густиною імовірності. Імовірність знайти частинку в елементарному об’ємі Фізика напівпровідників становить

Фізика напівпровідників. (6.16)

Для частинок, які не є вільними, хвильова функція не представляється хвилею де Бройля, але її ймовірнісна інтерпретація залишається в силі.

Оскільки імовірність повинна бути однозначною, неперервною і скінченною, то на хвильову функцію накладаються наступні стандартні вимоги:

1) вона повинна бути однозначною, неперервною і скінченною;

перші похідні від хвильової функції по координатах і часу також повинні бути неперервними, що забезпечить “гладкість” імовірності;

вона повинна бути інтегрованою; зокрема, Фізика напівпровідників, як імовірність знайти частинку в будь-якій точці простору V (імовірність вірогідної події).

Для знаходження хвильової функції конкретного квантовомеханічного об’єкту необхідно розв’язати рівняння Шрьодінгера (1926 р.)

Фізика напівпровідників, (6.17)

яке є аналогом ІІ закону Ньютона класичної механіки. В цьому рівнянні

Фізика напівпровідників– (6.18)

оператор Гамільтона або оператор повної енергії частинки, де m – маса частинки, Фізика напівпровідників– оператор Лапласа:

Фізика напівпровідників, (6.19)

U – оператор потенціальної енергії, дія якого зводиться до простого множення на хвильову функцію.

Якщо потенціальна енергія частинки явно не залежить від часу, тобто Фізика напівпровідників, то квантовомеханічна задача називається стаціонарною. І хвильову функцію можна представити у вигляді Фізика напівпровідників.

Координатнозалежну складову хвильової функції знаходять із розв’язку рівняння Шрьодінгера для стаціонарних станів

Фізика напівпровідників, (6.20)

де параметр Е має зміст енергії частинки.

Розв’язок цього диференційного рівняння задовільняє стандартні вимоги до хвильової функції, як правило, не при усяких, а дозволених (дискретних) значеннях параметра Е. Ці значення Е називаються власними значеннями оператора Фізика напівпровідників, а відповідні хвильові функції Фізика напівпровідників– власними функціями цього оператора. В кожному конкретному випадку потрібно задати аналітичну форму оператора Фізика напівпровідників (6.18), тобто побудувати потенціальну модель квантомеханічного об’єкту.


§6.4. Частинка в одновимірній прямокутній потенціальній ямі (ящику). Проходження частинки через потенціальний бар’єр


Усякий зв’язаний стан частинки (електрон в атомі, вільний електрон в металі, нуклон в ядрі тощо), тобто стан з від’ємною потенціальною енергією, можна описати поняттям потенціальної ями.

Розглянемо найпростіший випадок, коли частинка масою m перебуває в одновимірній прямокутній нескінченно глибокій потенціальній ямі шириною l .Оскільки початок відліку потенціальної енергії можна вибирати довільно, то задачу про “яму” замінимо задачею про “ящик”, на дні якого потенціальна енергія дорівнює нулю, а стінки якого нескінченно високі (мал.6.3). Оператор Гамільтона Фізика напівпровідників(6.18) для цього випадку має вигляд

Фізика напівпровідників, (6.21)

де Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників

Всередині ящика рівняння Шрьодінгера запишеться як

Фізика напівпровідників. (6.22)

Розв’язок цього рівняння, з врахуванням стандартних вимог, зокрема, Фізика напівпровідників, має вигляд

Фізика напівпровідників, (6.23)

де n=1,2,3,… – квантове число стану частинки. Енергія частинки в різних квантових станах

Фізика напівпровідників , (6.24)

тобто приймає не довільні, а дискретні значення Е1, Е2, Е3, …, зображені на мал.6.3 відповідними енергетичними рівнями. Густина імовірності Фізика напівпровідників залежить від координати частинки, при цьому по різному в кожному квантовому стані.

Відстань між сусідніми енергетичними рівнями

Фізика напівпровідників. (6.25)

Зокрема, для електрона в ямі шириною lФізика напівпровідників, яка співмірна з розміром атома, отримаємо Фізика напівпровідників В цей же час для макрооб’єктів, коли m i l – дуже великі, відстань між рівнями стає зникаюче малою, і тому квантуванням енергії можна знехтувати. Задача про частинку в потенціальній ямі скінченної глибини має дещо складніший розв’язок, але висновок про квантування енергії залишається в силі і в цьому випадку.

Спорідненою до описаної є задача про проходження частинки через потенціальний бар’єр шириною l і висотою U0 (мал.6.4). Якщо частинка класична, то вона пролітає над бар’єром, коли Е>U0, і відбивається від нього, коли Е<U0, бо проникнення під бар’єр означало б, що її кінетична енергія від’ємна.

Для квантовомеханічної мікро-частинки розв’язок рівняння Шрьодінгера дає, що хвильові функції в усіх трьох областях (Фізика напівпровідниківвідмінні від нуля, тобто мікрочастинка проникає під бар’єр і за бар’єр. Це явище називається тунелюванням. Від’ємні значення кінетичної енергії в області ІІ не можуть турбувати, бо в квантовій механіці, в силу дії співвідношення Гайзенберга (§ 6.2), кінетична енергія Фізика напівпровідників, як і потенціальна енергія U(x), не є точно визначеними. Прозорість бар’єру Фізика напівпровідниківтим більша, чим менша його ширина і висота, а також, чим менша маса частинки, тобто ефект тунелювання помітний лише в мікросвіті.


§ 6.5. Квантовий лінійний гармонічний осцилятор


Лінійний гармонічний осцилятор – це матеріальна точка, яка здійснює рух вздовж осі х під дією квазіпружної сили Фізика напівпровідників. Потенціальна енергія осцилятора (мал.6.5):

Фізика напівпровідників, (6.26)

де m – маса осцилятора, Фізика напівпровідників – його власна циклічна частота, х – зміщення від положення рівноваги. Підставляючи (6.26) в рівняння Шрьодінгера (6.20), отримаємо

Фізика напівпровідників. (6.27)

Розв’язок цього рівняння, виражений через поліноми Чебишева-Ерміта, задовільняє стандартні вимоги до хвильових функцій лише тоді, коли енергія осцилятора квантується за законом

Фізика напівпровідників, (6.28)

де Фізика напівпровідників=0,1,2,… – коливальне квантове число.

Відмітимо, що найменша енергія квантового осцилятора при Фізика напівпровідників=0, так звана нульова енергія, на відміну від класичного осцилятора не дорівнює нулю. Наявність нульових коливань підтверджується експериментально фактом розсіяння світла кристалами при дуже низьких температурах.

Перебуваючи в певному квантовому стані, осцилятор не поглинає і не випромінює енергії. Випромінювання (поглинання) енергії відбувається при переході осцилятора між квантовими станами, при цьому дозволяються (правила відбору) переходи лише між сусідніми енергетичними рівнями (мал.6.5), тобто Фізика напівпровідників. Енергія випромінюваного (поглинутого) кванту Фізика напівпровідників, що підтверджує квантовий постулат Планка.


§ 6.6. Воднеподібні атоми в квантовій механіці. Квантові числа електрона в атомі


Потенціальна енергія електрона в кулонівському полі ядра воднеподібного атома має вигляд

Фізика напівпровідників, (6.29)

де r – відстань від центру ядра.

З врахуванням (6.29) стаціонарне рівняння Шрьодінгера (6.20) запишеться як

Фізика напівпровідників. (6.30)

Оскільки кулонівське поле володіє центральною симетрією, то зручно перейти до сферичних координат, де положення довільної точки описується однією лінійною координатою (r) і двома кутовими (Фізика напівпровідників. В цьому випадку у хвильовій функції електрона можна провести розділення змінних:

Фізика напівпровідників.

Стандартні вимоги як до хвильової функції в цілому, так і до окремих складових виконуються лише при певних (дискретних) значеннях не тільки енергії електрона Еn, але і квадрату моменту імпульсу його орбітального руху Фізика напівпровідників, а також проекції цього моменту Фізика напівпровідниківна вибраний напрямок (вісь z). Квантування вказаних характеристик визначається трьома квантовими числами: головним n, орбітальним (азімутальним) Фізика напівпровідників та магнітним Фізика напівпровідників наступним чином:

Фізика напівпровідників, (6.31)

де n=1,2,3,…; відмітимо, що (6.31) співпадає з (6.4) для борівського воднеподібного атома;

Фізика напівпровідників, (6.32)

де Фізика напівпровідників=0,1,2,…, n-1;

Фізика напівпровідників, (6.33)

де Фізика напівпровідників=0,Фізика напівпровідників.

Оскільки енергія електрона Еn визначається лише головним квантовим числом n, а хвильова функція Фізика напівпровідників– трьома квантовими числами, то декільком станам з різними Фізика напівпровідників та Фізика напівпровідників відповідає одне значення енергії. Така ситуація називається квантовомеханічним виродженням. Наприклад, енергія Е2 реалізується в чотирьох станах з хвильовими функціями Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників. В загальному, кратність виродження дорівнює n2 . Традиційно, стани з різними Фізика напівпровідників позначаються наступними буквами:

Фізика напівпровідників: 0, 1, 2, 3, …

стан: s, p, d, f, …

Для попереднього прикладу енергія Е2 реалізується в станах 2s i 2p.

Основний стан (1s) є невиродженим і описується хвильовою функцією

Фізика напівпровідників. (6.34)

Для цього стану імовірність перебування електрона в сферичному шарі одиничної товщини на відстані r від центру ядра

Фізика напівпровідників~Фізика напівпровідників. (6.35)

Як видно з мал.6.6, де представлена залежність Фізика напівпровідників, максимальна імовірність реалізується на відстанях, рівних борівському радіусу а0 . Отже, борівські траєкторії можна інтерпретувати в квантовій механіці як геометричне місце точок з максимальною імовірністю перебування електрона. Хоч в дійсності його заряд “розмазаний” по всьому об’єму атома.


