Рефотека.ру

Материалы, похожие на работу «Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов»

Так как ионная имплантация обеспечивает более точный контроль общей дозы легирующей примеси в диапазоне 1011-1016 см2, там, где это возможно, ею заменяют процессы диффузионного ...
Метод радиационного легирования используется для получения кремния, необходимого для производства силовых приборов, где в качестве главного требования выступает высокая ...
В современной фотоэлектронной энергетике особое значение придается поиску новых полупроводниковых соединений, которые дали бы возможность заменить монокристаллические кремниевые ...
Соединение со структурой халькопирита CuInSe2 принадлежит к этой группе и активно исследуется как материал для солнечных элементов в тонкопленочном исполнении, причем к настоящему ...
Эти конструкции и материалы должны быть, прежде всего, совместимы с микроэлектронной технологией производства чувствительных кремниевых элементов.
Кремниевый интегральный преобразователь давления (ИПД) представляет собой мембрану из монокристаллического кремния с диффузионными пьезорезисторами, подключенными в мост Уинстона ...
Рассмотренная модель диффузионного процесса с постоянным источником описывает процесс диффузионного легирования полупроводникового материала из газовой или паровой фазы.
Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или ...
Рассмотренная модель диффузионного процесса с постоянным источником описывает процесс диффузионного легирования полупроводникового материала из газовой или паровой фазы.
Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или ...
Большое число регулирующих параметров процесса ионного легирования (доза, тип, энергия ионов, температура и среда отжига и др.) позволяют в широких пределах изменять свойства ...
Стремительный прогресс в кремниевой технологии в последние 5 - 10 лет инициировал дальнейшее развитие технологического моделирования.
Основное направление деятельности предприятия - разработка и производство полупроводниковых СВЧ-приборов; кремниевых выпрямительных диодов общего назначения, диодов с барьером ...
Дома, оборудованные такими системами (которые обычно доукомплектовываются и кремниевыми солнечными элементами), называются "солнечными домами".
Основой для солнечных панелей являются тонкие срезы кремниевых кристаллов.
Здесь построено примерно 2600 гелиоустановок на кремниевых фото-преобразователях мощностью от 1 до 1000 кВт и солнечных коллекторных устройств для получения тепловой энергии.
Существует реальная перспектива снижения стоимости кремниевых ФЭП на один - два порядка при внедрении новых автоматизированных методов производства, позволяющих в частности ...
изготовленные, как правило, на кремниевых пластинах р-типа с локальными участками п - типа, которые формируют на них диффузией или ионным легированием мышьяком или сурьмой ...
Обычно требуется небольшая концентрация примеси, поэтому при использовании жидких источников их многократно разбавляют, в результате чего получают растворы с относительным ...
Для современных ФЭП характерны удельная масса 20 - 60 кг/кВт (без учета механизмов разворота и автоматов слежения) и удельная мощность КПД преобразования солнечной энергии в ...
60 кг/кВт (без учета механизмов разворота и автоматов слежения) и удельная мощность [pic] КПД преобразования солнечной энергии в электроэнергию для обычных кремниевых ФЭ равен [pic ...
Объектом разработки является выпрямительный диффузионный диод.
В кремниевых диффузионных р - n-переходах независимо от профиля легирования в широком диапазоне напряжений пробоя имеют место следующие приближенные соотношения [1]:
Технологические возможности диффузионной сварки позволяют широко использовать этот процесс в приборостроительной и электронной промышленности при создании металлокерамических и ...
Диффузионной сваркой можно выполнять все типы соединений при самом разнообразном конструктивном их оформлении: встык, вскос, соединять пересекающиеся стержневые элементы между ...
Производство оборудования для термо-диффузионного цинкования.
Поскольку процесс диффузионного цинкования сухой, то он очень удобен для деталей, полученных спеканием, и для небольших узлов, которые можно цинковать в собранном виде.
Конструкция реакторов в целом близка к используемой для производства кремниевых стержней водородным восстановлением хлорсиланов, хотя и имеет ряд отличительных элементов.
Зарубежные фирмы для очистки водорода используют как диффузионный так и каталитически-сорбционные методы.
Возможность транзистора переключаться быстрее определяется технологией производства кремниевых пластин, из которых делаются чипы.
В ходе следующей операции, называемой "легированием", открытые участки кремниевой пластины бомбардируют ионами различных химических элементов, которые формируют в кремнии ...
Таким образом, каждый элемент матрицы S представляет некоторую позицию лэйаута и получает значение 1, если там стоит стрелка, значение 0 - если там не показан ни транзистор, ни ...
В Казахстане имеются пилотные линии для производства кремниевых интегральных схем с минимальными размерами рабочих элементов 0,8-1 мкм.
... создания различных слоев на тонкой (меньше миллиметра) круглой (диаметром до 30 см) кремниевой пластине, именуемой подложкой.2 Слои формируются при помощи различных процессов с ...
... пластины ионизированными атомами различных химических элементов (с целью создания в кремнии полупроводниковых областей n- или p-типа) производится не через окна в фоторезисте (он ...
Рефетека ру refoteka@gmail.com