§ 6.7. Власний момент (спін) електрона. Принцип Паулі. Забудова складних атомів. Характеристичне рентгенівське випромінювання


Орбітальний рух електрона в атомі можна розглядати як коловий струм, з яким пов’язаний магнітний момент Фізика напівпровідників. Проекція цього моменту на вибраний напрямок, який задається магнітним полем індукцією В,

Фізика напівпровідників, (6.36)

де mел – маса електрона, Фізика напівпровідників – магнітне квантове число. В s-стані Фізика напівпровідників=0, і тому такий електрон не повинен володіти магнітним моментом, що суперечить ряду експериментальних спостережень. І тому була висунута

(1925 р.) гіпотеза про те, що електрони володіють власним, не пов’язаним з просторовим переміщенням, моментом імпульсу і відповідним магнітним моментом. Ця властивість електронів була названа спіном. Спіновий момент імпульсу електрона визначається формулою

Фізика напівпровідників, (6.37)

де s – cпінове квантове число, рівне Фізика напівпровідників.

Проекція цього моменту на вибраний напрямок (наприклад, напрямок магнітного поля)

Фізика напівпровідників, (6.38)

де ms=Фізика напівпровідників–магнітне спінове число.

Пізніше виявилось, що спіном володіють усі мікрочастинки. При цьому частинки з напівцілим спіном Фізика напівпровідниківФізика напівпровідниківФізика напівпровідників утворюють клас ферміонів (електрони, протони, нейтрони тощо), а частинки з цілим спіном (s=0,1,…) утворюють клас бозонів (фотони, мезони тощо). Для ферміонів справедливий принцип Паулі: два тотожні ферміони не можуть одночасно перебувати в однаковому стані.

В багатоелектронних атомах стан кожного електрона описується четвіркою квантових чисел: n, Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників, ms. Принцип Паулі в цьому випадку гласить: в атомі не може бути двох електронів з ідентичним набором чотирьох квантових чисел. Електрони, які мають однакове головне квантове число n, утворюють шар. Максимальна кількість електронів у шарі визначається формулою 2n2. Класифікація шарів: К(n=1), L(n=2), M(n=3), N(n=4) тощо. Електрони з однаковими квантовими числами n i Фізика напівпровідників утворюють оболонку. Максимальна кількість електронів в оболонці визначається формулою 2(2Фізика напівпровідників+1). Класифікація оболонок: s(Фізика напівпровідників=0), p(Фізика напівпровідників=1), d(Фізика напівпровідників=2), f(Фізика напівпровідників=3) тощо.

При забудові електронами шарів і оболонок, крім принципу Паулі, необхідно врахувати принцип мінімальності енергії. Це означає, що забудова починається з шарів і оболонок, де енергія електронів найменша. У воднеподібних атомах енергія електрона залежить лише від головного квантового числа n. В складних атомах на окремий електрон діє поле не тільки ядра, але і решти електронів. Це приводить до того, що виродження по Фізика напівпровідників знімається, і енергія починає залежати як від n, так і від Фізика напівпровідників. Але, як правило, залежність від n сильніша. І тому заповнення починається з глибоких шарів. Наприклад, електронна конфігурація атома міді має наступний вигляд (цифри над символами вказують на кількість електронів в оболонках): 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s1. Видно, що оболонки шарів K, L, M повністю заповнені, і лише оболонка 4s заповнена частково. Відмітимо, що повні моменти імпульсів як орбітального, так і спінового рухів електронів заповнених оболонок рівні нулю. І тому стан атома визначається електронами частково заповненої оболонки; такі електрони називаються валентними. В нашому прикладі атом міді має один валентний електрон в s-стані. Саме валентні електрони забезпечують хімічний зв’язок між атомами в молекулах і в кристалічній гратці твердих тіл. Вони відповідальні за спектри випромінювання та поглинання атомів.

Зрозуміло, що переходи між енергетичними рівнями повністю заповнених шарів і оболонок неможливі. Але така можливість з’являється, якщо певним чином вибити електрон з глибокого шару, наприклад, при бомбардуванні металічного анода (антикатода) рентгенівської трубки швидкими електронами. В цьому випадку на вакантне місце глибокого шару може перейти електрон вищого шару. При такому переході випромінюється фотон з енергією Фізика напівпровідників, у відповідності з енергетичною діаграмою (мал.6.7), на якій кожен шар зображений одним енергетичним рівнем. (В дійсності всі шари, крім К-шару, володіють декількома близькими рівнями, бо енергія залежить як від головного квантового числа n, так і від орбітального квантового числа Фізика напівпровідників).

Оскільки відстань між енергетичними рівнями глибоких шарів дуже велика (Фізика напівпровідників, то довжини хвиль випромінюваних фотонів Фізика напівпровідників, що відповідає рентгенівському діапазону. Зрозуміло, що спектр такого випромінювання, яке називають характеристичним, – дискретний. Спектральні лінії характеристичного рентгенівського випромінювання групуються в серії: K, L, М, N – серії. Наприклад, К-серія формується при переході електронів на вакантне місце в К-шари (n1=1) з шарів L, M, N, …(n2=2, 3, 4, …) – відповідно: Фізика напівпровідників – лінії. Довжини хвиль спектральних ліній в серіях описуються формулою Мозлі

Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників, (6.39)

де R – постійна Рідберга (§ 6.1), Фізика напівпровідників– постійна екранування (Фізика напівпровідниківФізика напівпровідників для К-серії). Ця формула переходить у формулу Бальмера (6.6), якщо покласти Фізика напівпровідників. Постійна екранування враховує цю обставину, що “випромінюючий” електрон перебуває не тільки в кулонівському полі ядра, як це мало місце у воднеподібних атомах, але і в екрануючому полі інших електронів складних атомів.


§ 6.8. Теплові коливання кристалічної гратки і теплоємність твердих тіл


Більшість твердих тіл володіють кристалічною структурою, тобто є сукупністю великого числа атомів, впорядковано розміщених в просторі, і які тим самим утворюють кристалічну гратку. Оскільки атоми, що перебувають в сусідніх вузлах кристалічної гратки, зазнають взаємного притягання і відштовхування, то потенціальна енергія взаємодії між ними має вигляд потенціальної ями (мал.6.8).

В рамках класичної фізики при абсо-лютному нулю атоми повинні перебувати на дні потенціальної ями, на відстані r0 один від іншого. І, звичайно, бути нерухомими. З підвищенням температури енергія атомів зростає, і кожен атом починає здійснювати коливний рух відносно рівноважного положення між точками А і В. При дуже низьких температурах ці коливання можна вважати гармонічними, бо залежність Ер(r) – приблизно параболічна. При вищих температурах, як видно з мал.6.8, з’являється асиметрія відхилень від рівноважного положення r0: коливання стають ангармонічними. За рахунок ангармонізму середня відстань між атомами з ростом температури збільшується – має місце теплове розширення твердих тіл.

Оскільки три взаємноперпендикулярні напрямки коливань є рівноправними, то можна вважати, що атом в кристалічній гратці володіє трьома коливними ступенями вільності (і=3). Якщо знехтувати ефектом ангармонізму, то теплові коливання окремого атома можна моделювати сукупністю трьох незалежних лінійних осциляторів. Будемо вважати коливання окремих атомів незалежними. Тоді для одного моля речовини кількість ступенів вільності коливного руху складатиме 3NA, де NA – число Авогадро. В класичній фізиці на одну ступінь вільності коливного руху припадає енергія к0Т, де к0 – постійна Больцмана. Отже, внутрішня енергія моля твердого тіла

Фізика напівпровідників, (6.40)

де R – універсальна газова стала.

Молярна теплоємність тіла

Фізика напівпровідників . (6.41)

Такий результат (закон Дюлонга-Пті) підтверджується експериментально для багатьох простих кристалічних речовин при високих температурах. Але при низьких температурах експеримент (мал.6.9) і класична теорія катастрофічно розходяться. Зокрема, при дуже низьких температурах виконується “закон кубів Дебая” , у відповідності з яким Фізика напівпровідників.

Першу спробу узгодити експери-мент з теорією здійснив А. Ейнштейн

(1907 р.), який залишивши тезу про незалежність осциляторів, запропонував вважати останні не класичними, а квантовими.

Як показано в § 6.5, енергія квантового лінійного осцилятора

Фізика напівпровідників. (6.42)

Ейнштейн припустив, що всі осцилятори коливаються з однаковою частотою Фізика напівпровідників, а їх розподіл за енергією описується класичною функцією розподілу Максвелла-Больцмана

Фізика напівпровідників , (6.43)

де N0 – загальна кількість атомів, а NФізика напівпровідників – кількість атомів, коливна енергія яких складає Фізика напівпровідників. Тоді середня енергія одного осцилятора, тобто енергія, що припадає на одну ступінь вільності,

Фізика напівпровідників. (6.44)

Після математичних перетворень останній вираз запишеться як

Фізика напівпровідників. (6.45)

Внутрішня енергія одного моля твердого тіла

Фізика напівпровідників ,

а молярна теплоємність

Фізика напівпровідників. (6.46)

При високих температурах, коли к0Т>>hФізика напівпровідників, формула (6.46) дає Фізика напівпровідників, тобто закон Дюлонга-Пті. При низьких температурах, коли к0Т<<hФізика напівпровідників, отримаємо

Фізика напівпровідників . (6.47)

Оскільки експоненційна залежність сильніша від степеневої, то (6.47) дає зменшення теплоємності з пониженням температури, що лише якісно узгоджується з експериментом (мал.6.9), але не забезпечує кількісно виконання “закону кубів Дебая”. Для розділення областей високотемпературного і низькотемпературного наближень вводиться характеристична температура Ейнштейна Фізика напівпровідників, при якій Фізика напівпровідників; звідси Фізика напівпровідників. Отже, при Фізика напівпровідників виконується закон Дюлонга-Пті; при Фізика напівпровідниківвиконується залежність (6.47).

Подальше удосконалення теорії, здійснене Дебаєм (1912 р.), полягає в тому, що коливання атомів кристалічної гратки вже не вважаються незалежними; в кристалі встановлюється система т.з. нормальних коливань з частотою від 0 до Фізика напівпровідників; при цьому в коливанні певної частоти беруть участь всі атоми гратки. Розглядаючи кожне коливання як квантовий лінійний осцилятор, після математичних перетворень отримаємо для внутрішньої енергії моля твердого тіла

Фізика напівпровідників,

а для молярної теплоємності Фізика напівпровідників, ввівши позначення Фізика напівпровідників,

Фізика напівпровідників. (6.48)

За аналогією з попереднім введемо характеристичну температуру Дебая Фізика напівпровідників, використавши співвідношення Фізика напівпровідників; звідси

Фізика напівпровідників. (6.49)

Оскільки Фізика напівпровідників, то (6.48) після інтегрування набуде вигляду

Фізика напівпровідників. (6.50)

При високих температурах (Т>>Фізика напівпровідників), коли хФізика напівпровідників, використавши наближення Фізика напівпровідників, отримаємо Фізика напівпровідників, тобто закон Дюлонга-Пті. При низьких температурах (Т<<Фізика напівпровідників), коли Фізика напівпровідників, отримаємо “закон кубів Дебая”

Фізика напівпровідників, (6.51)

який кількісно узгоджується з експериментом (мал.6.9).

В рамках концепції корпускулярно-хвильового дуалізму речовини зміну енергії коливного руху кристалічної гратки можна описати процесами випромінювання чи поглинання особливої квазічастинки – фонона, яка володіє нульовим спіном і тому належить до класу бозонів (§6.7) .

§ 6.9. Елементи зонної теорії твердих тіл


При утворенні кристалічної гратки твердих тіл, тобто при зближенні окремих атомів на відстані Фізика напівпровідників, атомні енергетичні рівні повинні розщеплюватись в зони рівнів, оскільки принцип Паулі тепер стосується не окремих атомів, а кристалічної гратки в цілому. Розщеплення тим сильніше, чим менша відстань між атомами і чим вищий енергетичний рівень (мал.6.10). Таким чином шкала енергій електронів в кристалічній гратці розбивається на зони дозволених енергій і зони заборонених енергій (на мал.6.10б заштриховані зони дозволених енергій, які відповідають рівноважній відстані між атомами R0).

Кількість енергетичних рівнів в зонах співмірна з кількістю атомів речовини, тобто Фізика напівпровідників. Оскільки ширина зон Фізика напівпровідників, то відстань між окремими рівнями Фізика напівпровідників, що значно менше від енергії теплового руху к0Т. І тому можна вважати розподіл енергій в зонах неперервним.

У відповідності з принципом Паулі на кожному енергетичному рівні в зонах може перебувати не більше двох електронів з протилежними спінами. Якщо зона утворена з повністю заповненого електронами атомного рівня, то всі рівні такої зони також повністю заповнені. Зрозуміло, що це стосується зон, утворених з глибоких атомних рівнів. Електрони таких зон не можуть брати участь в електричних і теплових явищах, бо ні енергія електричного поля, ні теплова енергія не є достатніми для переводу електрона в сусідню вищу зону, а переходи в межах заповненої зони неможливі.

Інша ситуація в зонах, утворених з частково заповнених рівнів, тобто рівнів валентних електронів. Зрозуміло, що такі зони будуть заповнені також частково. Для прикладу розглянемо зону, утворену з атомного s-рівня, на якому перебуває лише один (валентний) електрон (Li, Na, K тощо). Якщо кристалічна гратка утворена з N атомів, то вказана зона має N рівнів, на яких може розміститись 2N електронів. Оскільки валентних електронів лише N, то заповниться лише половина зони (мал.6.11а ). А це означає, що під впливом зовнішнього збудження (тепло, електричне поле) електрони можуть вільно переходити на вищі рівні в межах однієї зони, тим самим збільшувати свою енергію, тобто прискорюватися. Отже, електрони в частково заповненій зоні є носіями струму. І тому така зона, яку ми назвемо валентною, є одночасно зоною провідності.

В залежності від характеру заповнення валентної зони всі тверді тіла поділяються на метали, з одного боку (мал.6.11а), і напівпро- відники та діелектрики, з іншого (мал.6.11б). В металах валентна зона (V-зона) заповнена частково, всі вищі зони порожні, всі нижчі зони заповнені повністю. В напівпровідниках і діелектриках V-зона заповнена повністю (при Т=0) і тому не може бути зоною провідності. Наступна вища зона при Т=0 повністю порожня. Ця зона називається зоною провідності (С-зоною), бо при певних умовах (ТФізика напівпровідників) в ній можуть з’явитися електрони, які будуть носіями струму. Енергетична відстань між дном С-зони (Ес) і стелею V-зони (Еv) називається забороненою зоною Еg=Ec–Ev. Якщо Еg<2,5eB, то речовина – напівпровідник, якщо Еg>2,5eB, то – діелектрик.

Появу носіїв струму в напівпровідниках пояснимо, використавши плоску модель кристалічної гратки атомного напівпровідника, наприклад, Ge (мал.6.12). Такий напівпро- відник має тетраедричну криста- лічну структуру, при якій кожен атом оточений чотирма сусідами. Зв’язок між сусідніми атомами забезпечується двома валентними електронами з протилежними спінами. При Т=0 всі валентні електрони перебувають на зв’язках, “зайвих” електронів немає, що відповідає повністю заповненій валентній зоні і порожній зоні провідності.

При нагріванні кристалу деякі електрони за рахунок енергії теплового руху можуть вийти із зв’язків, стати вільними і в електричному полі напруженістю Фізика напівпровідників набути швидкості напрямленого руху Фізика напівпровідників. На звільнене вакантне місце може перейти електрон із сусіднього зв’язку, що рівнозначне рухові дірки (hole) в протилежному напрямку зі швидкістію Фізика напівпровідників. Оскільки дірка рухається за полем (електрон – проти поля), то дірку слід розглядати як позитивний заряд +е. На енергетичній діаграмі теплова генерація вільних електронів і дірок зображається як перехід електрона з V-зони у C-зону (мал.6.13). Зрозуміло, що чим вища інтенсивність теплового збудження (чим вища температура), тим вища концентрація електронів (n) і дірок (р) у відповідних зонах. Відмітимо, що ця концентрація не перевищує, як правило, 0,1% від кількості енергетичних рівнів в зонах. Отже, електрони є носіями струму в майже порожній зоні провідності, а дірки – в майже повністю заповненій валентній зоні.

Енергія вільного електрона

Фізика напівпровідників, (6.52)

де р – імпульс електрона. В багатьох випадках для опису енергії електронів в металах і напівпровідниках можна користуватись цією ж формулою, але ввівши замість маси спокою електрона m0 ефективну масу mn*, яка може бути як більшою, так і меншою m0, і яка враховує взаємодію зонних електронів з полем кристалічної гратки. Аналогічно вводиться і ефективна маса зонних дірок mp*. І тому енергії електронів і дірок виражаються через їх імпульси наступним чином

Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників, (6.53)

де відлік енергії ведеться від краю відповідної зони: вверх від Ес для електронів і вниз від Еv для дірок. Співвідношення (6.53) називаються законами дисперсії.

§ 6.10. Розподіл і концентрація носіїв в зонах


Розподіл частинок з напівцілим спіном (ферміонів), в т.ч. і електронів, за енергіями описується квантовою функцією розподілу Фермі-Дірака

f(E)=Фізика напівпровідників, (6.54)

де f(E) – імовірність електрону перебувати на рівні з енергією Е, а F – енергія (рівень) Фермі. Зміст останньої зрозумілий з аналізу f(F) при Т=0. Якщо Е>F, то f(Е)=0, тобто рівень порожній; якщо Е<F, то f(F)=1, тобто рівень заповнений. Отже, енергія Фермі відповідає найвищому рівню, який ще заповнений при Т=0 (мал.6.14). При Т>0 f(F)=1/2, якщо Е=F, тобто енергія Фермі відповідає рівню, який при ненульовій температурі заповнений наполовину (мал.6.14). При певних умовах, а саме, коли Е-F>>к0Т, квантовий розподіл Фермі-Дірака переходить в класичний розподіл Максвелла-Больцмана

f(Е)=A(T)Фізика напівпровідників.Фізика напівпровідників (6.55)

Електронний газ, що описується таким розподілом, називається невиродженим газом. В цей же час електронний газ, що описується розподілом Фермі-Дірака, називається виродженим. Критерієм виродження є нерівність

Фізика напівпровідників, (6.56)

тобто виродження має місце при високій концентрації електронів, малій їх ефективній масі та низьких температурах. В металах електронний газ завжди вироджений (nФізика напівпровідників, в напівпровідниках, як правило, невироджений (n<Фізика напівпровідників.

В металах при низьких температурах концентрація електронів зони провідності, енергія яких лежить в інтервалі Фізика напівпровідників,

dn(E)=2dg(E),

де dg(E) – кількість енергетичних рівнів у вказаному інтервалі. Якщо справедливий параболічний закон дисперсії (6.53), то нескладний розрахунок дає

Фізика напівпровідників.Фізика напівпровідників (6.57)

Тоді повна концентрація носіів в с-зоні металу при низьких температурах

Фізика напівпровідників (6.58)

і від температури не залежить. Енергія Фермі

Фізика напівпровідників, (6.59)

що дає Фізика напівпровідників при Фізика напівпровідників. Середня енергія зонних електронів в металах Фізика напівпровідників, що значно більше к0Т.

А це означає, що лише незначна кількість електронів, що перебувають на рівнях, близьких до рівня Фермі, може змінити свою енергію при зміні температури. Таким чином, електронний газ в металах практично не вносить вкладу в теплоємність кристалу (див. § 6.8), незважаючи на високу загальну концентрацію електронів.

В напівпровідниках рівень Фермі, як правило, лежить в забороненій зоні (мал.6.13), і тому при розрахунку концентрації невироджених електронів в зоні провідності потрібно врахувати, що функція розподілу (6.55) в усьому діапазоні енергій Е>Ec менша від одиниці і залежить від температури. І тому

Фізика напівпровідників , (6.60)

де Аn – множник, який слабо залежить від температури і визначається ефективною масою носіїв, а Еg – ширина забороненої зони.

Як слідує з (6.60) з ростом температури концентрація зонних (вільних) електронів збільшується за експоненційним законом. Ця формула справедлива лише для бездомішкового, т.з. власного, напівпровідника. Зрозуміло (див. мал. 6.13), що концентрація дірок у валентній зоні дорівнює концентрації електронів в зоні провідності: n=p=ni – власна концентрація носіїв струму.

Ситуація радикально змінюється, коли в напівпровідник ввести домішки. Зокрема, коли вводяться донорні домішки, тобто домішки, які легко віддають електрони в С-зону, то n>>p; такий домішковий напівпровідник називається електронним (n-типу). Якщо ж вводяться акцепторні домішки, тобто домішки, які легко захоплюють електрони з V-зони, то p>>n; такий домішковий напівпровідник називається дірковим (р-типу). В класичних напівпровідниках Ge i Si в ролі донорних домішок виступають As, P, а акцепторних – Ga, Іn.


§ 6.11. Електричні властивості металів і напівпровідників


Відомо (розділ ІІІ), що густина електричного струму в провідниках (металах, напівпровідниках, електролітах тощо) визначається зарядом носіїв, їх концентрацією n та середньою швидкістю напрямленого (впорядкованого) руху <Фізика напівпровідників, зумовленого електричним полем напруженістю Фізика напівпровідників. Якщо носіями струму є електрони, то густина струму (j=Фізика напівпровідників

j=en<un> . (6.61)

В слабких електричних полях, де виконується закон Ома, швидкість напрямленого руху лінійно залежить від напруженості електричного поля, тобто

Фізика напівпровідників, (6.62)

де Фізика напівпровідників – рухливість електронів.

Підставляючи (6.62) в (6.61), отримаємо

Фізика напівпровідників, (6.63)

тобто закон Ома в диференційній формі, де

Фізика напівпровідників – (6.64)

питома електропровідність електронного провідника (металу, напівпровідника n-типу).

Питома електропровідність власного напівпровідника

Фізика напівпровідників, (6.65)

де Фізика напівпровідників – рухливість дірок.

Рухливість носіїв визначається так званим часом релаксації Фізика напівпровідників, який формально можна розглядати як проміжок часу між двома послідовними актами зіткнення (розсіяння) носіїв з недосконалостями кристалу. Основними недосконалостями (відхиленнями від ідеальності) є коливання кристалічної гратки (фонони) і домішки кристалу. В рамках вказаного формалізму середній час релаксації носіїв

Фізика напівпровідників, (6.66)

де Фізика напівпровідників – середня довжина вільного (між двома послідовними зіткненнями) пробігу носіїв, <Фізика напівпровідників> – середня швидкість теплового (хаотичного) руху носіїв.

Строга квантова теорія дає

Фізика напівпровідників . (6.67)

Підставляючи (6.67) у (6.64), отримаємо для питомої електропровідності металів

Фізика напівпровідників. (6.68)

Оскільки в металах концентрація носіїв (електронів у С-зоні) від температури не залежить, то залежність питомої електропровідності визначається лише відношенням Фізика напівпровідників. Виявляється, що, за винятком дуже низьких температур, Фізика напівпровідників. І тому Фізика напівпровідників, а питомий опір Фізика напівпровідників, у відповідності з відомим експериментальним законом Фізика напівпровідників. Відмітимо, що при оціночних розрахунках можна покладати Фізика напівпровідників.

Принципово інша ситуація в напівпровідниках, де концентрація носіїв експоненційно залежить від температури (6.60). Рухливість носіїв в напівпровідниках також залежить від температури, але за слабшим, степеневим законом:

Фізика напівпровідників, (6.69)

де Фізика напівпровідників при різних температурах приймає значення від –1,5 до +1,5. Підставляючи (6.60) та (6.69) у (6.65), отримаємо вираз для питомої електропровідності власного (n=p) напівпровідника

Фізика напівпровідників, (6.70)

де передекспоненційний множник В можемо наближено вважати від температури незалежним. Узагальнюючи (6.70) на випадок домішкового напівпровідника, запишемо

Фізика напівпровідників, (6.71)

де Фізика напівпровідниківа – енергія активації провідності, яка у власному напівпровіднику дорівнює Фізика напівпровідників, а в домішкових напівпровідниках має зміст енергії іонізації донорів чи акцепторів. Отже, питома електропровідність напівпровідників експоненційно збільшується з ростом температури, чим останні принципово відрізняються від металів.

Розділ VII. Фізика ядра та елементарних часток.


§ 7.1. Склад і характеристики ядра


Ядро атома, як центральну позитивно заряджену масивну частину атома, навколо якої рухаються електрони, відкрив англійський фізик Е.Резерфорд на основі своїх дослідів по розсіюванню Фізика напівпровідників- частинок речовиною (1911 р). Позитивний заряд ядра чисельно рівний сумі негативних зарядів електронів нейтрального атома. За обрахунками Резерфорда радіус ядра rя~10-15м (радіус атома ra~10-10м). Плідність ядерної моделі атома підтвердила теорія атома водню Н.Бора (1913 р). Після того, як Г. Мозлі (1913 р) експериментально показав, що позитивний заряд ядра

Фізика напівпровідників, (7.1)

де Z – порядковий номер елемента в таблиці Менделєєва, а е – елементарний електричний заряд, чисельно рівний зарядові електрона (Фізика напівпровідників, уявлення про ядро атома стало загальноприйнятим.

Ядра атомів різних хімічних елементів мають загальну назву нукліди. В ядерній фізиці за одиницю заряду приймають елементарний електричний заряд е, а за одиницю маси – атомну одиницю маси (а.о.м.). 1а.о.м. рівна 1/12 маси найбільш поширеного нукліда вуглецю. Очевидно, 1а.о.м.Фізика напівпровідників

де mc – маса нукліда вуглецю, Фізика напівпровідників – маса моля вуглецю, NA – число Авогадро. В таких одиницях заряд ядра Q=Z (Z називають зарядовим числом ядра), а маси нуклідів різних елементів виражаються дробовими числами. Заокруглена до найближчого цілого маса нукліда даного елемента, виражена в а.о.м., співпадає з так званим масовим числом нукліда А.

Зарядове число Z і масове число А являються основними характеристиками будь-якого ядра, тому ядро даного елемента позначається хімічним символом цього елемента з індексами Z та А, а саме – Фізика напівпровідників. Наприклад, ядро атома водню позначається Фізика напівпровідників; цю частинку Резерфорд назвав протон (р). На момент відкриття ядра була вже відома легка негативно заряджена частинка електрон (Фізика напівпровідників–). Оскільки маса електорна Фізика напівпровідників, електрон, іноді, позначається Фізика напівпровідників. При розгляді ядерних реакцій на основі законів збереження енергії та імпульсу Д.Чедвік (1932р.) відкрив нову важку елементарну частинку нейтрон (n). Д.Іваненко (1932р.) висунув гіпотезу, що ядро атома складається з нуклонів : протонів і нейтронів; ця гіпотеза була розвинута В. Гейзенбергом (1932 р) і дістала дослідне підтвердження.

Детальне вивчення нуклонів показало, що протон – стабільна елементарна частинка з зарядом +1 і масою mp=1,00728 а.о.м.; він також має спін j=1/2 і магнітний момент Фізика напівпровідників, де Фізика напівпровідниківДж/Тл – так званий ядерний магнетон (одиниця магнітного моменту). Нейтрон – нейтральна частинка з масою mn=1,00867 а.о.м., спіном j=1/2 і власним магнітним моментом Фізика напівпровідників; mn>mp , при чому mn–mp=2,5me. У вільному стані нейтрон – нестабільний з періодом напіврозпаду Т~12 хв.

Згідно з нуклонною моделлю ядро Фізика напівпровідників містить всього А нуклонів; власне, під масовим числом ядра і розуміють загальне число нуклонів (протонів і нейтронів) у ядрі. При цьому, число протонів у ядрі є Z, а число нейтронів – N=A–Z. Ядра з однаковими Z називаються ізотопами, з однаковими А – ізобарами, з однаковими N – ізотонами, з однаковими Z i A, але різними періодами напіврозпаду,– ізомерами. Всього відомо ~ 1500 різних ядер, які чим-небудь відрізняються; приблизно 1/5 з них – стабільні, решта – радіоактивні.

В природі зустрічаються елементи з атомним номером Z від 1 до 92 (крім технецію Фізика напівпровідників і прометію Фізика напівпровідників). Трансуранові елементи, починаючи з Z=93, були одержані штучно за допомогою різних ядерних реакцій. Згідно з сучасними уявленнями хімічні елементи виникли в процесі нуклеосинтезу на етапі зоряної еволюції Всесвіту. За час існування Землі (~5Фізика напівпровідниківтрансуранові елементи із-за відносно малого часу життя не збереглися в земній корі (за винятком Фізика напівпровідників і Фізика напівпровідників, мікросліди яких знайдені в уранових рудах). Межу періодичної системи елементів повинна визначати нестабільність відносно самовільного ділення ядер; є теоритичні вказівки, що ця межа може знаходитися поблизу Z=114 (можливо, Z=126).

Ефективний радіус ядра виражається формулою

Фізика напівпровідників, (7.2)

де Фізика напівпровідників. З (7.2) випливає, що об’єм ядра пропорційний числу нуклонів у ядрі, а це означає, що густина ядерної речовини приблизно однакова для всіх ядер (~1017кг/м3).

Спіни і магнітні моменти нуклонів складаються в результуючий спін і магнітний момент ядра. Оскільки спін нуклона Фізика напівпровідників, квантове число спіну ядра буде напівцілим при непарному числі нуклонів і – цілим або нулем при парному А. Спіни ядер не перевищують декількох одиниць, це свідчить, що спіни більшості нуклонів у ядрі компенсуються, розміщуючись антипаралельно.

Взаємодією магнітних моментів ядра та електронів атома обумовлюється так звана надтонка структура атомних спектрів. Пов’язаний зі спіном ядра магнітний момент знайшов широкі застосування в експериментальній методиці ядерного магнітного резонансу.


§ 7.2. Дефект маси та енергія зв’язку ядра. Ядерні сили. Моделі ядра


Користуючись таблицею мас ізотопів, можна пересвідчитись, що маса ядра mя менша суми мас нуклонів, з яких воно складається. Величину

Фізика напівпровідників (7.3)

називають дефектом маси ядра. Його існування обумовлене тим, що при об’єднанні нуклонів у ядро виділяється енергія у виді квантів, які виносять частину маси. Цю енергію можна розрахувати за формулою Ейнштейна про взаємозв’язок маси-енергії

Фізика напівпровідниківс2, (7.4)

де с – швидкість світла у вакуумі. Очевидно, щоб розкласти ядро на невзаємодіючі нуклони, потрібно таку ж енергію затратити. Ця енергія

Фізика напівпровідників (7.5)

називається енергією зв’язку ядра.

Для практичних застосувань співвідношення (7.5) зручно записувати у вигляді:

Фізика напівпровідниківс2, (7.6)

де mн – маса атома водню, ma – маса атома елемента, ядро якого розглядається. При переході до наближеної формули (7.6) нехтують малою енергією зв’язку електронів з ядром; зручність (7.6) полягає у тому, що в довідниках наводяться не маси ядер mя, а маси атомів ізотопів ma. На основі (7.4) можна пересвідчитись, що 1а.о.м. еквівалентна енергії 931,5 МеВ, тому, виражаючи квадратну дужку формули (7.6) в а.о.м., для енергії зв’язку ядра в МеВ одержують:

Фізика напівпровідників. (7.7)

Очевидно, енергія зв’язку характеризує міцність ядра. Прийнято розглядати так звану питому енергію зв’язку Фізика напівпровідників(енергія зв’язку, що припадає на один нуклон). Розрахунки показують, що вона залежить від масового числа елемента (мал.7.1).

Для легких ядер (Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників стрибкоподібно зростає до (6–7) МеВ, далі більш повільно зростає до максимального значення 8,7 МеВ у елементів з масовим числом

А~50–60, а тоді повільно зменшується у важких елементів (наприклад, для Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників З (мал.7.1) видно, що найбільш стійкими є ядра середньої частини таблиці Менделєєва. Стає зрозумілим також, що енергетично можливими є два процеси, які повинні супроводжуватися виділенням енергії: 1) поділ важких ядер на більш легкі; 2) злиття (синтез) легких ядер у більш важкі. Обидва ці процеси реалізовані на Землі: перший – в ланцюговій реакції ділення важких ядер (атомна бомба, реактори), другий – в термоядерній реакції синтезу легких ядер (воднева бомба).

Величезна питома енергія зв’язку свідчить, що між нуклонами в ядрі діють особливі сили притягання, які значно переважають електромагнітну та гравітаційну взаємодію нуклонів. Взаємодія між нуклонами в ядрі одержала назву сильної взаємодії. Ядерні сили мають ряд характерних особливостей, вони:

1 – короткодіючі, радіус їх дії~10–15м;

2 – зарядовонезалежні, мають неелектричну природу;

3 – спіновозалежні, залежать від орієнтації спінів нуклонів;

4 є нецентральними, не напрямлені вздовж прямої, що з’єднує центри нуклонів;

5 мають властивість насичення, діють лише між найближчими сусідами.

У 1934 р. І.Є. Тамм висунув гіпотезу, що сильна взаємодія повинна мати обмінну природу. По аналогії з електромагнітною взаємодією, яка квантовою електродинамікою описується як процес віртуального обміну електронів фотонами:

Фізика напівпровідників, (7.8)

нуклони в ядрі повинні обмінюватись деякими віртуальними частинками з масою спокою відмінною від нуля. Віртуальними називаються частинки, час життя яких менший того, що визначається співвідношенням невизначеностей

Фізика напівпровідників, (7.9)

де Фізика напівпровідників – невизначеність енергії квантового стану, Фізика напівпровідників – тривалість існування цього стану, Фізика напівпровідників – стала Дірака. З (7.9) випливає, що радіус дії обмінних сил оцінюється величиною

Фізика напівпровідників, (7.10)

тобто він може бути скінченним, якщо маса спокою віртуальної частинки відмінна від нуля.

У 1935 р. Х. Юкава показав, що для пояснення величини ядерних сил слід припустити існування віртуальних частинок з масою спокою у 200–300 разів більшою маси спокою електрона. Віртуальна частинка може стати реальною, якщо їй надати достатньої енергії. Такі частинки були відкриті Поуелом і Оккіаліні (1947 р.) в космічних променях; вони дістали

назву Фізика напівпровідників-мезонів. Існують Фізика напівпровідників–мезони. Заряд Фізика напівпровідників–мезонів рівний елементарному зарядові е. Їх маса Фізика напівпровідників273 me, маса Фізика напівпровідників, спін усіх Фізика напівпровідників–мезонів j=0, всі вони – нестабільні; час життя Фізика напівпровідників=2,6Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників. За рахунок процесів:

Фізика напівпровідників, (7.11)

Фізика напівпровідників, (7.12)

Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників (7.13)

здійснюється обмін нуклонів віртуальними Фізика напівпровідників–мезонами в ядрі, що приводить до сильної взаємодії між нуклонами.

Обмін нуклонів віртуальними Фізика напівпровідників–мезонами підтверджується, зокрема, дослідами по розсіюванню нейтронів на протонах, в яких були виявлені процеси перетворення нейтронів в протони і навпаки при проходженні пучка нейтронів через водень. На основі процесів (7.11), (7.12) можна пояснити магнітні моменти протона і нейтрона. Згідно з (7.11), магнітний момент протона (більший одного магнетона) обумовлений орбітальним рухом Фізика напівпровідників+–мезона у віртуальному стані протона n+Фізика напівпровідників+. Від’ємний магнітний момент нейтрона обумовлений орбітальним рухом Фізика напівпровідників––мезона, коли, згідно з (7.12), нейтрон частину часу проводить у віртуальному стані р+Фізика напівпровідників–.

Незважаючи на пояснення природи ядерних сил, послідовна кількісна теорія ядра не побудована, бо являє собою громіздку квантову задачу багатьох тіл (А нуклонів). Це спонукає йти по шляху створення моделей ядра, які, за рахунок введення певних параметрів, що підбираються в узгодженні з дослідом, дозволяють простими засобами описувати деяку сукупність властивостей ядра. Найбільш аргументованими з них є краплинна та оболонкова моделі ядра.

Краплинна модель ядра (Я.І. Френкель, Н. Бор, 1935–1939 р.), базуючись на властивості насичення ядерних сил і молекулярних сил в рідині, а також на малій стисливості рідини і ядерної речовини, уподібнює ядро зарядженій краплині рідини. Це дозволило вивести напівемпіричну формулу для енергії зв’язку ядра і, зокрема, пояснити процеси ділення важких ядер.

Оболонкова модель ядра (М. Гепперт-Мейєр, 1949–1950 р.) базується на уявленні, що нуклони рухаються незалежно в усередненому центральносиметричному полі. У зв’язку з цим виникають дискретні енергетичні рівні, які заповнюються нуклонами на основі принципу Паулі. Ці рівні групуються в оболонки, в кожній з яких може знаходитись певне число нуклонів. Повністю заповнена оболонка являється особливо стійким утворенням. Такими особливо стійкими (магічними) є ядра, у яких число протонів Z або число нейтронів N рівні 2, 8, 20, 28, 50, 82, 126. Ядра, у яких магічними є Z та N, називаються двічі магічними. Їх відомо п’ять: Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників вони – особливо стійкі. Зокрема, мабуть тому Фізика напівпровідників-частинка (Фізика напівпровідників) – єдина складна частинка, яка випромінюється важкими ядрами при радіоактивності.


§ 7.3. Радіоактивність


Радіоактивність – процес самовільного перетворення нестабільних ядер в інші з випромінюванням часток. До радіоактивних перетворень відносяться: Фізика напівпровідників-розпад, Фізика напівпровідників-розпад (з випромінюванням електрона, позитрона чи захопленням орбітального електрона), самовільне ділення ядер, протонна та нейтронна радіоактивність, інші види розпадів. Радіоактивність нестабільних ядер, які існують в природніх умовах, називається природньою (А.Беккерель, 1896 р.), а тих, що одержані шляхом ядерних реакцій,– штучною (І. та Ф. Жоліо-Кюрі,1934 р). Обидва види радіоактивності підкоряються одному законові радіоактивного розпаду.

Із-за незалежності радіоактивних перетворень окремих ядер можна вважати, що число ядер dN, які розпадаються за проміжок часу dt, пропорційне наявному числу ядер N і величині проміжку dt:

Фізика напівпровідників, (7.14)

де Фізика напівпровідників – постійна розпаду,яка характеризує ймовірність розпаду ядра за одиницю часу; знак мінус вказує, що число ядер зменшується з часом. Інтегруючи (7.14) при умові Фізика напівпровідників, одержуємо

Фізика напівпровідників. (7.15)

Закон радіоактивного розпаду (7.15) показує, що число радіоактивних ядер N, які не розпалися до моменту часу t, зменшується з часом експоненційно (мал.7.2).

Кількість ядер, які розпались за час t,

Фізика напівпровідників, (7.16)

Час Т, протягом якого розпадається половина початкової кількості ядер, називається періодом напіврозпаду. З (7.16) при t=T i Фізика напівпровідниківвипливає

Фізика напівпровідників . (7.17)

Період напіврозпаду відомих радіонуклідів змінюється в дуже широких межах: від Фізика напівпровідниківс до Фізика напівпровідниківроків. Очевидно, величина Фізика напівпровідниківхарактеризує середній час життя ядра, тому з (7.14) випливає

Фізика напівпровідників. (7.18)

Виявляється, що в процесі радіоактивного перетворення материнського ядра виникає дочірнє ядро, яке теж може бути радіоактивним, і т.д. Тому виникає ряд радіоактивних елементів, генетично зв’язаних між собою. Для природньорадіоактивних елементів відомо 3 таких ряди: ряд торію Фізика напівпровідників ряд урану Фізика напівпровідників ряд актинію Фізика напівпровідників які закінчуються стабільними ізотопами свинцю Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників З часом в кожному радіоактивному ряді встановлюється так звана вікова рівновага, при якій швидкості утворення і розпаду проміжних членів ряду рівні, що дає

Фізика напівпровідників. (7.19)

Вікова рівновага встановлюється на протязі проміжку часу Фізика напівпровідників найбільш довгоживучого члена ряду. По мірі його розпаду загальний вміст членів ряду в земній корі повільно зменшується. Наприклад, для Фізика напівпровідниківчерез великі проміжки часу виникає стільки ядер свинцю, скільки розпадається ядер урану. Тому, вимірюючи концентрацію урану і свинцю в уранових рудах, можна оцінити середній вік Землі, що дає величину ~4,5Фізика напівпровідниківроків.

Вже перші дослідники природньої радіоактивності (П. та М. Кюрі, Е.Резерфорд) виявили, що радіоактивна речовина є джерелом трьох видів випромінювань: Фізика напівпровідників-, Фізика напівпровідників- і Фізика напівпровідників-променів. Фізика напівпровідників-промені являють собою потік ядер гелію Фізика напівпровідників. Фізика напівпровідників-розпад відбувається за схемою

Фізика напівпровідників. (7.20)

Індекси дочірнього ядра встановлюються на основі законів збереження зарядового і масового чисел: зарядове чи масове число до реакції рівне сумі відповідних чисел після реакції. Звідси випливають так звані правила зміщення; зокрема, при Фізика напівпровідників-розпаді Z дочірнього ядра на 2, а А на 4 менше, ніж у материнського ядра, наприклад

Фізика напівпровідників.

Енергія реакції Фізика напівпровідників-розпаду визначається на основі формули (7.7), де дефект маси реакції

Фізика напівпровідників. (7.21)

Ця енергія виділяється у вигляді кінетичної енергії продуктів реакції, яку можна розрахувати на основі законів збереження енергії та імпульсу.

У більшості випадків радіоактивний елемент випромінює Фізика напівпровідників-частинки декількох чітко визначених груп. Це обумовлено тим, що дочірнє ядро може виникати не тільки в основному стані 1, але і в збуджених станах 2,3,… (мал.7.3). За час існування збуджених станів Фізика напівпровідниківс дочірнє ядро переходить в більш низький чи нормальний стан, випромінюючи Фізика напівпровідників-квант. Так виникають Фізика напівпровідників-промені, які, звичайно, супроводжують Фізика напівпровідників-розпад, хоча дочірнє ядро може звільнитись від надлишку енергії також іншими способами: випромінюючи яку-небудь частинку, або йонізуючи атом (процес внутрішньої конверсії).

Процес Фізика напівпровідників-розпаду не можна пояснити на основі класичної механіки: з радіоактивних ядер випромінюються Фізика напівпровідників-частинки з енергією ~6МеВ, в той же час, при бомбардуванні ядер Фізика напівпровідників-частинками з енергією ~8МеВ такі Фізика напівпровідників-частинки не проникають в ядро. Ядро для Фізика напівпровідників-частинки є потенціальним бар’єром, висота якого U0 більша енергії Фізика напівпровідників-частинки Е (мал.7.4). Внутрішня сторона бар’єру обумовлена ядерними силами, зовнішня – силами кулонівського відштовхування. Явище стає зрозумілим на основі квантової механіки: Фізика напівпровідників-частинка виникає в момент радіоактивного розпаду ядра і долає бар’єр ядра на основі тунельного ефекту (для мікро- частинки існує відмінна від нуля ймовірність проникнути через бар’єр з енергією, меншою висоти бар’єру; Г. Гамов, 1929 р).

Маючи великий заряд і масу, Фізика напівпровідників-частинки інтенсивно йонізу- ють молекули речовини, тому пробіг Фізика напівпровідників-частинок в речовині – незначний; вони, наприклад, повністю затримуються аркушем паперу. Проникна здатність Фізика напівпровідників- променів – значна: щоб зменшити їх інтенсивність вдвічі, потрібний шар свинцю товщиною~1см.

Існує три різновиди Фізика напівпровідників-розпаду: Фізика напівпровідників-розпад (ядро випромінює електрон Фізика напівпровідників), Фізика напівпровідників-розпад (ядро випромінює позитрон Фізика напівпровідників) і так зване електронне захоплення (ядро поглинає один з електронів К–, рідше L–, чи М– шару свого атома).

Фізика напівпровідників-розпад відбувається за схемою

Фізика напівпровідників; (7.22)

звідси видно, що при Фізика напівпровідників-розпаді масове число дочірнього ядра не змінюється, а зарядове число змінюється на одиницю, наприклад, Фізика напівпровідників. Пояснення Фізика напівпровідників-розпаду зустрілося з труднощами:

незрозумілим було походження електрона (електронів у ядрах немає);

незрозумілим був неперервний характер Фізика напівпровідників-спектрів ядер (мал.7.5);

було незрозуміло, чому при Фізика напівпровідників-розпаді не змінюється спін ядра?

Ці труднощі усунули В. Паулі та Е.Фермі (1932–1934 р.р.). Вони висунули гіпотезу, що електрон при Фізика напівпровідників-розпаді виникає в ядрі разом з антинейтрино Фізика напівпровідниківза рахунок процесу

Фізика напівпровідників. (7.23)

Антинейтрино не має маси спокою і електричного заряду, але має спін 1/2. Процес (7.23) – можливий енергетично, бо Фізика напівпровідників він пояснює походження електрона при Фізика напівпровідників-розпаді, а також – незмінність масового числа і зростання зарядового числа дочірнього ядра на одиницю (протон Фізика напівпровідниківзалишається в ядрі). Виліт з ядра двох партнерів (електрона і антинейтрино), спіни яких компенсуються, усуває трудність зі спіном при Фізика напівпровідників-розпаді, а також пояснює неперервний характер Фізика напівпровідників-спектру, бо максимальна енергія Фізика напівпровідників-розпаду Фізика напівпровідниківрозподіляється між двома партнерами статистично. Походження Фізика напівпровідників-променів, що супроводжують Фізика напівпровідників-розпад – таке ж, як і при Фізика напівпровідників-розпаді: дочірнє ядро може виникати у збуджених станах, висвічуючи Фізика напівпровідників-кванти при переходах у більш низькі стани.

Фізика напівпровідників-розпад відбувається за схемою

Фізика напівпровідників, (7.24)

наприклад, Фізика напівпровідників. Він супроводжується випромінюванням позитрона Фізика напівпровідників і нейтрино Фізика напівпровідників, які є античастинками, відповідно, для електрона Фізика напівпровідників і антинейтрино Фізика напівпровідників. Цей вид Фізика напівпровідників-розпаду має місце для штучнорадіоактивних ядер, які мають надлишок протонів над нейтронами. Його можна пояснити за рахунок процесу

Фізика напівпровідників. (7.25)

Для вільного протона цей процес – неможливий, бо Фізика напівпровідників; в ядрі ж протон може запозичити потрібну енергію від інших нуклонів ядра.

Реакція електронного захоплення має вигляд

Фізика напівпровідників, (7.26)

що можна пояснити перетворенням протона в нейтрон

Фізика напівпровідників. (7.27)

Захоплення електрона ядром супроводжується характеристичним рентгенівським випромінюванням, яке обумовлене перебудовою електронної оболонки атома внаслідок виникнення електронної вакансії в ній. По цьому випромінюванню і було відкрите К-захоплення експериментально (Альварец, 1937 р.).

Суттєва для пояснення Фізика напівпровідників-розпаду гіпотеза нейтрино Паулі-Фермі стала початком вивчення так званої слабкої взаємодії, відповідальної за ряд перетворень елементарних часток. Ця гіпотеза була підтверджена експериментально Рейнсом і Коуеном (1953–1956р.р.), яким при роботі на реакторі вдалось підтвердити реакцію

Фізика напівпровідників, (7.28)

що є, фактично, оберненням реакції (7.23).

Важливим для практичних застосувань радіоактивності є поняття активності радіоактивного препарату. Під активністю радіоактивного зразка розуміють число розпадів, які відбуваються в ньому за одиницю часу

Фізика напівпровідників. (7.29)

З (7.15) випливає, що

Фізика напівпровідників, (7.30)

тобто активність змінюється з часом за законом

Фізика напівпровідників, (7.31)

де Фізика напівпровідників– активність при Фізика напівпровідників. Одиницею активності в системі СІ є Ібеккерель (Бк), що відповідає одному розпадові за секунду. Позасистемними одиницями активності є Ік’юрі (Кі) та Ірезерфорд (Рд); ІКіФізика напівпровідниківБк, ІРдФізика напівпровідниківБк. За відомою активністю може бути розрахована експозиційна доза радіації та поглинута доза (енергія йонізуючого випромінювання, розрахована на одиницю маси поглинаючої речовини). Для вимірювання експозиційної та поглинутої доз використовуються прилади різних типів – дозиметри.


§ 7.4. Ядерні реакції


Ядерні реакції – перетворення ядер при їх взаємодії з легкими частинками або іншими ядрами. Така взаємодія виникає при зближенні реагуючих часток до відстаней ~10-13см. Найбільш поширеним типом ядерної реакції є взаємодія легкої частинки a з ядром Х, в результаті якої утворюється легка частинка b і ядро Y

Фізика напівпровідників, (7.32)

що скорочено позначають Х(а,b)Y. В якості легких часток можуть фігурувати: нейтрон, протон, дейтон, Фізика напівпровідників-частинка, Фізика напівпровідників-квант. Ядерні реакції–основний метод вивчення структури ядра і його властивостей.

У будь-якій ядерній реакції виконуються закони збереження зарядового і масового чисел, а також енергії, імпульсу та момента імпульсу. Енергію реакції можна розрахувати на основі формули (7.7), де дефект маси реакції Фізика напівпровідників визначається співвідношенням

Фізика напівпровідників. (7.33)

Якщо Фізика напівпровідників енергія виділяється; якщо Фізика напівпровідників енергія поглинається.

Тип ядерної реакції залежить від енергії бомбардуючих часток. При малих енергіях реакція здійснюється в два етапи (Н. Бор, 1936 р.). На першому етапі ядро Х захоплює частинку а, в резулттаті чого виникає збуджене проміжне компаунд-ядро П. На другому етапі ядро П випромінює частинку b і перетворюється в ядро Y; в цілому процес має вигляд

Фізика напівпровідників. (7.34)

Середній час життя компаунд-ядра складає (10-15–10-16)с, він значно більший часу проходження нуклоном ядра Фізика напівпровідниківc, тому захоплення частинки а і випромінення частинки b – незалежні процеси. Якщо Фізика напівпровідників, процес (7.34) називають розсіюванням; власне ядерна реакція має місце, якщо Фізика напівпровідників. При енергії збудження ядра П, яка менша необхідної для відокремлення від нього часток, єдиний шлях його розпаду – випромінювання Фізика напівпровідників-квантів; такий процес називають радіаційним захопленням. При великих енергіях бомбардуючих часток проміжне ядро не утворюється, процес має вигляд (7.32) і носить назву прямої ядерної взаємодії.

Ймовірність різних взаємодій в ядерній фізиці прийнято характеризувати за допомогою ефективного перерізу взаємодії

Фізика напівпровідників, (7.35)

де N – потік часток, що падають на деяку мішень, Фізика напівпровідників– число часток, які зазнають взаємодії, d – товщина мішені, n – концентрація ядер мішені. Ця величина характеризує ймовірність взаємодії в розрахунку на одне ядро в шарі одиничної товщини. Її прийнято вимірювати в барнах:1барн=10-24см2.

Велике значення мають реакції, які викликаються нейтронами. Із-за відсутності електричного заряду нейтрону не доводиться долати потенціальний бар’єр ядра, тому в ядра легко проникають навіть теплові нейтрони з енергією Е~0,03еВ. Звичайно для захоплення нейтронів має місце монотонна залежність Фізика напівпровідників, однак спостерігаються випадки резонансного захоплення нейтронів. Так, для Фізика напівпровідників Фізика напівпровідниківрізко зростає при Е=7еВ, досягаючи 23000 барн. Таке резонансне поглинання має місце, коли енергія, внесена нейтроном в ядро, рівна тій, яка необхідна для його переводу на збуджений енергетичний рівень.

Важливу групу ядерних реакцій складають реакції ділення важких ядер при їх бомбардуванні нейтронами (О.Ган, Р.Штрасман, О.Фріш, Л. Мейтнер, 1939 р.). При цьому ядро ділиться на декілька більш легких ядер (найчастіше – на два осколки зі співвідношенням мас 2:3) з випроміненням 2-3 вторинних нейтронів і виділенням величезної енергії (~ІМеВ на нуклон), наприклад,

Фізика напівпровідників. (7.36)

Мінімальна енергія, необхідна для поділу ядра, називається енергією активації; її вносить в ядро бомбардуючий нейтрон. Це приводить до деформації ядра внаслідок порушення рівноваги кулонівських сил і сил поверхневого натягу, поділу ядра і розлітання осколків з великими швидкостями (Н.Бор, Я.І.Френкель, 1940 р.). Осколки виносять понад 80% енергії ділення, декілька МеВ виносять нейтрони, решта енергії виділяється пізніше під час Фізика напівпровідників-розпаду продуктів ділення.

Оскільки відношення числа нейтронів до числа протонів Фізика напівпровідників для середніх ядер рівне 1,3, а для важких ядер – 1,6, звільнення осколків від надлишку нейтронів і приводить до виникнення вторинних нейтронів. Переважна більшість з них виникає в момент ділення (миттєві нейтрони); однак, 0,75% вторинних нейтронів виникають з запізненням (запізнілі нейтрони). Вони “випаровуються” Фізика напівпровідників-радіоактивними осколками вже після ділення ядра з розкидом в часі від 0,05с до десятків секунд. Саме це дозволяє плавно керувати ланцюговою реакцією ділення.

Ядерна реакція стає ланцюговою, якщо частинки, що її викликають, виникають як продукти цієї реакції. В реакції типу (7.36), викликаній тепловим нейтроном, вторинні нейтрони виникають швидкими в середній кількості Фізика напівпровідників на кожний акт ділення. Якщо частина f загальної кількості вторинних нейтронів буде використана для продовження реакції ділення, то на один нейтрон першого покоління прийдеться

Фізика напівпровідників (7.37)

нейтронів другого покоління, тому швидкість зміни потоку нейтронівФізика напівпровідників і

Фізика напівпровідників, (7.38)

де n0-потік нейтронів при Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників-час життя покоління нейтронів. Якщо Фізика напівпровідників, здійснюється самопідтримувана ланцюгова реакція, що має місце в ядерних реакторах. При Фізика напівпровідників реакція перестає бути регульованою і закінчується вибухом; при Фізика напівпровідників ланцюгова реакція згасає.

Вивчення можливостей реалізації цих умов показало, що природній уран містить ~99,3% ізотопу Фізика напівпровідників і ~0,7% ізотопу Фізика напівпровідників. Ядра Фізика напівпровідників діляться як швидкими, так і тепловими нейтронами, ядра Фізика напівпровідниківділяться лише швидкими нейтронами з енергією Е > 1МеВ, але ефективний переріз поділу Фізика напівпровідників для них малий. Конкуруючими процесами є непружне розсіяння і радіаційне захоплення нейтронів, тому в природньому урані ланцюгова реакція ділення самочинно розвинутись не може. Якщо природній уран збагатити ізотопом Фізика напівпровідників, то на швидких нейтронах реалізується співвідношення типу (7.37):

Фізика напівпровідників, (7.39)

де Фізика напівпровідників-середнє число нейтронів на кожний захоплений нейтрон, Фізика напівпровідників-коефіцієнт використання швидких нейтронів. З умови Фізика напівпровідників визначаються критичні розміри і критична маса атомної бомби, що для Фізика напівпровідників дає Фізика напівпровідників~9см і Фізика напівпровідників~50кг. При Фізика напівпровідників ядерні заряди можна зберігати; при з’єднанні докритичних мас у надкритичні відбувається атомний вибух еквівалентний вибуху Фізика напівпровідників тон тротилу (США, 1945; СРСР, 1949р).

При реалізації ланцюгової реакції ділення на теплових нейтронах необхідне використання сповільнювача нейтронів (важка вода Фізика напівпровідників, графіт, які мало поглинають нейтрони). Тоді стає можливим використання природнього урану. Коефіцієнт розмноження теплових нейтронів у цьому випадку визначається співвідношенням:

Фізика напівпровідників. (7.40)

Це – так звана формула чотирьох співмножників, де Фізика напівпровідників-коефіцієнт зростання потоку нейтронів за рахунок поділу ядер швидкими нейтронами, Фізика напівпровідників-доля сповільнюваних нейтронів, які не зазнають поглинання ядрами Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників- коефіцієнт використання теплових нейтронів (не поглинутих домішками і не вилітаючих за межі активної зони). Якщо перші два співмножники залежать лише від активно подільного матеріалу, другі два суттєво залежать від конструкції реактора. Оптимізація цих коефіцієнтів в уран-графітовому реакторі, де стержні з природнього урану відповідного діаметра складаються у своєрідну решітку з блоками графітового сповільнювача, дозволяє досягти Фізика напівпровідників і за допомогою автоматично регульованих стержнів з Фізика напівпровідників і В, які активно поглинають нейтрони, підтримувати регульовану ланцюгову реакцію ділення ядер на заданому рівні (США, 1942р; СРСР, 1945р). Використання відповідного теплоносія (вода, рідкі метали), який циркулює через активну зону, дозволяє виводити з неї тепло, що виділяється за рахунок утилізації кінетичної енергії осколків ділення, і перетворювати її в енергію пари (атомні двигуни) та електричну енергію (атомні електростанції). Запуск і плавне регулювання роботи атомного реактора можливі за рахунок використання запізнілих нейтронів; його зупинка досягається скиданням в реактор поглинаючих стержнів з Cd і В, внаслідок чого k стає меншим одиниці.

Миттєві нейтрони реактора використовуються частково для підтримання ланцюгової реакції, а частково – для відтворення ядерного пального. За рахунок радіаційного захоплення нейтронів ядрами Фізика напівпровідників виникає ізотоп Фізика напівпровідників, який після двох Фізика напівпровідників-розпадів перетворюється в Фізика напівпровідників. Цей ізотоп, як і Фізика напівпровідників, є активно подільним матеріалом, тому після хімічного виділення з відпрацьованих уранових стержнів реактора може використовуватись для виготовлення ядерних боєзарядів. На цих засадах базується сучасна ядерна енергетика з усіма її використаннями у мирних та військових цілях і екологічними проблемами, які вона породила. Зокрема, все більш актуальною стає проблема поховання радіоактивних відходів, що накопичуються.

Іншою групою ядерних реакцій, які супроводжуються виділенням величезної енергії, є термоядерні реакції синтезу важких ядер (наприклад, Фізика напівпровідників) з більш легких (наприклад, ізотопів водню Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників). Для їх реалізації потрібні високі температури (Фізика напівпровідників, щоб за рахунок кінетичної енергії ядра могли зблизитись до відстані порядку радіуса дії ядерних сил (10-13см). В природніх умовах такі реакції мають місце в надрах зірок, обумовлюючи їх величезне випромінювання. Як показав Г.Бете (1938 р), перетворення водню в гелій на зірках здійснюється за допомогою водневого і вуглецевого циклів, які в кінцевому результаті еквівалентні реакції

Фізика напівпровідників. (7.41)

Завдяки величезним розмірам і масам зірок на них ідеально вирішується проблема гравітаційного утримування і термоізоляції плазми (речовина при Т~Фізика напівпровідниківК являє собою високойонізовану плазму). На Землі для Фізика напівпровідниківцього треба шукати інші підходи.

Термоядерна реакція синтезу на Землі поки що здійснена лише як вибухова у водневій бомбі (СРСР, США, 1953 р.), де детонатором служить атомна бомба, внаслідок вибуху якої у рівнокомпонентній суміші дейтерію і тритію виникають температура Т~Фізика напівпровідниківК і тиск Р~Фізика напівпровідниківатм, що приводить до “підпалювання” термоядерної реакції

Фізика напівпровідників. (7.42)

В реакції (7.42) виділяється енергія ~17,6МеВ, яка на одиницю маси реагуючої речовини в 4 рази більша, ніж в реакції ділення, тому енергія термоядерних бомб становить ~(105–106)т тротилового еквіваленту.

Надзвичайно привабливими видаються перспективи керованого термоядерного синтезу (КТС), як з точки зору практичної невичерпності дешевого для КТС пального (дейтерію у водах океанів), так і з огляду на суттєво меншу радіаційну загрозу реакторів КТС, ніж у реакторів ділення, тому вивчення КТС розпочалося ще у 50-і роки ХХ століття. Створення реактора КТС передбачає: 1) одержання плазми, нагрітої до температур ~Фізика напівпровідниківК; 2) утримання плазмової конфігурації протягом часу, необхідного для протікання термоядерних реакцій. Керовано нагріти речовину до таких температур можна газовим розрядом, гігантським лазерним імпульсом або бомбардуванням інтенсивним пучком часток. Тому дослідження проблем КТС ведуться в напрямку створення квазістаціонарних реакторів з магнітним утримуванням плазми та імпульсних реакторів з інерційним утримуванням плазми. В обох підходах ще є принципові труднощі, пов’язані з нестійкістю плазмових конфігурацій та проблемою домішок у плазмі, що ведуть до надмірних енергетичних втрат. Проте, небезпідставним є оптимізм, що реактор енергетики майбутнього буде побудований.


§ 7.5. Елементарні частинки та фундаментальні взаємодії


Елементарні частинки в точному розумінні цього терміну – первинні, далі неподільні частинки, з яких за припущенням складається вся матерія. В сучасній фізиці цей термін вживається менш точно – для найменування всіх мікрочастинок, які (за винятком протонів) не є атомами, чи атомними ядрами. Крім протонів, сюди відносяться: нейтрони, електрони, фотони, Фізика напівпровідників-мезони, м’юони Фізика напівпровідників, важкі лептони Фізика напівпровідників, нейтрино трьох типів (Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників дивні частинки (к-мезони, гіперони), різноманітні резонанси, Фізика напівпровідників-частинки, “чарівні” частинки, іпсилон-частинки ۷, “красиві” частинки, проміжні векторні бозони (Фізика напівпровідників) – всього ~ 400 часток, здебільшого нестабільних, кількість яких продовжує зростати. Фактично, більшість з них не є елементарними; частинки, що претендують на роль первинних елементів матерії, прийнято називати істинно елементарними.

Відкриття складного, несподіваного світу елементарних частинок – надбання квантово-релятивістської фізики ХХ століття. Деякі з елементарних часток були відкриті в зв’язку з вивченням будови атома (е– Фізика напівпровідників) та ядра (р, n, Фізика напівпровідників) і в космічних променях (е+, Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників К, Фізика напівпровідників), решта – на прискорювачах заряджених часток, які стали основним інструментом дослідження елементарних часток. Всі елементарні частинки є об’єктами винятково малих мас і розмірів, що обумовлює квантову специфіку їх поведінки. Найбільш важлива квантова властивість всіх елементарних часток – їх здатність народжуватися і знищуватися (випромінюватися і поглинатися) при взаємодії.

Різні процеси з елементарними частинками помітно відрізняються за інтенсивністю їх протікання. В зв’язку з цим взаємодії елементарних часток ділять на види: сильну, електромагнітну, слабку, гравітаційну. Інтенсивність взаємодій прийнято характеризувати безрозмірними параметрами, пов’язаними з квадратами констант зв’язку відповідних взаємодій.

Сильна взаємодія обумовлює найбільший зв’язок елементарних часток; для неї Фізика напівпровідників, радіус дії Фізика напівпровідників; саме вона забезпечує зв’язок нуклонів у ядрі.

Електромагнітна взаємодія – менш інтенсивна і характеризується параметрами Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників; зокрема, ця взаємодія відповідальна за зв’язок електронів з ядрами в атомах і – атомів в молекулах.

Слабка взаємодія теж – короткодіюча, її параметри – Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників; вона відповідальна за повільні процеси розпаду квазістабільних часток, час життя яких лежить в межах 10–6 – 10–14с.

Гравітаційна взаємодія – універсальна, але, в зв’язку з малими масами елементарних часток, на характерних для них відстанях ~10–15м вона помітної ролі не грає; Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників; однак, вона може стати суттєвою на відстанях ~10–35м.

Слід відмітити, що відносна роль різних взаємодій змінюється з ростом енергії часток. Проте, різні властивості симетрії сприяють розділенню взаємодій до досить значних енергій. Лише в границі самих великих енергій поділ взаємодій на види, мабуть, втрачає зміст.

В залежності від участі в тих чи інших взаємодіях елементарні частинки ділять на класи: фотон, лептони (“легкі” частинки), адрони (“сильні” частинки) з підкласами мезонів (“середніх” часток) та баріонів (“важких” часток), гравітон.

Фотони Фізика напівпровідниківє квантами електромагнітного поля зі спіном j=1; вони приймають участь лише в електромагнітній взаємодії, але не зазнають сильної і слабкої взаємодії.

Групу лептонів складають електрон е–, м’юон Фізика напівпровідників, тау-лептон Фізика напівпровідників, відповідні нейтрино Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників та їх античастинки. Спін всіх цих частинок j=1/2, тобто вони є ферміонами (підкоряються статистиці Фермі-Дірака); mФізика напівпровідників, Фізика напівпровідників. Лептони приймають участь у слабкій взаємодії (заряджені – також і в електромагнітній), але не зазнають сильної взаємодії.

Підгрупу мезонів складають піони Фізика напівпровідників, каони Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників-мезон, деони Фізика напівпровідників; Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників, Фізика напівпровідників. Всі вони – нестабільні: Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідниківрозпадаються за рахунок слабкої і електромагнітної взаємодії, приймають участь також у сильній взаємодії. Спін мезонів j=0, тобто вони є бозонами (підкоряються статистиці Бозе-Ейнштейна).

Підгрупа баріонів об’єднує нуклони (р, n) і гіперони (Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників Фізика напівпровідників, маса яких ~1,2~1,8 mp. Спін баріонів j=1/2, тобто вони, як і лептони, є ферміонами. Баріони приймають участь у всіх видах взаємодій. Відкриті на прискорювачах резонанси, список яких все збільшується, є сильновзаємодіючими короткоживучими частинками (Фізика напівпровідників). Вони трапляються з цілим і напівцілим спіном, тому, відповідно, відносяться до мезонів або баріонів.

Гравітони (гіпотетичні кванти гравітаційного поля) – частинки зі спіном j=2, приймають участь лише у гравітаційній взаємодії.

Кожна елементарна частинка описується сукупністю дискретних значень певних фізичних величин, що її характеризують (квантових чисел). Загальними характеристиками всіх елементарних часток є маса m, час життя Фізика напівпровідників, спін j, електричний заряд Q. В залежності від часу життя елементарні частинки діляться на стабільні, квазістабільні і нестабільні. Стабільними вважаються електрон, протон, фотон, нейтрино. До квазістабільних відносяться частинки, які розпадаються за рахунок електромагнітної і слабкої взаємодії. Нестабільними є резонанси, які розпадаються за рахунок сильної взаємодії. Спін частинки j, що характеризує її власний момент імпульсу, може бути цілим або напівцілим кратним величини Фізика напівпровідників– постійної Дірака. В цих одиницях у відомих часток j набуває значень 0, Фізика напівпровідників, 1, … Електричний заряд Q частинки є цілим кратним елементарного заряду е; у відомих елементарних частинок QФізика напівпровідників.

Було помічено, що квантові числа елементарних часток пов’язані з законами збереження, які відображають певні симетрії природи. Наприклад, закони збереження енергії Е, імпульсу Фізика напівпровідників, момента імпульсу Фізика напівпровідників відображають властивості симетрії простору-часу. Відповідні закони збереження (а також закон збереження електричного заряду) є точними. вони виконуються у всіх видах взаємодій. Разом з цим, елементарні частинки характеризуються ще рядом квантових чисел, пов’язаних з так званими “внутрішніми” симетріями.

Це, перш за все,– баріонний заряд В. Для всіх баріонів В=+1, для антибаріонів В=–1, для останніх часток В=0; має місце закон збереження баріонного заряду; вважається, що він може порушуватися.

По-друге,– лептонний заряд L. Для всіх лептонів L=+1, для антилептонів L=–1, для останніх часток L=0; має місце закон збереження лептонного заряду; вважається, що і він може порушуватися.

При розгляді адронів було помічено, що вони розбиваються на групи часток близьких за масою з подібними властивостями, якщо “виключити” електромагнітну взаємодію (зарядові мультиплети). Для характеристики цього було введене квантове число ізотопічного спіну І, яке пробігає цілі і напівцілі значення. Число часток у мультиплеті N=2I+1, вони відрізняються значенням “проекції” ізоспіну Із і величиною електричного

заряду (заряд часток у мультиплеті Q=Iз+В/2). Наприклад, для нуклонів І=1/2, тому Фізика напівпровідників(протон, нейтрон). Має місце закон збереження ізоспіну, порушується електромагнітною і слабкою взаємодією.

Важливою характеристикою адронів є так звана внутрішня парність Фізика напівпровідників, яка описує симетрію правого і лівого; порушується слабкою взаємодією. Нею ж порушується так звана зарядова парність Фізика напівпровідників яка описує симетрію часток та античасток і вводиться для абсолютно нейтральних часток.

Поняття античастинки ввів П. Дірак (1928 р.). Він встановив квантово-релятивістське рівняння для електрона, яке, при заданому імпульсі частинки р, дає власні значення енергії

Фізика напівпровідників, (7.43)

тобто одержуються дві області значень енергій, розділені забороненим проміжком шириною 2mec2 (мал.7.6).

В класичній теорії переходи в стани з від’ємною енергією заборонені, оскільки енергія змінюється неперервно. В квантовій теорії, де енергія квантується, такі переходи можливі. Але частинка з від’ємною енергією має від’ємну масу, що – нефізично. Дірак висунув гіпотезу, що стани з від’ємною енергією не спостерігаються, оскільки вони заповнені електронами. Збудження системи зводиться до переходу електрона з заповнених рівнів на вільні; внаслідок цього виникає вільний електрон і вакансія в системі заповнених рівнів – “дірка”. Ця вакансія веде себе як електрон з додатніми масою і зарядом, вона одержала назву позитрон. Для виникнення пари електрон-позитрон потрібна мінімальна енергія Е=2mec2. Процес

Фізика напівпровідників (7.44)

являє собою процес народження пари фотоном; із-за необхідності виконання законів збереження енергії та імпульсу він повинен відбуватись в полі частинки Х. Можливий і зворотній процес

Фізика напівпровідників, (7.45)

процес аннігіляції пари; він не вимагає присутності сторонньої частинки, оскільки народжуються два фотони.

У 1932 р. позитрони були виявлені в космічних променях; напротязі 1955–1956 р.р. були відкриті антипротон Фізика напівпровідниківі антинейтрон Фізика напівпровідників. Античастинки існують і у бозонів: Фізика напівпровідників, наприклад, є античастинкою для Фізика напівпровідників. Існують і абсолютно нейтральні частинки (Фізика напівпровідників. Вони нездатні аннігілювати, але можуть перетворюватися в інші частинки.

Найбільша група елементарних часток – адрони діляться на звичайні, дивні, “чарівні”, “красиві”, “істинні” частинки. Цьому поділу відповідає наявність у адронів екзотичних квантових чисел: дивності S, чарівності С, краси b, істинності t; вони зберігаються у сильній та електромагнітній взаємодіях, але не зберігаються у слабкій взаємодії.

Таким чином, кожне квантове число описує певний вид симетрії часток і взаємодій з відповідним законом збереження, який може бути точним чи наближеним. Вивчення цих симетрій привело до класифікації елементарних часток і спроб побудови єдиної теорії фундаментальних взаємодій.

Рефетека ру refoteka@gmail.com